王占國，男，1938年12月生，河南省鎮(zhèn)平人，半導體材料及材料物理學家，中國科學院院士，中國科學院半導體研究所研究員、博士生導師。
王占國1962年畢業(yè)于南開大學物理科學學院，同年到中國科學院半導體所工作。曾任中科院半導體所副所長，國家高技術新材料領域?qū)＜椅瘑T會委員、常委、功能材料專家組組長。1995年當選為中國科學院院士。
王占國長期從事半導體材料光電性質(zhì)、半導體深能級和光譜物理研究，化鎵材料與器件關系研究，半導體低維結構材料與量子器件研究等工作。
人物經(jīng)歷
1938年12月，王占國出生于河南鎮(zhèn)平縣。
1962年，畢業(yè)于南開大學物理系，同年到中國科學院半導體所工作。
1980年至1983年，王院士赴隆德大學固體物理系，從事深能級物理和光譜物理研究。
1986年，任中國科學院半導體所研究員，材料室主任。
1990年，被批準為博士生導師。
1990年至1994年，任中國科學院半導體所副所長。
主要成就
科研成就
科研綜述
據(jù)2020年6月中國科學院半導體所官網(wǎng)顯示，王占國長期從事半導體材料和材料物理研究。從1980年起，主要從事半導體深能級物理和光譜物理研究，提出了識別兩個深能級共存系統(tǒng)兩者是否是同—缺陷不同能態(tài)的新方法，解決了國際上對GaAs中A、B能級和硅中金受主及金施主能級本質(zhì)的長期爭論。提出混晶半導體中深能級展寬和光譜譜線分裂的物理模型，解釋了它們的物理起因。提出了GaAs電學補償五能級模型和電學補償新判據(jù)。協(xié)助林蘭英先生，首次在太空從熔體中生產(chǎn)了GaAs產(chǎn)品并對其光電性質(zhì)作了系統(tǒng)研究。近年來，領導的實驗組又在應變自組裝In(Ga)As/GaAs，In(Ga)As/InAlAs/InP等量子點（線）與量子點（線）超晶格材料和量子級聯(lián)激光器和探測器材料生長和大功率量子點激光器、量子級聯(lián)激光器和探測器以及太赫茲激光器研制方面獲得突破。最近，又提出了柔性襯底的概念，開拓了大失配材料體系研制的新方向。
科技成果獎勵
承擔項目
學術論著
據(jù)2020年6月中國科學院半導體所官網(wǎng)顯示，王占國先后與合作者一起在國際學術刊物發(fā)表論文200余篇。
1. 王占國，陳立泉，屠海令。中國材料工程大典（第11～13卷）[M].北京：化學工業(yè)出版社，2006.
2. 王占國，陳涌海，葉小玲等..納米半導體技術[M].北京：化學工業(yè)出版社，2006.
3. 王占國，鄭有炓等。半導體材料研究進展[M].北京：高教社，2012.
人才培養(yǎng)
培養(yǎng)理念
王占國在科研方面的體會：一是作為科技工作者要實事求是、堅持真理；二是不盲從權威，敢于挑戰(zhàn)科學難題；三是要有不恥下問、打破砂鍋問到底的精神。
培養(yǎng)成果
據(jù)2020年6月中國科學院半導體所官網(wǎng)顯示，王占國先后培養(yǎng)碩士、博士和博士后百余名。
榮譽表彰
1995年當選為中國科學院院士。
2001年獲得何梁何利科學與技術進步獎。
社會任職
王占國曾任國家高技術新材料領域?qū)＜椅瘑T會委員、常委、功能材料專家組組長。
據(jù)2020年6月西安交通大學官網(wǎng)顯示，王占國任半導體材料科學重點實驗室學委會主任、中國電子學會半導體和集成技術分會主任、中國材料研究學會副理事長、國家自然科學基金重大研究計劃"光電信息功能材料"專家組副組長、北京市人民政府第八屆專家顧問團顧問、天津市人民政府特聘專家和多個國際會議顧問委員會委員以及多所高校特聘和兼職教授。
人物評價
王院士在半導體材料和材料物理領域取得了杰出的成就。在早期職業(yè)生涯中，他致力于人造衛(wèi)星用硅太陽能電池輻照效應以及和電子材料、器件和組件的靜態(tài)、動態(tài)和核瞬態(tài)輻照效應研究，為中國的兩彈一星事業(yè)做出了貢獻。??（《半導體學報》評）
王占國院士為中國半導體材料和材料物理研究方面做出的系統(tǒng)性和創(chuàng)新性的突出貢獻，擁有堅持不懈、銳意進取的科學精神和愛國奉獻、平易近人的優(yōu)秀品質(zhì)，為學部發(fā)展、國家科學思想庫建設和在青年科技人才培養(yǎng)方面取得了突出成績。??（中國科學院院長、黨組書記白春禮評）
“近60年來，王占國院士在半導體材料科學研究等方面取得了一系列重大成果，為國家半導體科技事業(yè)的發(fā)展做出了突出貢獻；王占國院士心系國家和半導體所的發(fā)展，為我國科技事業(yè)和半導體所的發(fā)展建言獻策；王占國院士以教育為己任，甘為人梯、提攜后進，為國家培養(yǎng)和造就了一大批優(yōu)秀科技人才。他還回顧了自己1993年作為博士生進入半導體所時，王占國院士對他的深切教誨，指出王占國院士堅持真理的科學精神、報效祖國的愛國情操和淡泊名利的崇高品格為我們樹立了楷模，是我們晚輩后學的寶貴財富。”??（中科院副院長、中國科學院大學黨委書記、校長李樹深院士評）
“近60年來，王院士以強烈的事業(yè)心、責任感、使命感，為我國半導體材料學科建設和技術創(chuàng)新做出了杰出貢獻，而且毫無保留地將自己的學識、經(jīng)驗、成果奉獻、傳授給年輕一代，為推進人才培養(yǎng)做出了卓越貢獻。”??（中國科學院半導體所副所長祝寧華評）
參考資料 >