閃存存儲（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
概述
閃存（flash memory，有時稱為flash RAM）是一種不斷供電的非易失性存儲器，它能在稱為塊（block）的存儲單位中進行刪除和改編。閃存是電可擦寫可編程只讀存儲器（EEPROM）的變體，EEPROM與閃存不同的是，它在字節(jié)層面上進行刪除和重寫，這樣EEPROM就比閃存的更新速度慢。通常用閃存來保存控制代碼，比如在個人電腦中的基本輸入輸出系統(tǒng)（BIOS）。當需要改變（重寫）輸入輸出系統(tǒng)時，閃存可以以塊（而不是字節(jié)）的大小輸寫，這樣閃存就更容易更新。但另一方面，閃存不像隨機存取存儲器（RAM）一樣有用，因為隨即存取存儲器可以在字節(jié)（而不是塊）層面上設(shè)定地址。
閃存（flash memory）這個名字是因為微芯片被組織來使存儲單元的一部分能在一瞬間（或閃電般的）被刪除得出的。這種刪除是通過隧道效應（Fowler-Nordheim tunneling）進行的，在隧道效應中電子刺破薄薄的一層絕緣材料來從每個存儲單元的浮柵中國移動電荷。英特爾提供了一種形式的閃存，它在每個存儲單元保存2比特（而不是1比特），這樣能夠使存儲量翻倍而無需增加相應的價格。
閃存被用于數(shù)碼手機、數(shù)碼照相機、局域網(wǎng)交換機、筆記本電腦的PC卡、嵌入式控制器等設(shè)備中。
背景
存儲瓶頸的具體位置通常決定了在什么地方部署閃存存儲技術(shù)（例如在主機端或是磁盤陣列端），但存儲瓶頸和具體的使用案例關(guān)系并不大，但卻和現(xiàn)有的存儲基礎(chǔ)架構(gòu)戚戚相關(guān)。不管怎樣，部署位置的判斷可以影響到所使用的閃存存儲類型（固態(tài)存儲驅(qū)動器或是閃存插卡，如PCIe的插卡），以及將其部署為CPU緩存或單獨的存儲層。閃存存儲的部署類型又決定了所需的容量（分層模式會比閃存模式需要更多容量），而成本和預算又會對容量產(chǎn)生限制。
參考資料 >
什么是Flash Memory.華強電子網(wǎng).2023-12-28