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銻化是一種由銦和銻組成的金屬間化合物，可由銦和銻兩種單質高溫反應制得。它是一種半導體材料，廣泛應用于制備、紅外線導引導彈制導和紅外天文學等領域。銻化銦是制作波長為3～5μｍ的紅外探測器的重要材料，用于制太陽能光伏型或光導型單元、多元及焦平面紅外探測器以及磁敏器件。銻化銦的CAS號是1312-41-0，EINECS號是215-192-3，分子式是InSb，分子量是236.578。銻化銦在紅外探測器中具有重要的應用，包括熱成像相機、FLIR系統、紅外精確制導導彈系統和紅外天文學等領域。銻化銦探測器對1至5μm的紅外波長非常敏感。此外，銻化銦還可作為太赫茲輻射源，因為它是一種強的光電導效應發射體
制備方法
銻和銦的化合物，金屬銻和銦在高溫熔合而得，具閃鋅礦型結構的晶體。
衍生物
銻化銦單晶(銦 antimoningle crystal InSb)
共價鍵結合，有一定離子鍵成分。立方晶系閃鋅礦型結構，晶格常數0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔點525℃。為直接帶隙半導體，室溫禁帶寬度0.18eV，本征載流子濃度1.1×1022/m3，本征電阻率6×10-4Ω·m，較純晶體的電子和空穴遷移率為10和0.17m2/(V·s)。采用區域熔煉、直拉法制備。用于制作遠紅外光電探測器、霍耳器件和磁阻器件。
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