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來源：互聯網

胡正明，1947年7月出生于中國北京。美籍華人。微電子學家。美國工程科學院院士、中國科學院外籍院士。曾任加利福尼亞大學伯克利分校教授。

1973年，胡正明受聘于麻省理工學院電機及計算機系任教授，1976年回到母校美國加州大學伯克利分校任教授。之后，胡正明分別于1989年和1991年任舊金山東灣中文學校董事長和清華大學（北京）微電子學研究所榮譽教授。1999年，胡正明開發了鰭式場效應晶體管（FinFET），被稱為“3D晶體管之父”。2001年，胡正明任臺灣積體電路制造股份有限公司CTO，并于三年后，重返加利福尼亞大學伯克利分校任首席教授，同年被臺灣“中央研究院”選為第二十五屆數理組院士，成為半導體領域的第一位院士。2013年10月29日，胡正明被北京大學微納電子學研究院評為國際顧問委員會主任。胡正明主要從事微電子微型化物理及可靠性物理研究。截至2020年3月，胡正明出版學術專著五本，發表900余篇研究論文，擁有100多項美國專利。

胡正明曾于1998年獲得美國科學學會Monie Ferst Award獎，次年獲得潘文淵基金會杰出研究獎。2015年獲得美國國家技術和創新獎，2020年獲得IEEE榮譽獎章。

人物經歷

早期經歷

胡正明，1947年7月出生于中國北京的一個教師家庭。祖籍江蘇省金壇區城西馬干村。他于1968年獲得國立臺灣大學電機工程學學士，又分別于1970年和1973年獲得加利福尼亞大學伯克利分校電機及計算機碩士學位和博士學位。

工作經歷

1973年，胡正明受聘于麻省理工學院電機及計算機系任教授，1976年回到母校美國加州大學伯克利分校任教授。

1985年，應嚴東生院士邀請，胡正明等三位美國科學家提出了發展中國微電子科學技術的戰略性的重要咨詢建議。之后，他分別于1989年和1991年任舊金山東灣中文學校董事長和清華大學（北京）微電子學研究所榮譽教授。

1995年，胡正明任Celestry 設計 Technologies，Inc創辦人兼董事長。兩年后，他當選為美國國家工程院院士和國際電機電子工程師學會高級會員（IEEE）。

1999年，胡正明開發了鰭式場效應晶體管（FinFET），也因此胡正明被稱為“3D晶體管之父”。其后，美國英特爾率先采用了這一技術。這項發明被看做是50多年來半導體技術的重大轉變。

2001年，胡正明任臺灣積體電路制造股份有限公司CTO。三年后，胡正明重返加利福尼亞大學伯克利分校任首席教授，繼續從事科學理論研究。同年被臺灣“中央研究院”選為第二十五屆數理組院士，成為半導體領域的第一位院士。

2013年10月29日，胡正明被北京大學微納電子學研究院評為國際顧問委員會主任，其后在北京大學信息技術與信息化名家講壇上做了一場題為“鰭式場效應晶體管——大學創新引領半導體行業”（ FinFET--A University Innovation Takes over the Semiconductor World）的學術報告。11月10日下午，他應廣西師范大學電子工程學院邀請，在育才校區理科綜合樓101會議室作了題為“FinFET—a University Innovation Takes Over the 半導體 World”的學術報告。次年3月，他入選第四冊《院士中的常州人》。

2015年12月22日，美國白宮公布了美國最高科技獎項獲得者名單，胡正明獲得國家技術和創新獎。次年5月19日，胡正明獲國家科學獎章，時任總統巴拉克·奧巴馬在白宮親自頒獎。

2018年5月17日，合肥集成電路科技館舉辦開業典禮儀式暨胡正明院士報告會，胡正明在講座中詳細講述了自己帶領團隊發明FinFet的經歷，并指出了基于FinFet結構更新的半導體工藝結構，以及其發展空間。

2020年，胡正明獲IEEE榮譽獎章，以表彰他在半導體模型開發和應用方面做出的杰出貢獻，特別是發明了使摩爾定律得以延續數十年的 3D 結構器件（FinFETs）。

社會任職

科學研究

研究方向

胡正明主要從事微電子微型化物理及可靠性物理研究。

主要成就

截至2020年3月，胡正明出版學術專著五本，發表900余篇研究論文，擁有100多項美國專利。

胡正明領導研究出BSIM，從實際MOSFET晶體管的復雜物理推演出數學模型，該數學模型于1997年被國際上38家大公司參與的晶體管模型理事會選為設計芯片的第一個且唯一的國際標準；發明了在國際上極受注目的FinFET等多種新結構器件。胡正明在微電子器件可靠性物理領域，首先提出熱電子失效的物理機制，開發出用碰撞電離電流快速預測器件壽命的方法，并且提出薄氧化層失效的物理機制和用高電壓快速預測薄氧化層壽命的方法。胡正明首創了在器件可靠性物理的基礎上的IC可靠性的計算機數值模擬工具。

人才培養

教育理念

科研工作者的創新應以社會需求為指引，提出更好的解決途徑，以服務于可用于實際生產生活的產品。青年學生在科研領域要充滿信心與熱情，要敢于發現并嘗試，要勇于探索和追求。

創新人才的培育，更精確地說，應該是培養能夠解決問題的人才，所需具備的特質包括：喜歡解決問題、愿意學取新知、愿意努力工作，以及對自己有信心等，這些都是讓自己成為“解決問題者”的關鍵因素。

年輕人最重要的就是要有自信。別人真心稱贊時，要欣然接受；別人的贊美似乎不太誠懇時，也要強迫自己相信；當沒有別人贊賞時，也要肯定自己。

學術交流

1981年后，胡正明多次回中國，與電子科技大學、中國科學院微電子研究所、北京大學、清華大學、復旦大學、浙江大學等校進行合作研究并作學術講座，并協助推動在中國召開國際會議。

研究生獎學金

1990年，胡正明在北大與清華設置5名研究生獎學金，鼓勵中國留學生回中國發展半導體工業。

胡氏獎助金

1997年4月，胡正明第一次隨父親胡素鴻回金壇區探親，并與父親胡素鴻先生、弟弟胡正大在常州市金壇第一中學設立胡氏獎助基金，獎勵品學兼優、家境較差而有志升大學者。2005年4月，胡正明在參加該校“胡素鴻銅像揭幕儀式”時，又捐資2.5萬美元，使“胡氏獎助金”基金達100多萬元人民幣。2008年8月，胡博士應邀參加北京奧運會開幕式盛典，期間，攜夫人和兒子到金壇市第一中學主持第11屆胡氏獎助金頒發儀式，并再次捐贈胡氏獎助金1萬美金。胡正明表示：“我父親說得好，吾輩久居海外，心系故土，理當為家鄉教育奉獻綿薄之力。”截至2018年8月24日，“胡氏獎助金”累計發放22屆，共370名品學兼優的學生受助。