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來源：互聯網

施敏（1936年3月21日-2023年11月6日），號福佑，江蘇吳江震澤人，生于南京，微電子科學技術、半導體器件物理專家，“臺灣中央研究院”院士、美國國家工程院院士、中國工程院外籍院士，臺灣交通大學電子工程學系毫微米元件實驗室教授。施敏在半導體領域的貢獻卓越，與姜大元共同發明了非揮發性記憶體（Flash），并著有被譽為“半導體界的圣經”的《半導體元件物理學》。他曾任職于美國貝爾實驗室與臺灣交通大學電子工程系教授、臺灣陽明交通大學與臺灣科技大學的榮譽講座教授、及美國斯坦福大學電機系顧問教授。施敏是電機電子工程師學會（IEEE）會士、尊榮會員。2021年9月12日，獲2021未來科學大獎數學與計算機科學獎。2023年11月6日，施敏去世，享年87歲。

人物生平

1936年3月21日，施敏出生于中國江蘇省南京市，之后隨家人前往臺灣，父親施家福是留學法國的礦冶專家，后被調任為臺灣金銅礦務局局長，施敏全家于1948年12月遷居臺灣。1957年，畢業于臺灣大學電機系，之后赴美留學。1960年，獲得華盛頓大學電機系碩士學位。1963年，獲得斯坦福大學電機系博士學位，博士畢業后，在斯坦福大學教授John Moll推薦下進入貝爾實驗室工作，在此工作直到1989年退休。

1966年夏，施敏在臺灣學界的邀請下回到臺灣講課，在臺灣清華大學暑期舉辦了兩個月的講座。1968年，選擇留職停薪，把貝爾實驗室的工作停擺了下來，回到臺灣于臺灣交通大學擔任董浩云講座教授一年，在電子研究所開設《半導體元件物理》《固態電子元件實驗》兩門課程。1969年初，以論文《金屬半導體薄膜結構之特性》獲得中山學術著作獎。同年7月參與創辦臺灣第一家半導體公司環宇電子Inc.，擔任技術顧問，而任職的工程人員包括宏碁創始人施振榮。

1989年，自貝爾實驗室退休。1990年，開始于臺灣交通大學電子工程系任教，擔任電子與資訊研究中心主任。1991年，獲得電氣和電子工程師協會電子器件Ebers獎。1994年，當選為“臺灣中央研究院”院士（數理組）。1995年，當選為美國國家工程院院士。1998年，當選為中國工程院外籍院士。1998年，擔任臺灣奈米元件實驗室主任（至2004年）。2004年，擔任臺灣奈米元件實驗室資深顧問。2010年6月，獲贈臺灣交通大學終身講座教授。2014年6月，獲贈臺灣科技大學榮譽講座教授。2017年12月，獲IEEE頒贈2017年度“尊榮會員”。2018年5月25日，到西安交通大學進行訪問交流。

主要成就

科研成就

1967年，施敏與韓裔美國人姜大元（Dawon Kahng）休息吃甜點時，用了一層又一層的涂醬，觸動施敏與他二人的靈感，想到在金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）中間加一層金屬層，結果發明了非揮發性記憶體（Flash），5月兩人在《貝爾系統科技期刊》（The Bell System Technical Journal）上發表第一篇關于非揮發性內存的論文“浮閘非揮發性半導體內存細胞元件”，第一次闡述了閃存存儲數據的原理技術，隨后由貝爾實驗室取得專利。1969年，施敏編著的《半導體元件物理學》（Physics of 半導體 Devices）第一版出版，之后被翻譯成六國文字，被廣泛用作教科書與參考書。1970年代，時任臺灣地區經濟事務主管部門負責人孫運邀請施敏擔任“經濟部發展積體電路計畫工作小組”成員之一，施敏所提出的最關鍵建言，就是力薦孫運璿要推動半導體業。20世紀80年代初，施敏首先以電子束制造出線寬為0.15μm MOSFET器件，首先發現崩潰電壓與能隙的關系，建立了微電子元件最高電場的指標。

人才培養

1968年，臺灣設立工程博士班，施敏擔任首位工程博士候選人張俊彥的論文導師，1970年張俊彥以《金屬半導體接口載子傳導》為論文題目，通過口試成為臺灣第一位工程博士。指導的學生盧超群1999年當選為美國國家工程學院院士。2003年以來，施敏在中國內地高校，包括西安交通大學、北京交通大學、東北大學、吉林大學、山東大學、蘇州大學和安徽大學，開設“半導體物理和設備”這門課程，該課程主要是為了培養更多的中國學生參與到半導體設備領域。2005年，在上海交通大學開設了一門INTENSIVE COURSE，為期三周共18節課。