韓秀峰，男，1962年生，先任中科院物理研究所碩士生導師。
簡介
年畢業于蘭州大學物理系獲學士，1990和1993年在吉林大學獲理學碩士和博士學位。1994-1996年在中國科學院星物理所博士后。1998年巴西物理研究中心訪問學者，1999至2000年東北大學日本學術振興會海外特別研究員。2000年12月入選中科院“百人計劃”。2001年美國新奧爾良大學和愛爾蘭都柏林大學都柏林圣三一大學研究員。2002年至今為物理所研究員、博士生導師、課題組長。2003年獲國家基金委杰出青年基金資助。美國JAP、APL、J. Nanosci. and Nanotech. 及Microelectronics J.等雜志邀請審稿人。目前負責正在執行的國家自然科學基金項目一項、NSFC-JSPS中日國際合作交流基金一項、中愛國際合作重大研究基金一項；在科技部973項目《自旋電子學材料、物理及器件》中負責第一子課題《磁性隧道結材料、物理及器件》的研究工作。
研究方向及成績
自旋電子學的材料、物理及器件原理研究。
過去的主要工作及獲得的成果：主要從事納米磁性薄膜、磁性隧道結材料、新型稀土永磁以及磁各向異性理論和自旋電子輸運性質的研究工作。在SCI收錄的國際學術雜志上發表論文80余篇，其中有60余篇論文同時也被EI收錄。有關新相化合物R3（Fe，T）29及其永磁體的研究工作獲1997年東京第四屆國際材料大會（IUMRS）優秀青年學者獎。2000年1月在日本東北大學用CoFe合金制備出當時國際最高記錄的室溫磁電阻比值為50%、4.2K為70%的磁隧穿電阻結，這種磁隧穿電阻結是制備磁動態隨機存儲器（MRAM）的較佳材料。通過引入各向異性的自旋波波長截止能量ECγ，改進了一種隧穿電子自旋極化輸運理論。這些研究工作對研制用于計算機的新一代磁動態隨機存儲器和磁頭及其它磁敏感器件等具有重要的實驗和理論價值。2003年12月他和研究生及合作者在非晶Co-Fe-B/Al-O/Co-Fe-B磁性隧道結和半金屬La-Sr-錳O復合磁性隧道結研究方面獲得了4.2K隧穿磁電阻分別超過100%和3000%的重要進展，從隧道結器件層次上印證了非晶合金Co-Fe-B的高自旋極化率和La-Sr-Mn-O半金屬性質的可利用性。2003年提交專利申請10項。
目研究課題及展望
1.磁性隧道結和隧穿磁電阻（TMR）效應及磁隨機存儲器（MRAM）器件原理的研究；
2.基于自旋閥和磁性隧道結的磁電阻材料及其磁敏傳感器的研究；
3.高密度垂直磁記錄介質材料的制備及其磁性質研究；
4.納米約束磁電阻材料的微制備及自旋輸運性質的研究；
5.半金屬和金屬氧化物復合磁性隧道結的微制備及其自旋輸運性質的研究。
主要論文與著作
主要論文
[1]基于超快太赫茲散射型掃描近場光學顯微鏡的自旋電子太赫茲發射光譜技術（特邀）.王家琦;代明聰;馬一航;王有為;張子建;才家華;陳鵬;萬蔡華;韓秀峰;吳曉君.激光與光電子學進展,2024(03)
[2]基于超快太赫茲散射型掃描近場光學顯微鏡的自旋電子太赫茲發射光譜研究.王家琦;代明聰;馬一航;王有為;張子建;才家華;陳鵬;萬蔡華;韓秀峰;吳曉君.激光與光電子學進展
[3]Nonlinear three-magnon scattering in low-damping La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3 thin films.張躍林;盛路通;陳濟雷;王婕;朱增泰;袁潤東;魯京迪;王涵晨;郝思潔;陳鵬;于國強;韓秀峰;于海明.Chinese Physics B,2023(10)
[4]自由層磁性交換偏置效應調控隧穿磁電阻磁傳感單元性能.豐家峰;陳星;魏紅祥;陳鵬;蘭貴彬;劉要穩;郭經紅;黃輝;韓秀峰.物理學報,2023(19)
[5]自由層磁性交換偏置效應調控TMR磁傳感單元關鍵性能研究.豐家峰;陳星;魏紅祥;陳鵬;蘭貴彬;劉要穩;郭經紅;黃輝;韓秀峰.物理學報
[6]Giant Tunneling Magnetoresistance in Spin-Filter Magnetic Tunnel Junctions Based on Van der Waals A-Type Antiferromagnet CrSBr.蘭貴彬;許洪軍;張雨;程琛;何斌;李嘉輝;何聰麗;萬蔡華;豐家峰;魏紅祥;張佳;韓秀峰;于國強.Chinese Physics Letters,2023(05)
[7]From microelectronics to spintronics and magnonics.韓秀峰;萬蔡華;吳昊;郭晨陽;唐萍;嚴政人;邢耀文;何文卿;于國強.Chinese Physics B,2022(11)
[8]電流焦耳熱調控反轉型垂直(Co/Pt)_n/Co/IrMn納米多層膜結構的交換偏置效應研究.豐家峰;魏紅祥;于國強;黃輝;郭經紅;韓秀峰.物理學報,2023(01)
[9]基于MgO磁性隧道結的五種隧穿磁電阻線性傳感單元性能比較.韓秀峰;張雨;豐家峰;陳川;鄧輝;黃輝;郭經紅;梁云;司文榮;江安烽;魏紅祥.物理學報,2022(23)
[10]High-Sensitivity Tunnel Magnetoresistance Sensors Based on Double Indirect and Direct Exchange Coupling Effect.韓秀峰;張雨;王翼展;黃黎;馬勤禮;劉厚方;萬蔡華;韋家峰;尹林;于國強;余天;閆羽.Chinese Physics Letters,2021(12)
[11]Magnetic two-dimensional Van der Waals materials for spintronic devices.張雨;許洪軍;豐家峰;吳昊;于國強;韓秀峰.Chinese Physics B,2021(11)
[12]磁霍普夫子及其三維自旋動力學研究.劉藝舟;韓秀峰.物理,2020(12)
[13]自旋發光二極管研究進展.梁世恒;陸沅;韓秀峰.物理學報,2020(20)
[14]電場調控磁性渦旋旋性的定向翻轉（英文）.張躍林;王傳壽;黃厚兵;魯京迪;梁仁榮;劉堅;彭仁賜;張欽彤;張慶華;王靜;谷林;韓秀峰;陳龍慶;Ramamoorthy Ramesh;南策文;張金星Science Bulletin,2020(15)
[15]Y_3Fe_5O_(12)(YIG)/Pt異質結構中基于超快自旋塞貝克效應產生太赫茲相干輻射研究.宋邦菊;金鉆明;郭晨陽;阮舜逸;李炬賡;萬蔡華;韓秀峰;馬國宏;姚建銓物理學報,2020(20)
[16]“旋”酷的超算.萬蔡華;韓秀峰;Niladri Banerjee.物理,2019(05)
[17]薄膜異質結中磁性斯格明子的相關研究.李文靜;光耀;于國強;萬蔡華;豐家峰;韓秀峰.物理學報,2018(13)
[18]一種數據非易失性、多功能和可編程的自旋邏輯研究進展.韓秀峰;萬蔡華.物理學報,2018(12)
[19]基于磁性絕緣體的磁子閥效應.吳昊;韓秀峰.物理,2018(04)
[20]尋找磁單極子.萬蔡華;韓秀峰.物理,2016(10)
[21]Low 頻率 noise in asymmetric double barrier magnetic tunnel junctions with a top thin MgO layer.郭會強;唐偉躍;劉亮;危健;李大來;豐家峰;韓秀峰.Chinese Physics B,2015(07)
[22]Perpendicular magnetic tunnel junction and its application in magnetic random access memory.劉厚方;Syed Shahbaz Ali;韓秀峰.Chinese Physics B,2014(07)
[23]CoFeB/AlO_x/Ta及AlO_x/CoFeB/Ta結構中垂直易磁化效應的研究.陳希;劉厚方;韓秀峰;姬揚物理學報,2013(13)
[24]新型磁性隧道結材料及其隧穿磁電阻效應.韓秀峰;劉厚方;張佳;師大偉;劉東屏;豐家峰;魏紅祥;王守國;詹文山中國材料進展,2013(06)
[25]固體磁性的量子調控.王守國;韓秀峰;沈保根;詹文山.物理教學,2012(10)
[26]Interstitial vortex in superconducting film with periodic hole arrays.何世坤;張偉君;溫振超;肖宏;韓秀峰;顧長志;邱祥岡.Chinese Physics B,2012(08)
[27]Abnormal magnetoresistance behavior in Nb thin films with rectangular arrays of antidots.張偉君;何世坤;李博宏;程飛;許兵;溫振超;曹文會;肖宏;韓秀峰;趙士平;邱祥岡.Chinese Physics B,2012(07)
[28]電流驅動下磁疇壁快速運動的研究.韓秀峰;王云鵬.物理,2011(07)
[29]自旋極化超導電流及其在自旋電子學中的應用.韓秀峰;張佳.物理,2011(01)
[30]基于磁性隧道結技術的新型準自旋場效應晶體管.溫振超;韓秀峰.物理,2010(05)
[31]MgO單晶勢壘磁性隧道結的第一性原理計算和實驗研究.王琰;張佳;張曉光;王守國;韓秀峰.物理學進展,2009(04)
[32]Role of defects in magnetic properties of Fe-doped SnO_2 films fabricated by the Sol-Gel method.周雪云;葛世慧;韓秀峰;左亞路;肖玉華;溫振超;張莉;李明杰.Chinese Physics B,2009(09)
[33]自旋電子學材料、物理和器件設計原理的研究進展.韓秀峰.物理,2008(06)
[34]磁性世界與人類生活.韓秀峰.科學世界,2008(02)
[35]從物理發現到成功應用——兼談2007年度諾貝爾物理學獎授予巨磁電阻效應發現者.韓秀峰;劉東屏;溫振超.科技導報,2007(24)
[36]雙勢壘磁性隧道結中量子阱共振隧穿效應的第一性原理理論.王琰;韓秀峰;盧仲毅;張曉光物理,2007(03)
[37]一種研究自旋翻轉散射效應的新方法.曾中明;豐家峰;王勇;韓秀峰;詹文山;張曉光;張澤物理,2007(03)
[38]一種用于制備安德魯反射樣品的新方法(英文).王天興;魏紅祥;任聰;韓秀峰;Clifford E;Langford R M;Bari M A;Coey J M D.半導體學報,2006(04)
[39]電子全息對磁隧道結勢壘層的研究.王勇;張澤;曾中明;韓秀峰.物理學報,2006(03)
[40]磁隨機存儲器中垂直電流驅動的磁性隧道結自由層的磁化翻轉.彭子龍;韓秀峰;趙素芬;魏紅祥;杜關祥;詹文山物理學報,2006(02)
[41]成分調制的La_(1-x)Sr_xMnO_3復合隧道結.于敦波,豐家峰,杜永勝,韓秀峰,嚴輝,應啟明,張國成.物理學報,2005(10)
[42]磁性隧道結的雙勢壘層的全息相位圖.王勇,王鳳蓮,張澤,曾中明,韓秀峰.電子顯微學報,2005(04)
[43]高磁電阻磁性隧道結的幾種微制備方法研究.李飛飛,張謝群,杜關祥,王天興,曾中明,魏紅祥,韓秀峰.物理學報,2005(08)
[44]雙勢壘磁性隧道結的磁電阻效應及其在自旋晶體管中的應用.曾中明,韓秀峰,杜關祥,詹文山,王勇,張澤物理學報,2005(07)
[45]Cr/Ru/PtCo/Ru/PtCo/Ru介質中底層Ru厚度對磁記錄特性影響的研究.張愛國,王蔭君,韓秀峰,詹文山.物理學報,2005(04)
[46]4英寸熱氧化硅襯底上磁性隧道結的微制備.王天興,魏紅祥,李飛飛,張愛國,曾中明,詹文山,韓秀峰.物理學報,2004(11)
[47]雙異質外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件.昝育德,王俊,李瑞云,韓秀峰,王建華,于芳,劉忠立,王玉田,王占國,林蘭英半導體學報,2004(07)
[48]微細矩形磁性薄膜體系中一致轉動磁化模式.彭子龍,王偉寧,朱濤,韓秀峰,詹文山物理學報,2003(11)
[49]Ramping熱退火直拉重摻銻硅襯底片的增強氧沉淀王啟元,王俊,韓秀峰,鄧惠芳,王建華,昝育德,蔡田海,郁元桓,林蘭英.半導體學報,1999(06)
[50]γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD異質外延生長.昝育德,王俊,韓秀峰,王玉田,王維民,王占國,林蘭英半導體學報,1998(12)
[51]ErFe_(11-x)Co_xTi化合物的結構與磁性研究.王建立,楊伏明,唐寧,韓秀峰,陽東.物理學報,1998(06)
[52]借助硅片減薄重摻硅間隙氧含量低溫(10K)紅外測量.王啟元,王俊,韓秀峰,鄧惠芳,王建華,昝育德,蔡田海,郁元桓,林蘭英.半導體學報,1997(08)
注：資料來源
發表著作
注：資料來源
榮譽
（1）北京市科學技術一等獎，一等獎，省級，2013。
參考資料：
參考資料 >
韓秀峰.中國知網.2024-10-23
韓秀峰.中國科學院大學.2024-10-23