《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》是中國電子學(xué)會和中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主辦的學(xué)術(shù)刊物。
學(xué)報(bào)基礎(chǔ)信息
《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》是中國電子學(xué)會和中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主辦的學(xué)術(shù)刊物。它報(bào)道半導(dǎo)體物理學(xué)、半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)和相關(guān)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)最新的科研成果和技術(shù)進(jìn)展，內(nèi)容包括半導(dǎo)體超晶格和微結(jié)構(gòu)物理，半導(dǎo)體材料物理，包括量子點(diǎn)和量子線等材料在內(nèi)的新型半導(dǎo)體材料的生長及性質(zhì)測試，半導(dǎo)體器件物理，新型半導(dǎo)體器件，集成電路的CAD設(shè)計(jì)和研制，新工藝，半導(dǎo)體光電子器件和光電集成，與半導(dǎo)體器件相關(guān)的薄膜生長工藝，性質(zhì)和應(yīng)用等等。本刊與物理類期刊和電子類期刊不同，是以半導(dǎo)體和相關(guān)材料為中心的，從物理，材料，器件到應(yīng)用的，從研究到技術(shù)開發(fā)的，跨越物理和信息兩個學(xué)科的綜合性學(xué)術(shù)刊物。《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》發(fā)表中、英文稿件。《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》被世界四大檢索系統(tǒng)（美國工程索引(EI)，化學(xué)文摘(CA)，英國科學(xué)文摘(SA)，俄羅斯文摘雜志(РЖ)）收錄。
《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》1980年創(chuàng)刊。現(xiàn)為月刊，每期190頁左右，國內(nèi)外公開發(fā)行。每期均有英文目次，每篇中文論文均有英文摘要。《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》主編為王守武院士。主要讀者對象是從事半導(dǎo)體科學(xué)研究、技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)及相關(guān)學(xué)科的科技人員、管理人員和大專院校的師生。
收錄情況
開本：大16開
期刊級別：08版北京大學(xué)核心
該刊被以下數(shù)據(jù)庫收錄：
CA 化學(xué)文摘（美）（2009）
SA 科學(xué)文摘（英）（2009）
CBST 科學(xué)技術(shù)文獻(xiàn)速報(bào)（日）（2009）
Pж（AJ）文摘雜志（俄）（2009）
EI 工程索引（美）（2009）
中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫（CSCD—2008）
核心期刊：
中文核心期刊（2008）
中文核心期刊（2004）
中文核心期刊（2000）
中文核心期刊（1996）
中文核心期刊（1992)
《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》獲獎情況：中科院優(yōu)秀期刊二等獎（90）、全國優(yōu)秀期刊三等獎（92）、全國優(yōu)秀期刊三等獎（97）；
編委會第11屆編輯委員會名單(2011-2015)主編Li?Shushen?(李樹深)副主編?Wang?Zhiming?(王志明)委員Z?I?Alferov?(Russia)F?Balestra?(France)Ban?Shiliang?(班士良)J?C?Bourgoin?(France)Cai?Yici?(蔡懿慈)Chen?Hongyi?(陳弘毅)Chen?Zhiming?(陳治明)Chiu?Tzuyin?(邱慈云)A?Y?Cho?(USA)Dai?Lun?(戴倫)Deng?Hangjun?(鄧航軍)Du?Guotong?(杜國同)Feng?Songlin?(封松林)公姓?Min?(龔敏)Guo?Liwei?(郭麗偉)Guo-Qiang?Hai?(Brazil)Sui-Kong?Hark?(Hong?Kong,?China)Hao?Yue?(郝躍)He?Deyan?(賀德衍)He?Lixin?(何力新)M?Henini?(UK)Huang?Qing’an?(黃慶安)Huang?Ru?(黃如)Quanxi?JIA?(USA)Jiang?Fengyi?(江風(fēng)益)Jie?Binbin?(揭斌斌)Jin?Zhi?(金智)Li?Jinmin?(李晉閩)M?F?Li?(Singapore)Lin?Yuan?(林媛)Juin?J?Liou?(USA)Liu?Xiaoyan?(劉曉彥)Lu?Fang?(陸昉)Lu?Wei?(陸衛(wèi))Luo?Yi?(羅毅)Vojin?G.?Oklobdzija?(USA)Carlos?A.?Paz?de?Araujo?(USA)Qi?Ming?(齊鳴)Qian?He?(錢鶴)Qian?Peixin?(錢佩信)Ren?Junyan?(任俊彥)Ren?Xiaomin?(任曉敏)Chihtang?Sah?(薩支唐)Harald?Schneider?(Germany)Shan?Chongxin?(單崇新)Shao?Zhibiao?(邵志標(biāo))Shen?Wenzhong?(沈文忠)Aimin?Song?(UK)Greg?Sun?(USA)S?M?Sze?(Taiwan,?China)K?L?Wang?(USA)Lin-Wang?Wang?(USA)Suhuai?Wei?(USA)Xu?Ningsheng?(許寧生)Yang?Deren?(楊德仁)Rui?Q.?Yang?(USA)Ye?Zhizhen?(葉志鎮(zhèn))Yu?Hong?Yu?(Singapore)Zhang?Guoyi?(張國義)Zhang?Pengfei?(張鵬飛)Zhang?Rong?(張榮)Zhang?Xing?(張興)Zhang?Yimen?(張義門)Zhang?Yuming?(張玉明)Zhang?Wanrong?(張萬榮)Zhao?Zhengping?(趙正平)Zhou?Yumei?(周玉梅)編輯部主任：李樹深編輯部副主任：鄧航軍?成員：李樹深，鄧航軍，王琳，金瑞琴
投稿須知
《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》是中國電子學(xué)會和中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所共同主辦的國家一級刊物（月刊，國內(nèi)外公開發(fā)行），被EI、CA、SA、AJ等收錄，主要報(bào)道半導(dǎo)體物理、材料、器件、集成電路、工藝等領(lǐng)域的最新科研成果。
1?總則
請遵守學(xué)術(shù)規(guī)范和準(zhǔn)則，勿一稿多投，在稿件中勿出現(xiàn)抄襲、剽竊他人成果的內(nèi)容。作者向《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》投稿，意味著在稿件被錄用后作者同意把該文的版權(quán)（含光盤、網(wǎng)絡(luò)等各種介質(zhì)）轉(zhuǎn)讓給《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》編輯部。稿件必須用英文撰寫，用A4紙單欄、隔行排版，字號不小于五號字。如果文章需要快速發(fā)表，需和編輯部聯(lián)系并說明理由。
2?來稿要求
稿件應(yīng)觀點(diǎn)明確，數(shù)據(jù)可靠，言簡意，重點(diǎn)突出。與本文內(nèi)容類似或密切相關(guān)的已發(fā)表論文，應(yīng)列入?yún)⒖嘉墨I(xiàn)，以示尊重。
2.1?題目、作者、單位和摘要
題目應(yīng)簡潔、準(zhǔn)確，不宜太長，題目不宜超過10個實(shí)詞。文章的作者署名在投稿時應(yīng)明確，以后不宜更改。作者單位需寫出浙江人本鞋業(yè)有限公司、所在城市和郵政編碼。摘要應(yīng)語義確切，表述簡明，宜用第三人稱寫明論文的目的、方法、結(jié)果和結(jié)論。文后需附中文題目、作者、單位、摘要和關(guān)鍵詞。
2.2?關(guān)鍵詞、PACC或EEACC
應(yīng)給出反映文章特征內(nèi)容，通用性比較強(qiáng)的關(guān)鍵詞3～6個；PACC或EEACC專業(yè)代碼1～3個。
2.3?基金及其批準(zhǔn)號
若文章得到省、部級以上基金資助，應(yīng)給出基金的全稱及其批準(zhǔn)號。
2.4?縮略詞、符號及計(jì)量單位
摘要和正文中的縮略詞在第一次出現(xiàn)時都必須寫出全稱。外文字母、符號必須分清大小寫，正、斜體，上、下角。計(jì)量單位請用國家法定計(jì)量單位，全文文種要始終一致。
2.5?圖、照片、表
圖和照片按出現(xiàn)先后順序編號，圖的寬度一般不超過8cm，圖框宜細(xì)，刻度向里，曲線略粗，黑色要黑，線條要勻，圖中文字應(yīng)與正文一致。照片要求黑白反差大，層次清晰。表格應(yīng)簡潔、明確，宜用三線表。
正式排版時將直接采用作者提供的圖，因此需要作者提供高質(zhì)量的圖。在圖被縮小至半欄或通欄尺寸時，圖中的文字和線條必須保持清晰，文字大小合適（6號字），坐標(biāo)刻度疏密適中。
在電子版中可免費(fèi)使用彩色圖或照片，如果在印刷版中使用彩色圖或照片，每頁需付1200元費(fèi)用。
2.6?參考文獻(xiàn)
參考文獻(xiàn)按在正文中出現(xiàn)的順序編號，用方括號括住置引文處右上角，并與文末參考文獻(xiàn)序碼對應(yīng)一致。請勿引用尚未公開發(fā)表的資料，中文參考文獻(xiàn)需翻譯成相應(yīng)的英譯。參考文獻(xiàn)著錄項(xiàng)目應(yīng)齊全。
期刊的格式為：作者（列前三名）.?題目.?刊名,?年份,?卷（期）：頁碼
例：Zhang?Heqiu,?Mao?Lingfeng,?Xu?Mingzhen,?et?al.?Effect?of?neutral?traps?on?tunneling?current?and?SILC?in?ultrathin?氧化物?layer.?Chinese?Journal?of?Semiconductors,?2002,?23(4):367
書籍的格式為：作者（列前三名）.?書名.?出版地：出版社,?年份
例：Schroder?D?K.?半導(dǎo)體?material?and?device?characterization.?紐約:?John?Wiley?&?Sons,?1990
3?評審
來稿將送有關(guān)專家審閱。審稿周期大約為45天。作者在收到修改意見后，須在3周內(nèi)修改完成。刊登與否由編委最后審定。不擬刊登之稿，會盡快函告作者。
4?投稿
請登錄《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》網(wǎng)站投稿，不接收Email或郵寄投稿。有關(guān)稿件狀況可在網(wǎng)上查詢。接收LaTeX文件，在稿件被錄用后如果能提供LaTeX源文件將有助于文章的快速發(fā)表。
注意事項(xiàng)
1.??半導(dǎo)體學(xué)報(bào)自2009年起設(shè)半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體工藝等欄目。
2.?IC，特別是VLSI，已經(jīng)是一個系統(tǒng)或子系統(tǒng)，覆蓋廣泛的學(xué)科跨度，包括：（1）算法、軟/硬件協(xié)同、模塊結(jié)構(gòu)、邏輯網(wǎng)表；（2）電路結(jié)構(gòu)、物理布圖、器件性能、工藝實(shí)現(xiàn)。其中（1）的內(nèi)容與半導(dǎo)體的學(xué)科距離較大，相關(guān)論文我們不接收。
電路設(shè)計(jì)包括射頻、模擬、數(shù)字電路。相關(guān)論文應(yīng)為基于晶體管級的設(shè)計(jì)，其創(chuàng)新點(diǎn)應(yīng)以電路理論的分析作為依據(jù)。這樣的論文比較符合我刊的學(xué)術(shù)方向。如果只是提出一個電路結(jié)構(gòu)，做了一下仿真驗(yàn)證，就很難體現(xiàn)論文的學(xué)術(shù)內(nèi)涵。
如果說有關(guān)模擬、數(shù)字電路設(shè)計(jì)的文章尚可以不要求工藝實(shí)現(xiàn)的話，而有關(guān)射頻的電路設(shè)計(jì)則一定要有工藝實(shí)測，這是因?yàn)椋海?）射頻電路受寄生參數(shù)影響很大，（2）有關(guān)射頻的saber仿真軟件工具尚不及模擬的成熟，更不及數(shù)字的成熟。
3.?對于“集成電路”類稿件應(yīng)該有與半導(dǎo)體相關(guān)方面的內(nèi)容，如IC電路設(shè)計(jì)論述中包含的所用器件新設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)參數(shù)優(yōu)化、參數(shù)提取方法；IC設(shè)計(jì)中器件物理效應(yīng)利用、處理或引伸；版圖設(shè)計(jì)特色及優(yōu)化等，如果僅僅是單純電路、系統(tǒng)本身改進(jìn)或是電路理論、電路算法等處理，而文中只是掛了“集成電路”之名的論文應(yīng)改投其他更合適的刊物（如電子學(xué)報(bào)、電路與系統(tǒng)學(xué)報(bào)等期刊）。另外，VLSI設(shè)計(jì)和SOC設(shè)計(jì)應(yīng)是以芯片為主或與芯片有關(guān)，例如芯片的物理參數(shù)對電路性能的影響。
4.?半導(dǎo)體學(xué)報(bào)上的文章基本上全部被EI收入，但是個別摘要特別簡單的文章可能不會被收入。因此，為了你的文章被檢索機(jī)構(gòu)收入，請把中英文摘要寫得詳細(xì)一些，詳細(xì)寫明文章的目的、方法、結(jié)果和結(jié)論。
5.?在文章正式發(fā)表前半個月，編輯部會把文章清樣的電子版發(fā)給作者校對，請作者務(wù)必認(rèn)真校對并把需修改的地方告知編輯部（因?yàn)檫@是清樣，不宜作大的修改），否則出現(xiàn)問題，編輯部不再負(fù)責(zé)。
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參考資料 >