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來源：互聯(lián)網(wǎng)

聯(lián)華電子股份有限公司（United Microelectronics Corporation，簡稱UMC、聯(lián)電），成立于1980年，總部位于中國臺灣省新竹科學(xué)園區(qū)新竹市力行二路三號，創(chuàng)始人為曹興誠，現(xiàn)任董事長為洪嘉聰。聯(lián)電為全球半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)，提供高品質(zhì)的積體電路制造服務(wù)，專注于邏輯及特殊技術(shù)，為跨越電子行業(yè)的各項主要應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)晶片，聯(lián)電是世界晶圓專工技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，持續(xù)推出先進(jìn)制程技術(shù)并且擁有半導(dǎo)體業(yè)界為數(shù)最多的專利，在中國、美國、歐洲、日本、韓國及新加坡設(shè)有服務(wù)據(jù)點(diǎn)。

聯(lián)華電子是中國臺灣第一家半導(dǎo)體制造公司，其前身是工業(yè)技術(shù)研究院（簡稱“虞華年”）。1985年7月16日，聯(lián)電在中國臺灣地區(qū)掛牌上市，股票代碼為2303。2000年9月19日，聯(lián)電在美國紐交所上市，股票代碼為UMC。截至2024年6月，聯(lián)華電子在亞洲各地?fù)碛?2座晶圓廠，皆符合汽車業(yè)的IATF 16949制造認(rèn)證，其中四座是先進(jìn)的12英寸晶圓廠。2023年10月25日，聯(lián)電公布2023年第三季營運(yùn)報告，聯(lián)電合并營收為570.7億元新臺幣，較上季的563億元新臺幣增長1.4%。

2022年，聯(lián)電在《全球企業(yè)2000強(qiáng)榜單》中排第929名。2023年，聯(lián)電獲得《2022年·胡潤中國500強(qiáng)》第77位。同年，聯(lián)電獲得《HRAsia》亞洲最佳企業(yè)雇主獎。同年，聯(lián)電在《2023福布斯·全球企業(yè)2000強(qiáng)》排第789名。

發(fā)展歷程

開疆拓土

1970年代，臺灣工業(yè)研究院決定發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，邀請RCA（RadioCompanyofAmerica，RCA）研究室主任潘文淵籌備計劃。1974年7月，潘文淵完成“集成電路計劃草案”，“經(jīng)濟(jì)部長孫運(yùn)璿”于8月17日核定該計劃。1975年，在潘文淵的主導(dǎo)下，從RCA公司引入“互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體”（CMOS）技術(shù)，并在"工業(yè)技術(shù)研究院"成立電子工業(yè)研究發(fā)展中心，全力發(fā)展集成電路技術(shù)。由于當(dāng)時臺灣電子產(chǎn)業(yè)對IC的需求態(tài)勢逐漸呈是現(xiàn)，所以"工研院"于1980年在當(dāng)局的支持下，推動成立了聯(lián)華電子公司，一些參與RCA技術(shù)移轉(zhuǎn)計劃的管理及技術(shù)人員也先后轉(zhuǎn)為聯(lián)電的員工。1985年7月，從虞華年分出，聯(lián)電正式于臺灣證券交易所公開上市，為臺灣第一家上市的半導(dǎo)體公司。

艱難轉(zhuǎn)型

1995年7月，聯(lián)電轉(zhuǎn)型為純晶圓專工公司。9月，聯(lián)電與美、加11家IC設(shè)計公司合資成立聯(lián)誠、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉積體電路股份有限公司。9月，8吋晶圓廠開始生產(chǎn)。1996年1月，0.35微米制程開始生產(chǎn)。1997年10月，0.25微米制程開始生產(chǎn)。1998年4月，聯(lián)電取得合泰半導(dǎo)體（股）公司晶圓廠（現(xiàn)為Fab8E）。12月，取得新日鐵半導(dǎo)體（1999年中文名稱更名為聯(lián)日半導(dǎo)體株式會社晶圓廠，2001年英文名稱更名為UMCJapan）。1999年3月，0.18微米制程開始生產(chǎn)。11月，南科12吋晶圓廠正式建廠。

世紀(jì)曙光

2000年1月，聯(lián)電集團(tuán)進(jìn)行跨世紀(jì)五合一（聯(lián)電/聯(lián)誠/聯(lián)瑞/聯(lián)嘉/合泰五合一）。3月，聯(lián)電的晶圓廠產(chǎn)出業(yè)界首批銅制程晶片。5月，聯(lián)電的晶圓廠產(chǎn)出第一顆0.13微米制程IC。9月，聯(lián)華電子股份有限公司于紐約證券交易所掛牌上市。2003年1月，聯(lián)電旗下新加坡12吋晶圓廠（UMCi）進(jìn)行裝機(jī)。2004年3月，聯(lián)電旗下新加坡12吋晶圓廠（UMCi）邁入量產(chǎn)階段。5月，90奈米制程完全通過驗(yàn)證并進(jìn)入量產(chǎn)。7月，聯(lián)電并購矽統(tǒng)半導(dǎo)體（股）公司（現(xiàn)為Fab8S）。12月，聯(lián)電正式收購旗下子公司UMCi，并改名為Fab12i。2006年6月，聯(lián)電成為全球第一家全公司所有廠區(qū)均完成QC-080000IECQHSPM認(rèn)證之半導(dǎo)體制造商。2008年9月，聯(lián)電獲道瓊永續(xù)性指數(shù)列為成份股之一。10月，聯(lián)電的晶圓廠產(chǎn)出晶圓代工業(yè)界第一個28奈米制程sram晶片。2009年4月，產(chǎn)出40奈米客戶晶片。12月，聯(lián)電正式收購日本子公司UMCJ。2010年12月，聯(lián)電的Fab 12A廠第三期開始生產(chǎn)。次年，28奈米制程進(jìn)入試產(chǎn)。2012年，聯(lián)電的Fab 12A廠第五第六期廠房動土。

2013年3月，聯(lián)電取得中國蘇州和艦科技晶圓廠（2018年中文名稱更名為和艦芯片制造（蘇州）（股）公司）。5月，聯(lián)電打造新加坡Fab 12i廠為Specialty Technology Center of Excellence特殊技術(shù)中心。2014年8月，聯(lián)電入股富士通株式會社的新晶圓專工公司。2016年，聯(lián)電旗下的中國廈門聯(lián)芯集成電路制造開幕并開始量產(chǎn)。2017年2月，聯(lián)電14奈米客戶晶片進(jìn)入量產(chǎn)。2018年6月，聯(lián)華電子董事會通過購買與富士通合資公司之全部股權(quán)。2019年10月，聯(lián)華電子并購百分百日本三重富士通半導(dǎo)體成為完全獨(dú)資的子公司后，將更名為United Semiconductor Japan Co.，Ltd.（USJC）。2021年，聯(lián)電與客戶合作在南科Fab12A擴(kuò)建第六期新廠。同年，聯(lián)電加入RE100，宣示于2050年達(dá)成凈零碳排。2022年2月，新加坡Fab12i擴(kuò)建第三期新廠。2023年3月，聯(lián)電位于南科的“循環(huán)經(jīng)濟(jì)資源創(chuàng)生中心”動土。12月，聯(lián)電連續(xù)16年列名DJSI道瓊永續(xù)性指數(shù)之世界指數(shù)。2024年1月，與英特爾合作開發(fā)12奈米制程平臺。

企業(yè)治理

管理團(tuán)隊

治理架構(gòu)

以上參考資料：

董事會名單

以上參考資料：

經(jīng)營團(tuán)隊

以上參考資料：

股權(quán)結(jié)構(gòu)

以上參考資料：（以上僅展示聯(lián)華電子股份有限公司旗下的主要股東，數(shù)據(jù)截至聯(lián)華電子股份有限公司2023年年報期止）

證券資料

子公司

以上參考資料：

主營業(yè)務(wù)

聯(lián)電提供先進(jìn)的制程技術(shù)提供晶圓制造服務(wù)，為IC產(chǎn)業(yè)各項應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)芯片。聯(lián)電完整的解決方案能讓芯片設(shè)計公司利用尖端制程的優(yōu)勢，所提供方案包括通過生產(chǎn)驗(yàn)證的65納米制程技術(shù)、45/40納米制程技術(shù)、混合信號/RFCMOS技術(shù)，以及其它多樣的特殊制程技術(shù)，橫跨12奈米到0.6微米等制程技術(shù)。可以讓客戶根據(jù)不同的需求選擇制程技術(shù)，如CMOS邏輯與混合信號、射頻互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體技術(shù)、嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存、嵌入式高壓、BCD、CMOS圖像感測器、微機(jī)電感測器、立體鰭式場效晶體管、射頻絕緣上復(fù)硅半導(dǎo)體（RFSOI）、2.5D/3D先進(jìn)封裝、氮化鎵、砷化鎵等制程，完成產(chǎn)品設(shè)計定案后，由聯(lián)電依規(guī)格制造生產(chǎn)。聯(lián)華電子在亞洲各地?fù)碛?2座晶圓廠，皆符合汽車業(yè)的IATF 16949制造認(rèn)證，其中四座是先進(jìn)的12英寸晶圓廠。

以上參考資料：

經(jīng)營狀況

2024年第一季度業(yè)績，營收17.1億美元，同比增長0.8%，較市場預(yù)期高出7000萬美元；凈利潤為3.27億美元，以新臺幣計算同比下滑35.4%；攤薄后每股收益為0.13美元，不及市場預(yù)期的0.15美元。晶圓出貨量環(huán)比增長4.5%至81萬片；預(yù)計第二季度晶圓出貨量將以低個位數(shù)百分比增長。整體利用率下降至65%，預(yù)計第二季度整體利用率在60%左右。聯(lián)電表示，本季度計算、消費(fèi)和通信領(lǐng)域的庫存狀況正在改善至更健康的水平，這將帶來晶圓出貨量的增長。但該公司表示，汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求依然低迷。聯(lián)電還維持了此前對2024年資本支出的預(yù)期，為33億美元。

技術(shù)突破

22奈米超低功耗／超低漏電制程技術(shù)

聯(lián)電開發(fā)22奈米制程技術(shù)，與28奈米高效能精簡型制程技術(shù)平臺（28HPC）具有相同光罩層數(shù)及兼容的設(shè)計準(zhǔn)則，但22奈米制程技術(shù)性能提升10%、功耗降低20%、晶粒尺寸減少10%，因此，22奈米制程技術(shù)的成本競爭力大大提升，進(jìn)而提供客戶更多選擇。聯(lián)電持續(xù)進(jìn)行制程優(yōu)化，擴(kuò)展特殊制程技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)品，涵蓋模擬、混合信號、射頻技術(shù)之物聯(lián)網(wǎng)、行動裝置與車用電子等領(lǐng)域之開發(fā)。在22奈米制程平臺構(gòu)架下，已順利建置完成車用Grade-1平臺設(shè)計規(guī)范，并完成可靠度及耐久度驗(yàn)證。

28奈米高效能制程技術(shù)

聯(lián)電的28納米后閘極高介電系數(shù)金屬閘極（28nm Gatelast High-K/Metal Gate）制程技術(shù)，具有卓越的低漏電和動態(tài)功率性能。28HPC+毫米波（mmWave）解決方案已通過驗(yàn)證，成功展現(xiàn)低噪音放大器（LNA）IC一次完成硅晶設(shè)計（first-pass silicon success）的非凡成果，非常適合應(yīng)用于高速毫米波設(shè)備，可支持高達(dá)110GHz的電路設(shè)計，相關(guān)技術(shù)應(yīng)用范圍包含行動裝置、車用電子和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等產(chǎn)品。

非揮發(fā)性內(nèi)存

聯(lián)電提供從180奈米至22奈米的eNVM特殊制程與配套IP解決方案，以供應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)、車用電子、工業(yè)控制及各種3C產(chǎn)品的應(yīng)用。40奈米非揮發(fā)性內(nèi)存eFlash制程平臺已進(jìn)入量產(chǎn)。28奈米內(nèi)嵌式非揮發(fā)性超級快閃記憶體制程平臺（28ESF4）于2023年完成通用及物聯(lián)網(wǎng)微處理器（Generic&IoT）驗(yàn)證，預(yù)期將可以供應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）之需求。電阻式隨機(jī)處理內(nèi)存（RRAM）為新興的非揮發(fā)性記憶體，擁有結(jié)構(gòu)簡單、操作電壓低、讀取電流低、讀寫速度極快、可靠度及耐用性高等優(yōu)點(diǎn)，可有效減少所需要的光罩數(shù)量，降低成本，并與現(xiàn)有邏輯平臺技術(shù)進(jìn)行整合。40奈米RRAM已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)，22奈米電阻器式內(nèi)存制程平臺（22RRAM）于2023年完成通用及物聯(lián)網(wǎng)微處理器（Generic&IoT）驗(yàn)證。

新世代的嵌入式磁阻內(nèi)存（eMRAM）與傳統(tǒng)的電荷擷取式內(nèi)存有相同的面積，卻有較為簡便的制程條件與更快的運(yùn)算速度，且儲存信息的熱穩(wěn)定性更佳與更耐久的讀寫次數(shù)。聯(lián)電持續(xù)投入eMRAM制程平臺研發(fā)，其中22奈米應(yīng)用于航天/低軌道衛(wèi)星（Aerospace/LEOSatellite）通信的高密度1GbHDMRAM芯片產(chǎn)品已進(jìn)入試產(chǎn)。

高壓顯示器驅(qū)動芯片制程技術(shù)

奠基于優(yōu)越的高壓制程，聯(lián)電具備從0.8微米到22奈米的全系列高壓制程技術(shù)平臺，提供小至大尺寸顯示器驅(qū)動芯片（LCD和OLED）設(shè)計的解決方案。聯(lián)電的OLED小面板顯示器驅(qū)動芯片（SDDI）在晶圓代工業(yè)界市占率排名全球第一，也是第一家提供28奈米OLEDDDI平臺進(jìn)行量產(chǎn)的晶圓代工廠，自2020年量產(chǎn)以來，已出貨超過4億顆IC。28奈米高壓27V制程技術(shù)的低溫多晶氧化物（LTPO）OLED面板驅(qū)動芯片產(chǎn)品已量產(chǎn)。22奈米高壓25V制程技術(shù)的LTPOOLED面板驅(qū)動芯片產(chǎn)品開發(fā)完成，已于2023年進(jìn)入試產(chǎn)。

28奈米超低功耗嵌入高壓平臺28eHV-LP制程技術(shù)已于2023年完成開發(fā)，采用了業(yè)界最小的sram單元，進(jìn)而縮減了芯片面積。相較于聯(lián)電現(xiàn)有的28納米eHV制程，28eHV-LP解決方案可在不影響圖象畫質(zhì)或數(shù)據(jù)速率的前提下，降低耗能達(dá)15%，滿足節(jié)省電池用電的需求，其制作的顯示屏驅(qū)動芯片SDDI可廣泛應(yīng)用于高階智慧手機(jī)和VR/AR設(shè)備上越來越普及的主動矩陣有機(jī)發(fā)光二極管（AMOLED）面板。

電源管理芯片制程技術(shù)

電源管理芯片（PMIC）可提高電子設(shè)備的電源效率，減少電壓轉(zhuǎn)換時的能源損耗，達(dá)到節(jié)能之功效。針對來自于各式各樣電源管理的需求，聯(lián)電提供超高壓（Super High Voltage，5V與30V搭配300V、500V或700V）制程，亦提供與標(biāo)準(zhǔn)邏輯兼容以及完整硅智財平臺，結(jié)合世界水準(zhǔn)之第三代低導(dǎo)通電阻（Low Conduction Resistance）高耐壓（High Sustain Voltage）元件于一體的制程技術(shù)，涵蓋手機(jī)平板家電、車用工業(yè)級等應(yīng)用。

雙極-互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體雙重擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體（BCD，Bipolar-CMOS-DMOS）元件可提供PMIC所需的各種高壓運(yùn)作能力，聯(lián)電的BCD技術(shù)可在200mm或300mm晶圓制程中實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V工作電壓的電源管理IC設(shè)計，提供全面的晶圓級制造解決方案，以滿足電子系統(tǒng)的節(jié)能需求，其器件包括低壓MOS、高壓DMOS、混合信號和模擬元件、被動元件以及嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存（NVM），涵蓋了極為廣泛的電子應(yīng)用。繼0.11微米BCD技術(shù)平臺之PMIC成功進(jìn)入量產(chǎn)后，0.11微米嵌入非揮發(fā)性內(nèi)存結(jié)合BCD技術(shù)平臺之PMIC已完成車用元件模型與設(shè)計規(guī)范，并完成車用平臺的硅智財建置。次世代客制化手機(jī)功率IC開發(fā)已完成產(chǎn)品驗(yàn)證，并進(jìn)入試產(chǎn)。0.11微米BCD 3.3V新應(yīng)用平臺開發(fā)完成，即將進(jìn)行FDK建置及導(dǎo)入設(shè)計定案與驗(yàn)證階段。

CMOS圖像信號處理器技術(shù)

聯(lián)電提供客戶高效能的互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體圖像信號處理器（CMOSISP，CMOS image signal processor）解決方案，已被全球領(lǐng)導(dǎo)廠商采用于主流應(yīng)用中，例如高動態(tài)范圍（HDR，High 動態(tài)模擬 range）相關(guān)產(chǎn)品、監(jiān)控（surveillance）、行車紀(jì)錄（Dash CAM）與智慧物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）等，可滿足客戶高感測分辨率與快速對焦（PDAF）功能，以及產(chǎn)品多樣性的市場需求。已量產(chǎn)的28奈米高效能運(yùn)算isp（28HPC+ISP）技術(shù)提供當(dāng)前業(yè)界最高階的2億畫素行動圖像感測器及最小尺寸畫素的產(chǎn)品.22奈米ISP技術(shù)，能提供更低的核心操作電壓與更佳的能耗表現(xiàn)，在完成元件模型與設(shè)計規(guī)范以及相關(guān)硅智財?shù)慕ㄖ煤螅延?023年進(jìn)入試產(chǎn)。

微機(jī)電感測器制程技術(shù)

聯(lián)電有麥克風(fēng)、慣性感測器、壓力感測器及環(huán)境感測器（溫濕度計、氣體感測器）等微機(jī)電感測器（MEMS）產(chǎn)品生產(chǎn)制造的豐富經(jīng)驗(yàn)，提供8寸廠制造產(chǎn)能以及完備技術(shù)支持，目前MEMS出貨已超過數(shù)十萬片。為了迎合MEMS市場今后的需求，聯(lián)電已建立了一系列MEMS制程模塊，協(xié)助客戶以既有模塊快速應(yīng)用在CMOS晶圓代工廠內(nèi)生產(chǎn)MEMS結(jié)構(gòu)。許多客戶業(yè)已透過這些解決方案，將多種不同MEMS裝置推出問市。

射頻絕緣半導(dǎo)體

聯(lián)電RFSOI技術(shù)建立在高阻抗的SOI基板上，展現(xiàn)極具競爭力的Ron*Coff和LNA元件性能等特點(diǎn)，有良好的噪聲隔絕能力，可防止高頻信號倍頻諧波失真及降低功率流失，適用于4G/LTE和5G應(yīng)用的天線開關(guān)、天線調(diào)諧器和低噪聲放大器。以CMOS為基礎(chǔ)的RFSOI技術(shù)，還具有整合控制電路、低噪聲放大器和射頻開關(guān)在單一芯片中的優(yōu)勢。聯(lián)電的RFSOI技術(shù)組合在市場上已成功地被多家主要的前端組件制造商所采用，也最早領(lǐng)先業(yè)界應(yīng)用12寸晶圓生產(chǎn)RFSOI芯片。隨著55奈米制程產(chǎn)品量產(chǎn)并符合5Gsub-6GHz市場需求，聯(lián)電持續(xù)開發(fā)40奈米RFSOI技術(shù)平臺，并推出晶圓代工設(shè)計套件，提供可量產(chǎn)毫米波（mmWave）的射頻（RF）前端制程解決方案。22奈米RFSOI目前亦已進(jìn)入開發(fā)階段，以期布局未來應(yīng)用于40GHz以上的市場。

化合物半導(dǎo)體元件

聯(lián)電集團(tuán)在化合物半導(dǎo)體整體布局上，主要布局通信元件與第三類半導(dǎo)體功率元件等關(guān)鍵利基市場。砷化鎵元件部分針對既有HBT功率放大器持續(xù)加入SAWfilter整合方案，提供手機(jī)射頻前端模塊與WiFi6/7通信模塊整合制造方案。砷化鎵pHEMT部分持續(xù)開發(fā)適用于5G行動通信毫米波頻段基地臺與Ka/Ku-band低軌衛(wèi)星接收器芯片關(guān)鍵技術(shù)。另外在第三類寬能隙半導(dǎo)體元件技術(shù)部分，也積極投入氮化鎵功率元件（PowerGaN）與微波元件（RF-GaN）技術(shù)平臺之開發(fā)，借以布局高效能電源市場與5G基地臺／低軌衛(wèi)星通訊市場，RFGaN產(chǎn)品與650V GaN功率元件都已進(jìn)入試產(chǎn)階段。

企業(yè)文化

社會責(zé)任

慈善公益

聯(lián)電科技文教基金會

基金會長期推動“播撒希望種子~弱勢家庭學(xué)童教育協(xié)助項目”，讓弱勢家庭學(xué)童可受到較佳的教育并培養(yǎng)未來競爭力，此項目由基金會提供經(jīng)費(fèi)，與新竹、臺南市的公益伙伴合作成立課輔中心，聘請大學(xué)生擔(dān)任老師，免費(fèi)為弱勢學(xué)童進(jìn)行課業(yè)輔導(dǎo)。同時，基金會認(rèn)養(yǎng)臺灣家扶中心弱勢學(xué)童滿20年。

基金會長期贊助青少年表演藝術(shù)聯(lián)盟主辦的高中生戲劇創(chuàng)作比賽“花樣年華全國青少年戲劇節(jié)”；支持臺灣看見家鄉(xiāng)推廣教育協(xié)會之看見家鄉(xiāng)計劃，建立學(xué)生的媒體素養(yǎng)及地方認(rèn)同；于誠正矯正中學(xué)實(shí)施藝術(shù)教育推廣計劃提升青少年自信心及成就感；贊助東元科技文教基金會“驚嘆號-臺灣原住民族群永續(xù)教育計劃”，協(xié)助原住民歌舞祭典文化傳習(xí)，共同深耕偏鄉(xiāng)藝術(shù)教育。

基金會長期支持黃泰吉和廖德蘭教練領(lǐng)軍的南投空手道隊；2021年起贊助嘉義東石高中棒球隊。除此之外，贊助IC之音“教育創(chuàng)生紀(jì)元”節(jié)目，分享跨領(lǐng)域教育及地方創(chuàng)生案例，啟發(fā)教育新思維。另長期贊助普通話日報讀報教育項目，提供學(xué)生更寬廣的閱讀資源。

聯(lián)園樂活教育基金會

“聯(lián)園樂活教育基金會”成立于2009年，于聯(lián)電新竹力行廠區(qū)設(shè)有聯(lián)園活動中心，提供公司同仁、市民及園區(qū)從業(yè)人員良好的運(yùn)動設(shè)施和安全活動場所為目標(biāo)，并協(xié)助提供園區(qū)與市府各類運(yùn)動或活動所需使用場地。除持續(xù)投入于內(nèi)部人才之養(yǎng)成與能力提升外，聯(lián)電更進(jìn)一步向下扎根，希望透過早期的接觸啟發(fā)興趣并培養(yǎng)專業(yè)知識。從深入國小校園進(jìn)行半導(dǎo)體科普課程，由聯(lián)電人組成志工團(tuán)隊，連接本業(yè)核心能力研發(fā)半導(dǎo)體科普教材及科普教育課程，與學(xué)生進(jìn)行互動課程，揭開學(xué)童對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從生產(chǎn)、制造到成為日常生活產(chǎn)品的神秘面紗，2023年科普志工服務(wù)共53梯次，4268人次受益。

聯(lián)電于大專院校推動優(yōu)質(zhì)重點(diǎn)研發(fā)人才、深化產(chǎn)學(xué)合作，透過與重點(diǎn)學(xué)校合作開設(shè)半導(dǎo)體實(shí)務(wù)專班，由聯(lián)電各領(lǐng)域?qū)＜覔?dān)任講師，從大學(xué)階段即開始培育半導(dǎo)體種子人才，讓年輕學(xué)子于就學(xué)期間即能更深入學(xué)習(xí)半導(dǎo)體相關(guān)知識與技術(shù)，并與后續(xù)的職場人才發(fā)展緊密銜接，積極媒合就業(yè)，扎根臺灣半導(dǎo)體科技人才培育。

為感念劉炯朗院士長期投入電機(jī)電子教育，及在擔(dān)任聯(lián)華電子獨(dú)立董事期間對公司經(jīng)營決策的指導(dǎo)與貢獻(xiàn)，聯(lián)電于2023年度設(shè)立“聯(lián)電劉炯朗博士生獎學(xué)金”，鎖定半導(dǎo)體元件、制程、材料、設(shè)備相關(guān)領(lǐng)域，提供博士生每人每月四萬元獎學(xué)金，最長可連續(xù)四年，以鼓勵其專心致力于學(xué)術(shù)研究，無后顧之憂地投入科技創(chuàng)新，2023年共有10位同學(xué)獲此獎助。