高鼎三（1914 07.24 - 2002 06.13），上海人，半導(dǎo)體物理與器件學(xué)家、微電子與光電子專家、教育家，中國半導(dǎo)體事業(yè)開拓者之一，中國工程院院士，吉林大學(xué)半導(dǎo)體系創(chuàng)建者。
1938年轉(zhuǎn)入昆明國立西南聯(lián)合大學(xué)求學(xué)直至畢業(yè)。1947年赴美國加利福尼亞大學(xué)留學(xué)。1948年，在美國加利福尼亞大學(xué)研究院物理系獲碩士學(xué)位后再讀博士課程。1955年回到祖國，到東北人民大學(xué)（現(xiàn)吉林大學(xué)）任教。1959年主持建立了全國第一個半導(dǎo)體系，成功研制了中國首個鍺功率器件，1995年當(dāng)選為中國工程院院士。
幾十年來結(jié)合教學(xué)工作，在研究開發(fā)晶體管、半導(dǎo)體激光器、電子半導(dǎo)體器件，以及在培養(yǎng)人才、組建“集成光電子學(xué)國家重點實驗室”和幫助吉林省發(fā)展電子工業(yè)等方面都作出了貢獻。
人物生平
1914年7月24日，高鼎三出生于上海市一個貧寒家庭，其父是江蘇宜興丁蜀鎮(zhèn)人。7歲靠母親的縫紉勞作和舅舅的照顧，開始到江陰觀音寺小學(xué)讀書。兩年后，母親帶他及弟弟去北京、營口市等地找到了為生計而奔波的父親。飽經(jīng)顛沛的高鼎三很知上學(xué)不易，每到一處甚為用功。13歲那年，因北方難以謀生，母親又帶他們回到了江陰。迫于生計，高鼎三只好棄學(xué)到當(dāng)?shù)匾患揖I布店當(dāng)學(xué)徒，一連6載。學(xué)徒期間，他抓緊空閑時間閱讀報紙，在16歲那年又函授攻讀文科。30年代初期，國內(nèi)政治動蕩，市場蕭條、店鋪倒閉，高鼎三失業(yè)了。
1933年，時已年及20，從沒學(xué)過英語、數(shù)學(xué)、物理、化學(xué)的高鼎三在其剛從美國學(xué)成歸來的姨母的鼓勵與資助下，在家自學(xué)半年后考入上海大同大學(xué)附中（高中），以半工半讀形式讀至畢業(yè)。
1934年2月，考入上海大同大學(xué)附中讀書。
1937年7月，考入交通大學(xué)，并得到了上海市愛國化學(xué)家吳蘊初出資設(shè)立的清寒教育基金資助。上海“八一三”戰(zhàn)事爆發(fā)后，高鼎三到武漢大學(xué)借讀。
1938年9月，轉(zhuǎn)到昆明國立西南聯(lián)合大學(xué)讀書。
1941年7月以優(yōu)異成績畢業(yè)，獲得理學(xué)學(xué)士。高鼎三大學(xué)畢業(yè)后到中央研究院評議會任《科學(xué)通報》助理編輯，在主任編輯吳有訓(xùn)教授直接領(lǐng)導(dǎo)下工作。在武漢大學(xué)讀書期間，高鼎三有幸聆聽到周恩來同志的一次講演，使他對共產(chǎn)黨抗日政策有了直接了解。在西南聯(lián)大讀書時，又受到了吳有訓(xùn)、周培源等教授的愛國精神和嚴(yán)謹治學(xué)態(tài)度的影響。在昆明市參加工作之后，在當(dāng)時社會各界反對中國國民黨獨裁統(tǒng)治、政治腐敗、主謀內(nèi)戰(zhàn)的群眾性斗爭的影響下，特別是李公樸、聞一多等人慘遭國民黨特務(wù)暗殺之后，高鼎三積極參加了“聯(lián)合國大會”師生反對內(nèi)戰(zhàn)的愛國游行示威。這些都成為高鼎三后來由美國回到新中國懷抱的思想基礎(chǔ)。
1947年11月，高鼎三被錄取為留美實習(xí)生，去美國加利福尼亞大學(xué)研究院繼續(xù)攻讀物理。因成績優(yōu)異，第二年被錄取為助教（兼職）資格，免交學(xué)費。因國內(nèi)經(jīng)費斷絕，他就改走勤工儉學(xué)之路。
1951年，取得碩士學(xué)位后就開始攻讀博士學(xué)位。但因情況變化，中斷了學(xué)業(yè)，改去洛杉磯一家國際整流器公司任研究員。
1941年-1948年，中國研究院評議會任《科學(xué)記錄》助理編輯。
1951年，取得碩士學(xué)位后開始攻讀博士學(xué)位。
1953-1955年，在美國洛杉磯國際整流器公司任研究員。他為了能早日參加祖國建設(shè)，和其他愛國留學(xué)生一起積極申請回國，并聯(lián)名給美國總統(tǒng)寫信表明政治態(tài)度。雖然整流器公司經(jīng)理答應(yīng)給他加薪，希望他留在該公司，但他堅決拒絕。經(jīng)過長達4年多的斗凈，終于在1955年5月初乘上“威爾遜總統(tǒng)號”輪船回到了闊別近8年的祖國。
1955-1959年在吉林大學(xué)（后改為吉林大學(xué)）物理系任副教授、系副主任兼半導(dǎo)體研究室主任。
1955年9月，來到條件較為艱苦的東北人民大學(xué)（后改為吉林大學(xué)）任物理系副教授、副系主任兼半導(dǎo)體研究室主任。1959年他主持建立了半導(dǎo)體系，并任系主任一直到1984年。1978年他被評為教授，其間還一度兼任他親手創(chuàng)建的“集成光電子研究室”主任。
1984年以后，他擔(dān)任了由半導(dǎo)體系擴建成的電子工程系名譽系主任。
1959-1984年任吉林大學(xué)半導(dǎo)體系主任、副教授、教授。
1984-任吉林大學(xué)電子工程系名譽系主任、教授。
1990-1993年擔(dān)任“集成光電子學(xué)國家重點實驗室”學(xué)術(shù)委員會主任。
1995年被選為中國工程院院士。
2002年6月13日，病逝。
主要成就
開拓中國半導(dǎo)體事業(yè)
早在50年代初期，高鼎三在美國International Rectifier公司工作期間，就曾提出一種新的工藝方法，為該公司解決了大面積大電流整流器的制造難題，他在那時主持研制成功的半導(dǎo)體大功率整流器，已被當(dāng)時美國的有關(guān)業(yè)界用于美國火箭發(fā)動機、化工自動控制系統(tǒng)之中。
1956年2月，他去北京參加中國物理學(xué)會召開的關(guān)于半導(dǎo)體研究的會議。會上他滿懷信心地提出：“要開展半導(dǎo)體的研究，趕上世界先進水平”。回校后，他帶領(lǐng)半導(dǎo)體研制小組的同志，僅僅利用5個星期的時間就試制成鍺大功率整流器。這是中國第一個用鍺材料制造成的功率器件。
1956年3月25日向“全國科學(xué)規(guī)劃會議”報喜后，4月14日的《人民日報》、5月29日的《光明日報》及科學(xué)出版社在以后為慶祝新中國成立十周年而出版的《十年來的中國科學(xué)》都對此作了詳細報導(dǎo)。此后不久，他又在國內(nèi)研制成功鍺點接觸二極管和三極管。這些成果在當(dāng)時被視為具有世界先進水平。
1958～1959年，在他的指導(dǎo)下，吉林大學(xué)半導(dǎo)體系研制出了開國內(nèi)先河的鍺光電二極管。此外，還研制成功了半導(dǎo)體熱敏電阻、氧化銅整流器、砷化鎵等半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料。
1962～1965年，他指導(dǎo)研究生進行了“外延技術(shù)”的研究，并制作了隧道二極管、化鎵激光器、臺面晶體管等。
1976年，他主持研制的室溫工作的鋅擴散砷化鎵平面條形雙異質(zhì)結(jié)激光器，達到了國內(nèi)先進水平，獲1978年全國科技大會獎。
1986～1988年，他作為負責(zé)人承擔(dān)了國家自然科學(xué)基金項目“復(fù)合腔波導(dǎo)互補半導(dǎo)體激光器橫模特性及縱模鎖定效應(yīng)的研究”。由于結(jié)構(gòu)設(shè)計新穎及利用了互補原理，使激光器模式特性有了很大改善，從而制作出了較好的器件。該項成果于1985年獲電子部科技成果一等獎，1988年獲國家發(fā)明三等獎。在“七五”及“八五”期間，高鼎三還承擔(dān)并指導(dǎo)完成了許多重大科研項目，例如：他指導(dǎo)的國家科委“863”計劃項目“可見光激光器的研制”，通過對結(jié)構(gòu)設(shè)計、工作機理及工藝的研究，使紅光半導(dǎo)體激光器壽命有很大提高，其中“階梯襯底內(nèi)條形可見光半導(dǎo)體激光器”于1991年獲國家教委科技進步三等獎，1992年獲國家發(fā)明三等獎。他指導(dǎo)的吉林省科委關(guān)于可見光激光器的開發(fā)應(yīng)用項目，其中的研制成果“半導(dǎo)體激光器熱傳輸特性研究”獲1992年國家教委科技進步（甲類）三等獎。他指導(dǎo)的國家攻關(guān)項目“復(fù)合腔動態(tài)單膜半導(dǎo)體激光器”，其對稱三腔型和原子轟擊內(nèi)干涉型兩種均獲成功，實現(xiàn)了600MHz單模運轉(zhuǎn)。此外，還開展了“耦合陣列大功率半導(dǎo)體激光器”及“高速調(diào)制1～3μm激光器”的研制工作。
為了更加深入研究半導(dǎo)體激光器的內(nèi)部機理，他承擔(dān)國家自然科學(xué)基金項目“長波長半導(dǎo)體激光器溫度特性研究”。1987年取得了三項省級鑒定成果。而后又利用電導(dǎo)數(shù)測量技術(shù)，開展了激光器失效機理方面的研究，取得了一定成果（1993年通過省級鑒定）。在“八五”期間作為“863”計劃，關(guān)于激光器可靠性研究方面的科研任務(wù)，電導(dǎo)數(shù)測量技術(shù)已實現(xiàn)儀器化。針對半導(dǎo)體激光器皮秒（ps）技術(shù)在高速光電子學(xué)中的廣泛應(yīng)用，他指導(dǎo)了“七五”期間“863”計劃的“半導(dǎo)體激光器高速電光采樣儀”研制項目，開展了半導(dǎo)體激光器超短光脈沖、強度自相關(guān)測試和超高速電光采樣儀技術(shù)的研究。其中超高速電光采樣測試裝置已達到1988年美國貝爾實驗室的研究水平。超短脈沖已達11．3皮秒。以上兩項成果已在1991年通過省級鑒定。由于該項工作意義重大，“八五”期間又獲“863”支持。此外，高鼎三一直重視電力半導(dǎo)體器件的研制工作。在70年代中期，他親自帶領(lǐng)師生深入工廠研制500A、3000V大功率晶閘管，取得了可喜成果。1991年，他又指導(dǎo)博士研究生承擔(dān)了國家自然科學(xué)基金“大功率光觸發(fā)晶閘管”的研制工作。通過新結(jié)構(gòu)設(shè)計與新工藝探索，已使該種晶閘管的工作特性得到了極大的提高。其成果于1991年獲國家教委科技進步二等獎。其中的新結(jié)構(gòu)“中心錐形槽狀光敏門極的大功率光控雙向晶閘管”獲1992年國家發(fā)明四等獎。這些成績的獲得是與高鼎三自己勤于鉆研、時刻關(guān)注本學(xué)科的發(fā)展潮流，和善于從中選取前沿課題、重視理論與實踐結(jié)合和講究發(fā)揮群體力量的素養(yǎng)是分不開的。順便提一下，要不是“文革”的干擾與破壞，吉林大學(xué)的半導(dǎo)體研究成果將會更多、更好。
關(guān)心半導(dǎo)體的發(fā)展
高鼎三非常關(guān)心國家半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展。早在1956年及此后的若干年內(nèi)，他在參加中央有關(guān)主管部門召開的全國半導(dǎo)體科學(xué)發(fā)展規(guī)劃以及其它學(xué)術(shù)會議上，都曾針對當(dāng)時的發(fā)展勢態(tài)積極建言。1986年5月4日，高鼎三應(yīng)邀參加國務(wù)院主持召開的高技術(shù)專家座談會，在參加信息專家組的討論中，他系統(tǒng)地闡述了美、日、西歐等國的光電子技術(shù)的發(fā)展水平及其戰(zhàn)略，繼而提出了中國應(yīng)將光電子技術(shù)列為相對獨立的高技術(shù)研究開發(fā)項目的建議。接著在他的大會發(fā)言中，又深入地論述了光電子技術(shù)所包含的內(nèi)容，光電子技術(shù)研究的總體目標(biāo)及其分階段子目標(biāo)，指出光電子技術(shù)與材料科學(xué)、激光技術(shù)、微電子技術(shù)、信息科學(xué)、計算機科學(xué)技術(shù)、通信技術(shù)等眾多學(xué)科互為基礎(chǔ)、互相促進的辯證關(guān)系，強調(diào)光電子技術(shù)的發(fā)展必將促進和帶動相關(guān)學(xué)科的發(fā)展，包括生命科學(xué)和生物工程及國防工程技術(shù)的發(fā)展。他的發(fā)言得到與會專家和領(lǐng)導(dǎo)的重視，他建議的光電子技術(shù)也被列為高技術(shù)研究的重要主題項目。1987年5月，國家計委批準(zhǔn)了高鼎三與他的研究集體同中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所及清華大學(xué)聯(lián)合申報建立“集成光電子學(xué)國家重點實驗室”的申請。高鼎三被推舉為該實驗室的首屆學(xué)術(shù)委員會主任。該實驗室在1987年以來的幾次評估中，由于成績突出，一直被列為A類。高鼎三對吉林省電子工業(yè)的發(fā)展也極為關(guān)心。1959年，還在他創(chuàng)立吉林大學(xué)半導(dǎo)體系的同時，就向有關(guān)主管部門提出了創(chuàng)辦長春半導(dǎo)體廠及中國科學(xué)院吉林分院半導(dǎo)體研究所（后改為東北物理所）的建議并參與籌建工作。這兩個單位的建成不僅使長春市成為培養(yǎng)半導(dǎo)體專門人才、進行半導(dǎo)體研究和器件生產(chǎn)的一個基地，也為東北地區(qū)發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)奠定了基礎(chǔ)。他還多次出席省市電子工業(yè)座談會，為省市電子工業(yè)的發(fā)展提出許多建設(shè)性意見。在1987年12月召開的長春市九屆人大會議上，他向市委書記、市長建議成立長春市高技術(shù)工業(yè)園區(qū)，并撰寫了“吉林省半導(dǎo)體光電子技術(shù)的發(fā)展和前景”論文，送省市領(lǐng)導(dǎo)和電子局。他常說：“我雖出生在上海，但長春是我的第二故鄉(xiāng)，我愿為吉林省電子工業(yè)貢獻全部力量。”
培養(yǎng)半導(dǎo)體事業(yè)人才
高鼎三自1956年到吉林大學(xué)執(zhí)教至今，一直把教書育人放在工作的首位。他不僅在培養(yǎng)本科生、研究生中傾注了心血，而且用自己的言行帶出一支半導(dǎo)體專業(yè)教學(xué)與科研隊伍。在日常教學(xué)中，他除了親自為本科生講授《晶體管原理》、《半導(dǎo)體物理》等專業(yè)課程和為研究生開設(shè)《光電子學(xué)》、《半導(dǎo)體激光器》等學(xué)位課外，還關(guān)心學(xué)生們的身心成長。平日，他喜歡和學(xué)生們交談，并常以自己在舊社會的坎坷經(jīng)歷告誡他們要倍加珍惜新中國為他們創(chuàng)造的大好學(xué)習(xí)環(huán)境，要有為祖國的繁榮富強而發(fā)奮讀書的心志。其潤物細無聲的長者風(fēng)范，使學(xué)生們不以他是系主任、名教授而怯于接近，而是愿意向他吐露真言和討論問題。不少離校較久的當(dāng)年學(xué)生，每當(dāng)議及高鼎三對他們循循善誘的情景，常會為之動容。高鼎三對他教過的學(xué)生在10余年后見面時也常能立即叫出他們的名字。他于60年代帶出的8名研究生、“文革”后培養(yǎng)的29名碩士生和18名博士生均已先后成才，其中有的已成為博士生導(dǎo)師、教授或高級工程師。至于本科畢業(yè)生，幾乎遍及全國半導(dǎo)體業(yè)界。可謂桃李滿天下。高鼎三于1961年主持編寫的《晶體管原理講義》，在國內(nèi)是該領(lǐng)域的開山之作，曾被許多高等院校、研究所和工廠視為頗具權(quán)威性的教材加以采用。高鼎三每當(dāng)承擔(dān)科研任務(wù)，他總是把年青教師、研究生乃至高年級本科生吸引到自己身邊，加以精心指導(dǎo)，以增長他們的才干。他支持年輕人搞科研，出成果，寫論文。雖然他們的許多論文及科研成果中都飽含著他的智慧與辛勞，但在署名時他總是讓年青人的名字寫在前面。文革中，他盡管遭到迫害，但他胸懷坦蕩，從沒說過違心的話，稍得寬解，便全身心地投入教學(xué)、科研之中，對黨、對群眾毫無怨言。他與人談話中常能坦言自己在處理某事或某人中曾經(jīng)有過的欠當(dāng)之舉。他這種致力于培養(yǎng)學(xué)生、積極承擔(dān)科研任務(wù)，熱愛社會主義祖國、胸襟坦蕩、淡泊名利和治學(xué)嚴(yán)謹?shù)木耧L(fēng)貌，潛移默化地影響著、教育著周圍的人們。高鼎三育人的主張在吉林大學(xué)創(chuàng)建發(fā)展半導(dǎo)體系之中得到體現(xiàn)，確立并力行“理工結(jié)合、物理化學(xué)結(jié)合”和“與工業(yè)生產(chǎn)結(jié)合”的辦學(xué)方針。在這一方針指導(dǎo)下，半導(dǎo)體系（后改為電子工程系）為高等院校、科研單位及工廠培養(yǎng)了大量人才，也為僅由理科專業(yè)構(gòu)成的半導(dǎo)體系演變成理科專業(yè)和工科專業(yè)相結(jié)合的電子工程系奠定了基礎(chǔ)。建系當(dāng)初只有兩個專業(yè)和一個研究室的吉林大學(xué)半導(dǎo)體系如今已發(fā)展成為由五個專業(yè)構(gòu)成的系、一個研究所及一個國家聯(lián)合重點實驗室吉林大學(xué)實驗區(qū)組成的教學(xué)和科研緊密結(jié)合的聯(lián)合體。被選為工程院院士的高鼎三，精神更加振奮，現(xiàn)正在運籌電子工程系和集成光電子學(xué)國家重點實驗室向更高目標(biāo)的攀登。他表示要在有生之年為祖國半導(dǎo)體事業(yè)的更加興旺貢獻全部力量。
社會任職
在1948～1955年期間，身處異國的高鼎三時時關(guān)心祖國的命運，他參加了進步組織“留美科協(xié)”并被推選為海灣地區(qū)候補副理事長，還擔(dān)任加州大學(xué)洛杉磯分校中國留學(xué)生學(xué)生會副主席。
高鼎三曾經(jīng)擔(dān)任過由清華大學(xué)、吉林大學(xué)和中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合組建的“集成光電子學(xué)國家重點實驗室”首屆學(xué)術(shù)委員會主任（1990～1993），中國電工學(xué)會理事，全國電工技術(shù)學(xué)會電力電子學(xué)會理事及中國電子學(xué)會半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會委員，國家科委光通信專業(yè)組顧問及長春市物理學(xué)會副理事長，吉林省電子學(xué)會副理事長等學(xué)術(shù)職務(wù)。
人才培養(yǎng)
編寫教材
1961年高鼎三主持編寫了《晶體管原理講義》，是國內(nèi)該領(lǐng)域的開山之作，曾被許多高等院校、研究所和工廠視為頗具權(quán)威性的教材加以采用。
教授課程
高鼎三為本科生講授《晶體管原理》《半導(dǎo)體物理》等專業(yè)課程和為研究生開設(shè)《光電子學(xué)》《半導(dǎo)體激光器》等學(xué)位課。
院系建設(shè)
1959年在物理系半導(dǎo)體專門化的基礎(chǔ)上高鼎三領(lǐng)導(dǎo)創(chuàng)建了當(dāng)時國內(nèi)第一個半導(dǎo)體系（后更名為電子工程系、電子科學(xué)與工程學(xué)院），擔(dān)任系主任。1959年他向有關(guān)主管部門提出創(chuàng)辦長春半導(dǎo)體廠及中國科學(xué)院吉林分院半導(dǎo)體研究所（后改為東北物理所）的建議，并參與籌建。
指導(dǎo)學(xué)生
高鼎三培養(yǎng)碩士、博士生、博士后50余名。
寄語學(xué)生
國富民強根本在于科技進步，科技興國根本在于首創(chuàng)性，創(chuàng)新，并且善于把科技成果迅速變成產(chǎn)業(yè)，在國際市場上有較大的競爭力。我國人力資源豐富，但人才資源則有待青年一代人的努力。
個人生活
高鼎三的祖父高懋升是宜興丁山丁南村人，早年間在上海市開設(shè)福康缸盆店來謀生，高鼎三的父親高德榮出生于上海。母親是曹毓瑛，祖籍也是宜興市。
人物評價
高鼎三是中國半導(dǎo)體事業(yè)的開拓者，并組建了吉林大學(xué)“集成光電子國家重點實驗室”，為中國光電器件和半導(dǎo)體激光器發(fā)展傾注了畢生精力，并培養(yǎng)了一大批專業(yè)人才。
后世紀(jì)念
高鼎三獎學(xué)金是由吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院的院友在建院六十周年之際捐資設(shè)立，旨在獎勵在學(xué)業(yè)、科研創(chuàng)新、社會服務(wù)等方面取得優(yōu)異成績的本科生。
參考資料 >
吉林大學(xué)物理系創(chuàng)始人—高鼎三.吉林大學(xué)吉大物理學(xué)院院慶網(wǎng).2024-08-20
高鼎三.中國工程院.2024-08-26
關(guān)于電子科學(xué)與工程學(xué)院高鼎三獎學(xué)金評選的通知.吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院.2024-08-20