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來源：互聯(lián)網(wǎng)

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所（以下簡(jiǎn)稱“微電子所”）所屬機(jī)構(gòu)為中國(guó)科學(xué)院，位于北京市，成立于1958年，是中國(guó)微電子科學(xué)技術(shù)與集成電路領(lǐng)域的重要研發(fā)機(jī)構(gòu)。?2022年，微電子所獲省部級(jí)及社會(huì)力量獎(jiǎng)項(xiàng)9項(xiàng)。微電子所在半導(dǎo)體器件與集成電路制造、集成電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用、集成電路裝備等領(lǐng)域展開科研工作，具備從原理器件、集成工藝、制造裝備到核心芯片開發(fā)的全鏈條、體系化科技創(chuàng)新與關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)能力。

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所前身為原中國(guó)科學(xué)院109廠，成立于1958年。1970年8月，109廠共完成8臺(tái)156計(jì)算機(jī)所需的混合單塊集成電路3萬余塊及晶體管芯片4萬余個(gè)。至此，中國(guó)從晶體管計(jì)算機(jī)時(shí)代進(jìn)入單塊集成電路計(jì)算機(jī)時(shí)代。1986年，109廠與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所有關(guān)研制大規(guī)模集成電路部分單位合并，成立中國(guó)科學(xué)院微電子中心。　1995年自主開發(fā)成功中國(guó)國(guó)內(nèi)首個(gè)0.8微米成套工藝，“0.8微米集成電路制造技術(shù)”入選當(dāng)年“中國(guó)國(guó)內(nèi)電子科技十大新聞”。2003年9月，正式更名為中國(guó)科學(xué)院微電子研究所。2011年，微電子所研制成為中國(guó)國(guó)內(nèi)第一個(gè)低溫可充氣真空輻射系統(tǒng)。2018年10月，被評(píng)為全國(guó)中小學(xué)生研學(xué)實(shí)踐教育基地。

微電子所在半導(dǎo)體器件與集成電路制造、集成電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用、集成電路裝備等領(lǐng)域展開科研工作，設(shè)有13個(gè)研發(fā)單元。?微電子所2024年在職職工1千余人，其中包括中國(guó)科學(xué)院院士2人、高級(jí)專業(yè)技術(shù)人員480余人。?微電子所是國(guó)務(wù)院學(xué)位委員會(huì)批準(zhǔn)的博士、碩士學(xué)位授予權(quán)單位之一，是中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院主承辦單位，現(xiàn)設(shè)有集成電路科學(xué)與工程、電子科學(xué)與技術(shù)、光學(xué)工程三個(gè)一級(jí)學(xué)科。共有在學(xué)研究生1600余人，在站博士后44人。截至2021年4月，微電子所設(shè)有1個(gè)博士后流動(dòng)站，2個(gè)一級(jí)學(xué)科博士培養(yǎng)點(diǎn)，3個(gè)碩士培養(yǎng)點(diǎn)，1個(gè)工程碩士培養(yǎng)點(diǎn)。?

歷史沿革

1958年8月，為研制高技術(shù)專用109計(jì)算機(jī)，中國(guó)第一個(gè)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠成立，命名為“109廠”，作為高技術(shù)半導(dǎo)體器件和集成電路研制生產(chǎn)中試廠，歸屬中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理所。廠址位于北京市東城區(qū)大取燈胡同3號(hào)。

1960年10月，109廠為研制109乙型計(jì)算機(jī)提供了12個(gè)品種、14.5萬多只鍺晶體管，完成了該機(jī)所需的器件生產(chǎn)任務(wù)。1961年11月，109廠廠址遷至北京市德勝門外祁家豁子2號(hào)樓。次年朝鮮科學(xué)院派人到109廠學(xué)習(xí)，有效地推進(jìn)了本國(guó)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

1963年中科院半導(dǎo)體研究所由王守覺先生領(lǐng)導(dǎo)的器件室研制成功硅平面型晶體管，109廠及時(shí)選派人員前往學(xué)習(xí)并迅速投入生產(chǎn)，為109丙機(jī)及其它高技術(shù)任務(wù)試制生產(chǎn)硅平面型器件。

1965年朝鮮科學(xué)院再次派人到109廠學(xué)習(xí)。8月，109廠與156工程處（后為771研究所）、半導(dǎo)體研究所合作，承擔(dān)了156計(jì)算機(jī)的專用混合單片集成電路及晶體管芯片的試制生產(chǎn)。次年，109廠與上海光學(xué)儀器廠協(xié)作，研制成功中國(guó)第一臺(tái)65型接觸式光刻機(jī)，由上海無線電專用設(shè)備廠進(jìn)行生產(chǎn)并向全國(guó)推廣。109廠和上海無線電22廠合作，在國(guó)內(nèi)首先研制成功超聲波鋁絲壓焊機(jī)，由上海無線電22廠抽調(diào)人員建立上海超聲波儀器廠，主要生產(chǎn)超聲波壓焊機(jī)，供應(yīng)全國(guó)。

1969年，109廠與丹東精密儀器廠協(xié)作，研制成功全自動(dòng)步進(jìn)重復(fù)照相機(jī)，套刻精度達(dá)3微米，后由北京700廠批量生產(chǎn)，供應(yīng)全國(guó)使用。次年，109廠研制開發(fā)成功系列抗飽和STTL—E高速數(shù)字邏輯中小規(guī)模集成電路，共16個(gè)品種、75萬塊，用于“遠(yuǎn)望”號(hào)遠(yuǎn)洋跟蹤測(cè)量船中心控制151機(jī)。

1971年，109廠研制開發(fā)成功系列低功耗TTL—F數(shù)字邏輯集成電路，提供給地面站使用。1973年，109廠與北京建筑材料設(shè)計(jì)院、安徽蚌埠凈化設(shè)備廠聯(lián)合研制成功一套（共12種）潔凈度達(dá)100級(jí)的局部空氣凈化臺(tái)。該設(shè)備1974年投入使用。這是我國(guó)第一臺(tái)用于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的專用凈化設(shè)備。1975年，109廠與中科院計(jì)算技術(shù)研究所合作，研制生產(chǎn)中國(guó)第一臺(tái)集成電路百萬次計(jì)算機(jī)（1025機(jī)，后命名為013機(jī)）所用的主要集成電路。013機(jī)的研制成功，迫使西方國(guó)家放寬了向中國(guó)出口百萬次計(jì)算機(jī)的限制。1979年，109廠自主設(shè)計(jì)研制成功4K位MOSDRAM，平均成品率達(dá)28％。　

1982年9月，“151電子計(jì)算機(jī)雙抗復(fù)合系統(tǒng)”獲國(guó)家科學(xué)技術(shù)委員會(huì)國(guó)家科學(xué)技術(shù)工作一等獎(jiǎng)。10月，“KHA75-1型半自動(dòng)接近接觸式光刻機(jī)”獲第一機(jī)械工業(yè)部科技工作一等獎(jiǎng)。109廠設(shè)計(jì)研制成功64K位MOSDRAM。

1985年，109廠基本完成21000㎡超凈化廠房擴(kuò)建工程，成為當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)面積最大、條件最好、技術(shù)最先進(jìn)的半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)廠房。3月，“大規(guī)模集成電路制造及測(cè)試設(shè)備”獲機(jī)械工業(yè)部嘉獎(jiǎng)。12月，經(jīng)中科院決定，并報(bào)國(guó)家科委批復(fù)，109廠與半導(dǎo)體所、計(jì)算所有關(guān)研制大規(guī)模集成電路部分合并，成立中國(guó)科學(xué)院微電子中心，總規(guī)模為1140人。　　

1986年，109廠與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所有關(guān)研制大規(guī)模集成電路部分單位合并，成立中國(guó)科學(xué)院微電子中心。

1991年，國(guó)務(wù)院學(xué)位委員會(huì)批準(zhǔn)微電子中心“半導(dǎo)體器件與微電子學(xué)”專業(yè)的碩士學(xué)位授予權(quán)。使研究生教育培養(yǎng)工作進(jìn)入獨(dú)立招生階段。次年10月，“大電流功率VDMOS場(chǎng)效應(yīng)器件KWP50N05 KWH50N05”、 “觸摸開關(guān)TC9135”分獲1992年度國(guó)家級(jí)新產(chǎn)品證書。

1995年，該所自主開發(fā)成功國(guó)內(nèi)首個(gè)0.8微米成套工藝，進(jìn)行0.5微米基礎(chǔ)工藝預(yù)研。“0.8微米集成電路制造技術(shù)”入選當(dāng)年“國(guó)內(nèi)電子科技十大新聞”。

2003年10月16日，經(jīng)中科院研究決定并上報(bào)中央編制委員會(huì)批準(zhǔn)，微電子中心更名為“中國(guó)科學(xué)院微電子研究所”。微電子所開發(fā)成功中國(guó)首款運(yùn)算能力突破每秒10億次乘累加大關(guān)的高性能、低功耗DSP芯片。次年9月9日，預(yù)算投資9686萬元、建筑面積2.5萬平方米、占地3587平方米的綜合科研樓正式開工。綜合科研樓于2006年8月14日竣工，2006年9月3日投入使用。該項(xiàng)目獲得2004年度北京市建筑（結(jié)構(gòu)）長(zhǎng)城杯金質(zhì)獎(jiǎng)工程。2006年6月，微電子所進(jìn)行戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型和重大調(diào)整，重新進(jìn)行學(xué)科布局，確定的戰(zhàn)略方向與重點(diǎn)項(xiàng)目為：核心電子器件產(chǎn)品與技術(shù)、高端通用芯片產(chǎn)品與技術(shù)、面向產(chǎn)業(yè)的公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)、集成電路核心技術(shù)、納電子基礎(chǔ)前沿研究等。

2007年12月21日，微電子所研制成功國(guó)內(nèi)首款CMOS GPS套片“航芯”1號(hào)、2號(hào)、CMMB手持數(shù)字電視接收前端及解碼芯片、具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的IPTV的多媒體解碼芯片、基于中芯國(guó)際集成電路制造有限公司12英寸生產(chǎn)線的IC設(shè)計(jì)支撐技術(shù)“片上抗靜電（ESD）保護(hù)電路”。

2009年，該研究所EDA中心順利為中科院中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所完成了科技部國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃重大項(xiàng)目支持的“曙光5000A高效能計(jì)算機(jī)”互連交換ASIC芯片D5K Switch開發(fā)的1053Pin FCBGA封裝，該芯片順利通過測(cè)試。由EDA中心的參與科技部863目標(biāo)導(dǎo)向項(xiàng)目“無線傳感網(wǎng)節(jié)點(diǎn)芯片”完成了節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)和組網(wǎng)調(diào)試，已完成節(jié)點(diǎn)的全功能測(cè)試，各項(xiàng)功能和芯片功耗等性能指標(biāo)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，并完成現(xiàn)場(chǎng)大規(guī)模組網(wǎng)調(diào)試。

2010年10月8日微電子所路甬祥院長(zhǎng)主持召開中科院院長(zhǎng)辦公會(huì)，正式批準(zhǔn)成立“中國(guó)科學(xué)院物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心”，納入“中科院創(chuàng)新2020”建設(shè)規(guī)劃，作為全院“戰(zhàn)略高技術(shù)中心”之一給予重點(diǎn)支持，依托單位微電子所。

2012年，微電子所與天津市塘沽海洋高新區(qū)、秦皇島市康泰醫(yī)學(xué)、江陰長(zhǎng)電、威海北洋電氣等企業(yè)簽訂合作協(xié)議，以建立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室、技術(shù)聯(lián)合研發(fā)等方式促進(jìn)地方科技建設(shè)，加強(qiáng)與產(chǎn)業(yè)界的合作，已簽訂合作協(xié)議15個(gè)，橫向經(jīng)費(fèi)近6000萬元。2012年，科技部批準(zhǔn)微電子所為第四批國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移示范機(jī)構(gòu)。

2013年，微電子所再次承辦國(guó)際學(xué)術(shù)競(jìng)賽并獲得組委會(huì)一致好評(píng)，獲邀繼續(xù)承辦2014年競(jìng)賽。建立佛山分中心、南京分中心，推動(dòng)地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展。經(jīng)過十年建設(shè)，EDA中心經(jīng)歷了從中科院資源共享平臺(tái)—共性技術(shù)服務(wù)—共性技術(shù)創(chuàng)新三個(gè)階段和層次的發(fā)展歷程，已經(jīng)提升為國(guó)家級(jí)行業(yè)共性技術(shù)服務(wù)創(chuàng)新平臺(tái)。?

2014年起，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所將每年舉辦一次“中國(guó)科學(xué)院微電子研究所科技開放日”活動(dòng)，面向全鏈智能企業(yè)和院校開放。

2016年，中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心（以下簡(jiǎn)稱“先導(dǎo)中心”）團(tuán)隊(duì)提出并設(shè)計(jì)了一種“三明治”結(jié)構(gòu)的垂直場(chǎng)效應(yīng)管(vertical sandwich GAA-FETs，簡(jiǎn)稱VSAFETs，下同)，

2019年，微電子所發(fā)表了首個(gè)具有自對(duì)準(zhǔn)柵極的VSAFET*；2020年，報(bào)道了鍺硅準(zhǔn)原子層刻蝕法(qALE，下同)的研究成果，具有各向同性、對(duì)硅選擇性等特點(diǎn)。原子層刻蝕法是一種以過氧化氫(H202)和緩沖氧化物刻蝕劑(BOEs)分別作為氧化劑和氧化物去除劑的濕法化學(xué)刻蝕工藝。SiGe的qALE具有操作簡(jiǎn)單、成本低的優(yōu)點(diǎn)，適用于集成電路制造。?同年12月，入選“第三批雙創(chuàng)示范基地”。

2022年微電子所邀請(qǐng)20余名外國(guó)專家在線進(jìn)行技術(shù)交流，所內(nèi)職工70余人在線參加各類國(guó)際會(huì)議。作為中科院曼谷創(chuàng)新合作中心理事單位，積極參與中泰東盟創(chuàng)新港展示項(xiàng)目，助推研究所先進(jìn)適用技術(shù)及成果落地泰國(guó)。成功組織了第六屆國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)（IWAPS）和第23屆封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議。

科研條件

人員規(guī)模

截至2022年底，微電子所共有在職職工1054人。其中科技人員626人、科技支撐人員256人，包括中國(guó)科學(xué)院院士2人、發(fā)展中國(guó)家科學(xué)院院士1人、國(guó)際歐亞科學(xué)院院士2人、研究員及正高級(jí)工程技術(shù)人員159人、副研究員及高級(jí)工程技術(shù)人員355人。共有在學(xué)研究生1688名，其中微電子所1115名，集成電路學(xué)院453名，聯(lián)合培養(yǎng)研究生120名。

科研資源

微電子所擁有可以提供科研資源的圖書館以及眾多網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)庫包括：大英百科全書數(shù)據(jù)庫、wiley電子圖書數(shù)據(jù)庫-CSDL訂購為全院開通、中國(guó)科學(xué)院學(xué)位論文數(shù)據(jù)庫、PNAS、Wiley-Blackwell、ACS(American Chemical Society)、Science、Elsevier-SD、IEEE中文網(wǎng)站、（IEL）IEEE/IEE Electronic library、（AIP）AIP Journals、（APS）APS Journals、(ACM) ACM Digital Library、(IOP) IoP Electronic Journals、(Nature回溯) Nature回溯數(shù)據(jù)庫、(Nature)Nature+NSJ、Science Online、(Elsevier)Elsevier ScienceDirect、(Ei) Ei Engineering Village 2、CNKI科技類博碩士學(xué)位論文數(shù)據(jù)庫。

科研設(shè)備

為了加強(qiáng)技術(shù)支撐系統(tǒng)建設(shè)，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所在2009年籌建并成立了了中國(guó)科學(xué)院微電子所公共技術(shù)服務(wù)中心。據(jù)2024年研究所官網(wǎng)顯示，該研究所共開放各類大型設(shè)備共計(jì)184臺(tái)，價(jià)值共計(jì)59064026.58元。

科研部門

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所擁有2個(gè)基礎(chǔ)研究類中國(guó)科學(xué)院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、硅器件技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室），6個(gè)行業(yè)服務(wù)類研發(fā)中心（中國(guó)科學(xué)院EDA中心、集成電路先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心、系統(tǒng)封裝與集成研發(fā)中心、中科新芯三維存儲(chǔ)器研發(fā)中心、電磁信息智能應(yīng)用研究中心、光刻技術(shù)總體部），6個(gè)行業(yè)應(yīng)用類研發(fā)中心（通信與信息工程研發(fā)中心、新能源汽車電子研發(fā)中心、健康電子研發(fā)中心、智能感知研發(fā)中心、智能制造電子研發(fā)中心、智能電子系統(tǒng)研發(fā)中心），4個(gè)核心產(chǎn)品類研發(fā)中心（硅器件與集成研發(fā)中心、高頻高壓器件與集成研發(fā)中心、微電子儀器設(shè)備研發(fā)中心、光電技術(shù)研發(fā)中心）。

合作交流

對(duì)外投資及管理

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所與行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)和龍頭企業(yè)合作，通過建立聯(lián)合研發(fā)平臺(tái)、技術(shù)入股等方式形成了多個(gè)技術(shù)轉(zhuǎn)移平臺(tái)；與地方政府合作，建立了多個(gè)地方技術(shù)轉(zhuǎn)移平臺(tái)；與多家金融機(jī)構(gòu)建立戰(zhàn)略合作共同發(fā)起了數(shù)支產(chǎn)業(yè)投資基金。對(duì)外投資及管理的主要工作：主要負(fù)責(zé)研究所（資產(chǎn)公司）對(duì)外投資及參控股企業(yè)管理，探索符合市場(chǎng)規(guī)律的重點(diǎn)企業(yè)資源/業(yè)務(wù)整合。

知識(shí)產(chǎn)權(quán)運(yùn)營(yíng)

為了面向全產(chǎn)業(yè)進(jìn)行服務(wù)，更好地推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作，微電子所聯(lián)合合作股東中科院物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心和華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司共同發(fā)起設(shè)立北京中科微知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)有限公司，打造獨(dú)立的、市場(chǎng)化的專業(yè)運(yùn)營(yíng)服務(wù)機(jī)構(gòu)。北京中科微知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)有限公司作為三方股東從事集成電路、智能傳感、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域內(nèi)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)交易、收儲(chǔ)、運(yùn)營(yíng)、投資及服務(wù)，實(shí)現(xiàn)專利運(yùn)營(yíng)與技術(shù)研發(fā)。

基金工作

基金工作主要是結(jié)合研究所實(shí)際和產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，探索創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈和金融鏈結(jié)合的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展模式，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)資源、資本和市場(chǎng)資源等與科研的結(jié)合，盤活微電子所科研成果，進(jìn)一步推動(dòng)成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，產(chǎn)業(yè)化中心代表微電子所主導(dǎo)和參與了多支私募股權(quán)投資基金的運(yùn)營(yíng)。基金投資理念以支持科研項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化和早期企業(yè)快速發(fā)展為主，投資標(biāo)的主要為天使輪或A輪階段的集成電路、物聯(lián)網(wǎng)、智能傳感器領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)企業(yè)。

科研成就

科研成果

2008年-2022年，微電子所共有在研項(xiàng)目5461項(xiàng)，項(xiàng)目類型包括國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃（973）項(xiàng)目（或課題），國(guó)家科技重大專項(xiàng)課題、中國(guó)高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃（863）項(xiàng)目（或課題）；國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目，“杰出青年基金”項(xiàng)目，中國(guó)科學(xué)院知識(shí)創(chuàng)新工程重要方向項(xiàng)目，國(guó)際合作項(xiàng)目，地方政府合作項(xiàng)目等等。

2008年-2022年共發(fā)表論文4814篇，其中SCI論文2252篇，EI論文1036篇。申請(qǐng)專利7765項(xiàng)，授權(quán)專利4420項(xiàng)，登記軟件著作權(quán)88項(xiàng)，集成電路設(shè)計(jì)布圖53項(xiàng)，注冊(cè)商標(biāo)5項(xiàng)，出版專/譯著49部。專利轉(zhuǎn)讓333項(xiàng)，合同金額2億元。

參考資料

2022年6月消息，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所劉明院士團(tuán)隊(duì)和復(fù)旦大學(xué)教授劉琦團(tuán)隊(duì)共同研發(fā)了一種結(jié)構(gòu)緊湊的多模態(tài)融合感知脈沖神經(jīng)元(MFSN)陣列，并將其與脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(SNN)結(jié)合，構(gòu)建了一種人工多模態(tài)感知系統(tǒng)。該成果使構(gòu)建高效的多模態(tài)脈沖感知系統(tǒng)成為可能，為發(fā)展高智能機(jī)器人技術(shù)提供了新思路，并發(fā)表在國(guó)際材料領(lǐng)域期刊《先進(jìn)材料》(Advanced Materials)上。

電子期刊

《芯天地》是一本創(chuàng)刊于2007年中國(guó)科學(xué)院微電子研究所主辦的電子期刊，主要刊載在該所官網(wǎng)，內(nèi)容主要是中國(guó)科學(xué)院微電子研究所工作簡(jiǎn)況，包括該所近期科研進(jìn)展、發(fā)表論文、研究成果等。

人才培養(yǎng)

學(xué)科建設(shè)

微電子所是中國(guó)國(guó)務(wù)院學(xué)位委員會(huì)批準(zhǔn)的博士學(xué)位（1996年5月獲批）、碩士學(xué)位（1990年11月獲批）授予權(quán)單位之一，現(xiàn)設(shè)有集成電路科學(xué)與工程、電子科學(xué)與技術(shù)、光學(xué)工程三個(gè)一級(jí)學(xué)科，及“電子信息”專業(yè)學(xué)位類別學(xué)位授權(quán)點(diǎn)。其中電子科學(xué)與技術(shù)下設(shè)“微電子學(xué)與固體電子學(xué)”（2011年獲批中國(guó)科學(xué)院重點(diǎn)學(xué)科）、“電路與系統(tǒng)”兩個(gè)二級(jí)學(xué)科；設(shè)有碩士、博士研究生培養(yǎng)點(diǎn)和“電子科學(xué)與技術(shù)”一級(jí)學(xué)科博士后流動(dòng)站。

教學(xué)建設(shè)

　微電子所共有學(xué)術(shù)型碩士招生專業(yè)4個(gè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)（080903）、電路與系統(tǒng)（080902）、光學(xué)工程（080300）、集成電路科學(xué)與工程（140100）；專業(yè)學(xué)位碩士招生領(lǐng)域3個(gè)：新一代電子信息技術(shù)（085401）、集成電路工程（085403）、光電信息工程（085408）。2023年錄取碩士研究生136人，微電子研究所2024年春季錄取博士研究生56人，

文化傳統(tǒng)

所標(biāo)

標(biāo)識(shí)以菱形為主體，充分體現(xiàn)出研究所團(tuán)隊(duì)的嚴(yán)謹(jǐn)與理性。同時(shí)相疊的菱形代表了微電子產(chǎn)品，向右形成的兩個(gè)充滿力量的箭頭，表明了研究所在微電子領(lǐng)域中勇于探索、不斷鉆研與開拓的精神。箭頭向細(xì)變化，表現(xiàn)了產(chǎn)品向著更細(xì)、更精發(fā)展的物理特點(diǎn)。標(biāo)志中心快速運(yùn)動(dòng)的線條，是微電子技術(shù)飛速發(fā)展的寫照，表現(xiàn)出中心要在不斷發(fā)展中開拓創(chuàng)新的精神。

所訓(xùn)

惟精惟一

求實(shí)求新

行政管理

歷任領(lǐng)導(dǎo)

現(xiàn)任領(lǐng)導(dǎo)

時(shí)間2024年1月

所長(zhǎng)、黨委書記：戴博偉

黨委副書記、紀(jì)委書記：謝光鋒

副所長(zhǎng)：曹立強(qiáng)副所長(zhǎng)：李

副所長(zhǎng)：羅軍

參考資料

榮譽(yù)獲獎(jiǎng)

1958年~1986年

在此階段，微電子所（中國(guó)科學(xué)院109廠階段）共獲得各級(jí)榮譽(yù)獎(jiǎng)項(xiàng)：包括國(guó)家計(jì)委科技攻關(guān)成績(jī)顯著表彰、中國(guó)科學(xué)院“六五”科技攻關(guān)重要貢獻(xiàn)、全國(guó)科學(xué)大會(huì)供八項(xiàng)表彰；中國(guó)科學(xué)院重大科技成果獎(jiǎng)、國(guó)家科技技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)和機(jī)械工業(yè)部授予的各類獎(jiǎng)項(xiàng)共9項(xiàng)。

1989年~2001年

在此階段，微電子所（微電子中心階段）共獲得各類榮譽(yù)獎(jiǎng)項(xiàng)：包括科學(xué)技術(shù)部“九五”攻關(guān)優(yōu)秀成果獎(jiǎng)、電子工業(yè)部國(guó)家“八五”科技攻關(guān)重大成果獎(jiǎng)、電子部93年電子十大科技成果獎(jiǎng)等各類獎(jiǎng)項(xiàng)共7項(xiàng)。1997年因?yàn)椤坝|摸開關(guān)集成電路KW9135P”獲得國(guó)家科委科技成果證書。1989年，因?yàn)?-1.5微米成套工藝開發(fā)及相應(yīng)水平大規(guī)模集成電路的研究，獲得國(guó)家計(jì)委“七五”國(guó)家重點(diǎn)科技攻關(guān)專題優(yōu)異成績(jī)表彰。