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王守武
來源:互聯(lián)網(wǎng)

王守武(1919年3月15日—2014年7月30日),男,江蘇蘇州人,中國共產(chǎn)黨黨員,半導(dǎo)體器件物理學(xué)家,微電子學(xué)家,中國科學(xué)院院士。

王守武1941年2月從同濟(jì)大學(xué)機(jī)電系畢業(yè)。1946年獲普渡大學(xué)碩士學(xué)位。1949年2月獲美國普渡大學(xué)博士學(xué)位。1956年受聘為清華大學(xué)無線電系第一任半導(dǎo)體教研室主任。1960年任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長。1962年11月任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所學(xué)術(shù)委員會主任委員。1980年當(dāng)選為中國科學(xué)院學(xué)部委員(院士)。1980年2月任109廠廠長職務(wù)。1987年起任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所正研究員。2014年7月30日因病逝世,享年95歲。

王守武是中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的開拓者與奠基人之一。主持研制成功了中國第一只砷化鎵半導(dǎo)體激光器;主持研制成功4千位、16千位的DRAM大規(guī)模集成電路;組織籌建了中國第一個(gè)半導(dǎo)體研究室和全國半導(dǎo)體測試中心。出版了《半導(dǎo)體器件研究與發(fā)展-第一冊》《VDMOS場效應(yīng)晶體管應(yīng)用手冊》等4部著作。研究成果先后獲中國科學(xué)院科研成果獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)2項(xiàng),中國科學(xué)院科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)4項(xiàng),以及中國科學(xué)院發(fā)明三等獎(jiǎng)全國科技大會獎(jiǎng)、半導(dǎo)體研究所科技成果獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng)各1項(xiàng)。先后獲評全國勞動模范、何梁何利基金獎(jiǎng)等榮譽(yù)。

人物經(jīng)歷

早期與學(xué)業(yè)經(jīng)歷

1919年3月15日,王守武出生于蘇州市。1923年,4歲的王守武隨父來上海市,少年時(shí)期基本在蘇州、上海兩地生活讀書。1925年進(jìn)入上海鐵華小學(xué)讀二年級。1927年轉(zhuǎn)學(xué)上海私立民智中小學(xué);同年起王家開始安裝電燈,在家中用燈泡做“實(shí)驗(yàn)”,在父親的指導(dǎo)下了解“電”與“燈”的基本常識,以及保險(xiǎn)絲的作用。

1930年,王守武在上海私立民智中小學(xué)讀小學(xué)六年級;同年秋,在民智中小學(xué)升入初中一年級。1931年轉(zhuǎn)學(xué)入上海僑光中學(xué)。1932年進(jìn)入上海青年中學(xué)高中。1934年轉(zhuǎn)學(xué)進(jìn)入蘇州省立蘇州中學(xué)。

1935年,王守武在江蘇省蘇州中學(xué)校校刊上發(fā)表“圓周率π的級數(shù)展開”;同年秋,從蘇州中學(xué)普通高中肄業(yè),進(jìn)入同濟(jì)大學(xué)讀預(yù)科。1936年回蘇州市參加中學(xué)會考,獲得中學(xué)畢業(yè)文憑;同年進(jìn)入同濟(jì)大學(xué)工學(xué)院機(jī)電系學(xué)習(xí)。1937年升入同濟(jì)大學(xué)機(jī)電系二年級。后日本帝國主義全面發(fā)動侵華戰(zhàn)爭;1937年10月,到金華同濟(jì)大學(xué)臨時(shí)校址報(bào)到。1938年被迫隨同濟(jì)大學(xué)遷往贛州市。1939年與同濟(jì)大學(xué)的師生一起先集中到龍州縣,再到憑祥市,出鎮(zhèn)南關(guān)(今友誼關(guān)),繞道越南,至1939年春節(jié)前到達(dá)昆明市

1941年2月,王守武在昆明從同濟(jì)大學(xué)機(jī)電系畢業(yè);同年到昆明中央機(jī)器廠工作。1942年進(jìn)入中國工合翻砂實(shí)驗(yàn)工廠任工務(wù)部主任。1943年年初,辭去工務(wù)部主任職務(wù),轉(zhuǎn)回母校同濟(jì)大學(xué)任教。1944年在重慶考取自費(fèi)留學(xué)生,被美國麻省理工學(xué)院錄取,但因肺病回昆明家中調(diào)養(yǎng),留學(xué)被延誤。1945年8月,被普渡大學(xué)錄取;同年10月,王守武前往美國,進(jìn)入普渡大學(xué)工程力學(xué)系師從斯特姆攻讀碩士研究生。1946年獲普渡大學(xué)碩士學(xué)位。后師從詹姆斯攻讀博士研究生,1949年2月獲美國普渡大學(xué)博士學(xué)位并留校任教。

工作經(jīng)歷

1950年,王守武回到中國;年底,受聘于中國科學(xué)院應(yīng)用物理研究所,同時(shí)受聘于華北大學(xué)工學(xué)院(現(xiàn)北京理工大學(xué)),期間為抗美援朝戰(zhàn)爭前線的志愿軍設(shè)計(jì)特殊的車燈和路標(biāo)。1951年為西藏自治區(qū)地區(qū)設(shè)計(jì)太陽灶;同年開始氧化亞銅半導(dǎo)體整流器的研究。1952年組織應(yīng)用物理所電學(xué)組開展了半導(dǎo)體整流器的實(shí)驗(yàn)研制工作,繞制了燒銅氧化物整流器的電爐,并設(shè)計(jì)配制了利用電子管的溫度控制器,并用各種不同大小及純度的銅片試制氧化銅整流器,同時(shí)開始開展pbs整流器研究。1955年領(lǐng)導(dǎo)應(yīng)用物理所電學(xué)組制作硫化鉛光敏電阻,得到比較穩(wěn)定而又相當(dāng)靈敏的光敏電阻。1956年受聘為清華大學(xué)無線電系第一任半導(dǎo)體教研室主任,親自授課,并組織領(lǐng)導(dǎo)了鍺單晶材料的制備工作。1957年,設(shè)計(jì)并指導(dǎo)制作中國第一臺拉制半導(dǎo)體鍺材料的單晶爐,并于11月領(lǐng)導(dǎo)應(yīng)用物理所半導(dǎo)體研究室,成功拉制出中國第一根鍺單晶,領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體研究室研制成功了中國第一批鍺合金結(jié)晶體管,并掌握了鍺單晶中的摻雜技術(shù)。1959年,領(lǐng)導(dǎo)109廠為研制109乙型計(jì)算機(jī)的計(jì)算技術(shù)研究所,提供了12個(gè)品種、14.5萬余只鍺高頻合金擴(kuò)散晶體管,完成該機(jī)所需的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)任務(wù),為“兩彈一星”任務(wù)提供了技術(shù)保證。

1960年4月起,擔(dān)任中國科學(xué)院物理研究所半導(dǎo)體研究所籌委會副主任;同年任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長;6月,應(yīng)用物理所有機(jī)半導(dǎo)體研究無果而終,這一年,王守武還加入了中國共產(chǎn)黨。1961年提出“用觸針下分布電阻的光電導(dǎo)衰退來測量半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的壽命”的方法;同年,隨中國科學(xué)院代表團(tuán)赴英國進(jìn)行考察。1962年11月,王守武任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所學(xué)術(shù)委員會主任委員;組織開展了硅提純設(shè)備和單晶爐的設(shè)計(jì)、晶體管制造工藝中新技術(shù)所用設(shè)備的設(shè)計(jì)。1963年11月,隨中國學(xué)術(shù)代表團(tuán)赴日本訪問。1965年和劉東源縣開展微波、光譜及基礎(chǔ)電子理論的研究。1966年8月,156工程的第一臺樣機(jī)研制成功。1968年12月,在“清理階級隊(duì)伍”運(yùn)動中被隔離審查。1969年3月隔離審查結(jié)束。

1973年9月,率中國電子器件考察團(tuán)赴日本考察。1974年與趙禮慶、金才政共同研制成功單路及三路半導(dǎo)體激光通信機(jī)。1975年研究人員在實(shí)驗(yàn)中偶然發(fā)現(xiàn)了Gunn器件疇雪崩弛豫振蕩現(xiàn)象,王守武開始開展這方面研究。1978年10月,受命負(fù)責(zé)4千位MOS動態(tài)隨機(jī)存儲器這一大規(guī)模集成電路的研制任務(wù)。1979年9月28日,研制成功大規(guī)模集成電路4千位MOS動態(tài)隨機(jī)存儲器,批量成品率達(dá)20%,最高達(dá)40%,為當(dāng)時(shí)中國國內(nèi)最高水平;同年10月起,開始領(lǐng)導(dǎo)16千位MOS動態(tài)隨機(jī)存儲器的研制及PNPN負(fù)阻激光器的研制工作。

1980年2月,兼任109廠廠長職務(wù),主要從事提高大規(guī)模集成電路成品率的工作;同年當(dāng)選為中國科學(xué)院學(xué)部委員(院士)。1983年領(lǐng)導(dǎo)集成電路用清洗機(jī)的研制;通過計(jì)算機(jī)的模擬計(jì)算,分析了靜止疇的存在與轉(zhuǎn)變條件,計(jì)算得到的疇的靜止-渡越--靜止-疇雪崩過程,并很快被實(shí)驗(yàn)所證實(shí)。1987年起任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所正研究員。1991年4月,隨中國科學(xué)院代表團(tuán)赴蘇聯(lián)進(jìn)行考察;1992年4月,赴美國進(jìn)行考察。2000年獲何梁何利基金獎(jiǎng)

人物逝世

2014年7月30日,王守武因癌癥醫(yī)治無效在美國逝世,享年95歲。

主要成果

王守武主持研制成功了中國第一只化鎵半導(dǎo)體激光器;主持研制成功4千位、16千位的DRAM大規(guī)模集成電路,在研究與開發(fā)中國半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體器件及大規(guī)模集成電路方面做出了重要貢獻(xiàn)。

半導(dǎo)體激光器研制

1954年,王守武了解到新一代電子器件-半導(dǎo)體晶體管已在國外廣泛應(yīng)用,并預(yù)見到這一劃時(shí)代的變革將會引起電子技術(shù)的一次新的革命,他組織領(lǐng)導(dǎo)了鍺單晶材料制備的研究工作,一面抓鍺材料的提純,一面親自設(shè)計(jì)制造了中國第一臺制備半導(dǎo)體鍺材料的單晶爐,并于1957年底拉制成功了中國第一根鍺單晶,后研制成功了鍺晶體二極管和鍺合金結(jié)晶體管。美國于1962年用砷化鎵半導(dǎo)體材料制成了第一只激光器,王守武便組織力量展開研究,并于1963年組建了半導(dǎo)體激光器研究室。先后領(lǐng)導(dǎo)并參與了中國第一臺半導(dǎo)體激光器的研制,實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體激光器的連續(xù)激射,并開展半導(dǎo)體負(fù)阻激光器以及激光應(yīng)用的研究工作,為中國在該領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步奠定了基礎(chǔ)。還親自指導(dǎo)參與了激光通信機(jī)和激光測距儀的研制工作,支援了國防現(xiàn)代化和國民經(jīng)濟(jì)建設(shè)。

大規(guī)模集成電路研制

1978年10月,王守武承擔(dān)了研制大規(guī)模集成電路——4000位MOS隨機(jī)存儲器的工作,順利在面積不足4×4平方毫米的單元硅片上,制作出由1.1萬多個(gè)晶體管電阻電容等元件構(gòu)成的電子電路。在團(tuán)隊(duì)努力下,大規(guī)模集成電路樣品的成品率提高到了20%~40%,是當(dāng)時(shí)中國國內(nèi)大規(guī)模集成電路研制中的最高水平。此外,還研制成功了4千位、16千位的DRAM大規(guī)模集成電路。

主要論文與著作

主要論文

王守武共發(fā)表學(xué)術(shù)論文40余篇,以下為部分論文。

出版著作

據(jù)中國國家圖書館顯示,王守武先后出版了《半導(dǎo)體器件研究與發(fā)展-第一冊》《VDMOS場效應(yīng)晶體管應(yīng)用手冊》等4部著作。

社會職務(wù)

榮譽(yù)與獲獎(jiǎng)

個(gè)人榮譽(yù)

科研獲獎(jiǎng)

王守武的研究成果先后獲中國科學(xué)院科研成果獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)2項(xiàng),中國科學(xué)院科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)4項(xiàng),以及中國科學(xué)院發(fā)明三等獎(jiǎng)全國科技大會獎(jiǎng)、半導(dǎo)體研究所科技成果獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng)各1項(xiàng)。

人才培養(yǎng)

王守武非常重視科研梯隊(duì)的培養(yǎng),曾在清華大學(xué)北京大學(xué)中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)復(fù)旦大學(xué)等多所高校任教招收的第一個(gè)研究生是洪堅(jiān),代表性學(xué)生有中國科學(xué)院博士生導(dǎo)師余金中

影響與后世紀(jì)念

《王守武傳》

《王守武傳》由中國科學(xué)技術(shù)出版社于2015年1月出版,作者是李艷平,康靜,尹曉冬,該傳記通過訪談、實(shí)物采集、錄音錄像等方法,全面真實(shí)地反映了王守武學(xué)術(shù)成長歷程的關(guān)鍵事件、重要節(jié)點(diǎn)、師承關(guān)系等內(nèi)容。

王守武院士100周年誕辰紀(jì)念會系列活動

王守武院士100周年誕辰紀(jì)念會系列活動由中國科學(xué)院大學(xué)微電子學(xué)院于2019年3月27日舉辦。

人物評價(jià)

長春中國光學(xué)科學(xué)技術(shù)館表示:“王守武院士把發(fā)展中國半導(dǎo)體科學(xué)事業(yè)視為己任,兢兢業(yè)業(yè)為之奮斗了一生。他為人忠厚,待人謙和。他遠(yuǎn)見卓識,以國家的需要為出發(fā)點(diǎn),開拓新領(lǐng)域,取得新成果。他的為人和他的科學(xué)成果一樣,贏得了人們的愛戴和敬重,值得我們?nèi)ゾ囱觥!?/p>

何梁何利基金獎(jiǎng)表示:“王守武為人忠厚、謙和,作風(fēng)民主,他一貫勤奮好學(xué),治學(xué)嚴(yán)謹(jǐn),一絲不茍,且富于創(chuàng)新精神。”

全景科學(xué)家表示:“王守武在幾十年的科研生涯中,以愛國求實(shí)、勇于創(chuàng)新、甘為人梯的實(shí)際行動,生動詮釋了科學(xué)家精神,為后輩科技工作者樹立了光輝榜樣。”

海南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院表示:“王老先生(王守武)一生忠厚為人,治學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)。”

家族成員

參考資料 >

王守武:中國半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的開拓者與奠基人.北京市總工會.2023-05-01

中國半導(dǎo)體研究的拓荒者——王守武.長春中國光學(xué)科學(xué)技術(shù)館.2023-05-01

王守武.國家圖書館.2023-05-01

學(xué)部概況.中國科學(xué)院學(xué)部.2023-04-30

何梁何利基金.何梁何利.2023-05-01

“努力救國,努力富國,努力強(qiáng)國”|紀(jì)念我國半導(dǎo)體和集成電路事業(yè)奠基人王守武院士.全景科學(xué)家.2023-05-01

【時(shí)代楷模】中國半導(dǎo)體科學(xué)的奠基人--王守武院士.海南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院.2023-05-01

六十余年科研生涯,他帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)研制出一系列中國半導(dǎo)體的“第一”|時(shí)光信函.北京科學(xué)中心.2023-05-01

王守武院士.同濟(jì)大學(xué)校史館.2023-05-01

王守武.中國知網(wǎng).2023-05-01

中國人民政治協(xié)商會議第五屆全國委員會委員名單.中國機(jī)構(gòu)編制網(wǎng).2023-05-01

中國人民政治協(xié)商會議第六屆全國委員會委員名單(2036名).中國機(jī)構(gòu)編制網(wǎng).2023-05-01

中國人民政治協(xié)商會議第七屆全國委員會委員名單(二千零八十一人).中國機(jī)構(gòu)編制網(wǎng).2023-05-01

《二十世紀(jì)中國知名科學(xué)家學(xué)術(shù)成就概覽》物理卷—王守武.半導(dǎo)體研究所.2023-05-13

共腔雙區(qū)(CCTS)DH雙穩(wěn)激光器研究.中國科學(xué)院.2023-05-13

GaAs/GaAlAs負(fù)阻激光器電學(xué)、光學(xué)特性綜合研究.中國科學(xué)院.2023-05-13

2001年.中國科學(xué)家博物館.2023-05-13

從小被叫作“笨孩子”,他創(chuàng)造了中國半導(dǎo)體事業(yè)的多個(gè)“第一”.全景科學(xué)家.2023-05-01

大冶一中知名校友中國科學(xué)院博士生導(dǎo)師余金中來校講學(xué).大冶一中.2023-05-01

科學(xué)雅士 敢為人先——紀(jì)念王守武院士誕辰100周年.中國科學(xué)院大學(xué).2023-05-01

王守武院士:自小立志報(bào)祖國,執(zhí)著創(chuàng)“芯”六十載.中國科學(xué)家博物館.2023-05-01

半導(dǎo)體電子學(xué)家王守覺年表—1.中國科學(xué)家博物館.2023-05-01

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