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來源：互聯網

梁孟松，1952年出生，男，漢族，畢業于加利福尼亞大學伯克利分校電機工程及計算機科學系，師從胡正明教授，博士學位。中國臺灣電子工程學家、電機和電子工程師學會院士（IEEE Fellow），被稱為“臺灣芯片魔術師”。擁有450多項專利，曾發表技術論文350余篇，主要從事內存儲存器以及先進邏輯制程技術開發。

梁孟松現任中芯國際集成電路制造有限公司（全稱中芯國際集成電路制造有限公司，證券代碼：00981.HK/688981.SH）聯合首席執行官，曾于2017年10月至2021年11月期間擔任該公司執行董事。被列為中芯國際5名核心技術人員之一。

梁孟松曾任AMD（美國超威）工程師、臺積電資深研發處長、三星電子芯片部門技術長，其擁有發明專利“集成電路結構的形成方法”“集成電路與其形成方法與電子組件專利”等。

個人經歷

梁孟松1952年7月出生，在國立成功大學電機工程學系取得學士與碩士學位，后就讀于加利福尼亞大學伯克利分校電機工程及計算機科學系，取得博士學位。師從半導體晶圓加工技術之父胡正明教授。

畢業后加入AMD（美國超威半導體公司）從事存儲器研發。

1992年，時年40歲的他離開美國，回到中國臺灣，擔任臺積電工程師、資深研發處長，是臺積電近500個專利的發明人。2003年，梁孟松助力臺積電在130納米制程工藝中擊敗IBM。

2006年，梁孟松因在臺積電受到冷遇，晉升無望，導致他離職，并帶走了一批研發人員投奔三星，出任三星芯片部門首席技術官。在梁孟松團隊的幫助下，三星在半導體領域迅速崛起，其14納米制程量產比臺積電早了約半年，并從臺積電手中連續搶走了蘋果、高通的大單，臺積電因此損失慘重。2009年8月在三星電子旗下的成均館大學任教。2010年10月，梁孟松在韓國成均館大學擔任訪問教授。

2017年10月加入中芯國際集成電路制造有限公司，被任命為聯合首席執行官兼執行董事。被列為中芯國際5名核心技術人員之一。

2020年12月16日，中芯國際發布公告稱，已知悉梁孟松博士有條件辭任的意愿，中芯國際正積極與梁博士核實其真實性辭任之意愿。

2021年11月11日，中芯國際公告，梁孟松不再擔任執行董事，繼續擔任聯合首席執行官。

主要成就

2016年2月份，中芯國際就宣布28納米工藝進入設計定案階段（tape-out），但良品率一直不穩定。2016年，梁孟松在其率領團隊的努力下，不到一年就將中芯國際集成電路制造有限公司28納米工藝良品率提升至85%以上。2017年10月，梁孟松在中芯國際的邀請下，出任中芯國際聯席CEO。在短短300天內就攻克了14納米工藝技術的難關，將中芯國際的工藝良品率提升到95%。

作為專利發明人：集成電路結構的形成方法，專利號：CN201310390288.3。集成電路與其形成方法與電子組件，專利號：CN200410042978.0。

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主要成就

榮譽獎項

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