昝育德，男，1939年6月出生于山西省大同市，是中國科學院半導體研究所新材料中心的一名高級工程師。他在1965年畢業于天津南開大學物理科學學院，并自同年8月起在中國科學院半導體研究所新材料中心擔任職務。
人物經歷
昝育德的專業領域包括晶體生長、材料物理、電子學及其相關設備的加工。他的職業生涯始于參與區域熔化提純硅的工作，成功完成了多項國家任務，實現了硅單晶電阻率和少數載流子壽命均超過千的單晶生長。此后，他獨立開展了三項重要工作：首先，基于異質外延界面結合能的考慮，提出了藍寶石上異質外延硅（硅/藍寶石或SOS）的成核半徑小于硅/尖晶石的觀點，并指出SOS薄膜的質量優于硅/尖晶石。其次，他對國內藍寶石的晶向相圖進行了修正，并克服了藍寶石難以加工的問題，研發出了適用于SOS-CMOS制造的完美晶體表面。此外，他還制定了一系列完整的切磨拋工藝及檢測方法，使得藍寶石的切磨拋技術成為了SOS加工工藝的重要環節。昝育德還自行加工了不銹鋼硬接外延系統，推動了SOS研究組的發展。在80年代中期，他成功研制出適合制作SOS-CMOS器件的SOS薄膜，并通過了所級鑒定。
職業成就
昝育德的職業成就顯著，他所在的中國科學院半導體研究所SOS-CMOS器件研究在國內形成了獨立的工藝體系。他們完成了國家下達的任務，如長壽命衛星用CMOS集成電路和抗輻照加固CMOS-ISOS集成電路的研發，并因此獲得了中國科學院科技進步二等獎和三等獎。昝育德還獨立設計并加工了一臺水平、常壓MOVPE設備，用于GaSe單晶外延生長，并通過了所級鑒定。這臺設備目前仍在材料開放實驗室中使用，用于外延生長藍光GaN膜。在“八五”期間，他負責了一個國家重大基金項目，設計并加工了一臺低壓、超高真空兼用的立式MOCVD設備，并利用它研制出了雙異質外延Si/γ-Al2O3/Si薄膜。在他退休之前，半導體所微電子中心利用這種薄膜研制出了MOS單管和CMOS六倒相器電路。昝育德發表了多篇文章，其中包括《藍寶石-硅和尖晶石-硅界面層寬度的俄歐分析》《硅的位錯核心結構無懸掛鍵》《γ-Al2O3/Si薄膜高真空MOCVD異質外延生長》和《半導體制冷恒溫浴槽》。
參考資料 >
γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD異質外延生長.掌橋科研.2024-09-04
一種激光加熱區熔生長大薄片或異形翹曲單晶的裝置及其生長方法.鈦學術文獻服務平臺.2024-09-04
電子顯微學報 1984年04期.知網空間.2024-09-04