班士良，蒙古族，1956年1月生，中國共產(chǎn)黨黨員，曾任內(nèi)蒙古大學校長助理、研究生院常務副院長。2011年11月2日任內(nèi)蒙古大學黨委委員，內(nèi)蒙古大學副校長。中國物理學會理事、高等學校物理學類專業(yè)教學指導分委員會委員（2006-2010）、中國物理學會半導體物理專業(yè)委員會委員、全國熱力學與統(tǒng)計物理教學研究會秘書長、內(nèi)蒙古自治區(qū)物理學會理事長、內(nèi)蒙古自治區(qū)高等學校半導體光伏技術重點實驗室主任。
人物經(jīng)歷
班士良于1978年3月至1981年12月在內(nèi)蒙古大學物理學專業(yè)攻讀學士，1982年3月至1985年12月在內(nèi)蒙古大學理論物理專業(yè)攻讀碩士學位。1996年9月至1999年7月在內(nèi)蒙古大學理論物理專業(yè)攻讀博士學位。1988年9月至1989年9月作為訪問學者在加拿大舍布魯克大學物理系學習，1997年8月至1998年8月在美國西佐治亞州立大學物理系擔任訪問學者。自1985年12月起，班士良在內(nèi)蒙古大學物理系、理工學院物理系、物理科學與技術學院任教。1987年晉升為講師，1992年晉升為副教授，1995年晉升為教授。1995年3月至1996年9月任內(nèi)蒙古大學物理系副主任，1999年10月至2008年2月任內(nèi)蒙古大學理工學院院長，2008年2月至2009年3月任內(nèi)蒙古大學物理科學與技術學院院長，2009年3月至2011年11月任內(nèi)蒙古大學研究生院常務副院長，2008年5月至2011年11月任校長助理，2011年11月起擔任內(nèi)蒙古大學副校長。
研究相關
研究方向
1、半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)和納米材料中電子態(tài)和載流子輸運等性質(zhì)及其電子聲子相互作用等問題。
2、新型薄膜太陽電池及材料的研制、機理分析和應用研究。
研究項目
1.??國家自然科學基金 國家基礎科學人才培養(yǎng)基金資助項目，起止時間：2001年1月-2005年12月。
2.??國家自然科學基金 內(nèi)蒙古大學數(shù)學物理學基地，起止時間：2008年1月-2010年12月。
3.?國家自然科學基金 內(nèi)蒙古大學數(shù)學物理學基地可持續(xù)發(fā)展條件建設，起止時間：2012年1月-2015年12月。
主要成就
論文著作
1、Y. Qu and S. L. Ban，Ternary mixed crystal effect on electron mobility in a strained wurtzite AlN/GaN/AlN quantum well with an InxGa1-xN nanogroove, J. APPL Phys. 110, 7(2011.7)
2、S. H. Ha，S. L. Ban and J. Zhu，Screened excitons in strained wurtzite AlxGa1?xN/GaN/AlyGa1?yN quantum wells， Phys. Status. Solidi C, 8（1）34-37(2011.1)
3、J. Zhu, S. L. Ban, and S. H. Ha, Binding Energies of Excitons in Strained [0001]-oriented Wurtzite AlGaN/GaN double quantum wells, Phys. Status. Solidi B, 248（2），384-388(2011.2)
4、 屈媛, 班士良，纖鋅礦氮化物量子阱河南中光學集團有限公司聲子模的三元混晶效應,物理學報，59（7），(2010.07)
5、M. Zhang and S.L. Ban, Screening influence on the Stark effect of impurity states in strained wurtzite GaN/AlxGa1-xN heterojunctions, Chinese Physics B, 18(12), (2009.12)
6、M. Zhang and S.L. Ban, 壓強 influence on the Stark effect of impurity states in a strained wurtzite GaN/AlxGa1-xN heterojunction, Chinese Physics B, 18(10), (2009.10)
7、Y. Qu and S. L. Ban,Electron mobility in wurtzite nitride quantum wells limited by optical-phonons and its 壓強 effect, Eur. Phys. J. B (2009.6)
8、G. J. Zhao, X.. X. Liang and S. L. Ban, Polaron effect on the binding energies of excitons in quantum wells under hydrostatic pressure, Physica Status Solidi C, 6(1), (2009)
9、X. P. Bai and S. L. Ban, Hydrostatic 壓強 effect on the electron mobility in a ZnSe/Zn1-xCdxSe strained heterojunction，Chinese Physics, 17(12), (2008.12)
10、J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Confined LO-phonon-assisted magneto tunneling in a parabolic quantum well with double barriers, Physica E, 40(8), (2008)
11、S. H. Ha and S. L. Ban，Binding energies of excitons in a strained wurtzite GaN/AlGaN quantum well influenced by screening and hydrostatic 壓強, J. Phys.: Condens. Matter, 20, (2008.02)
12、X. M. Jia and S. L. Ban, Optical phonon influence on the mobility of electrons in wurtzite and zincblende AlN/GaN quantum wells, J. Physics: Conference Series, (4 Pages) (2007.12)
13、G. D. Hao, S. L. Ban and X. M. Jia, 壓強 effect on the mobility of electrons in AlAs/GaAs quantum wells, Chinese Physics, 16(12), (2007.12)
14、J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, 動力學 of spin-dependent tunneling through a semiconductor double-barrier structure, J. Appl. Phys. (2007.10)
15、X. P. Bai and S. L. Ban, Electron mobility in a realistic AlxGa1-xAs/GaAs heterojunction potential under pressure, Eur. Phys. J. (2007.08)
16、G. J. Zhao, X.. X. Liang and S. L. Ban, Effect of hydrostatic 壓強 on the binding energies of excitons in quantum wells, International Journal of Modern Physics B ,(2007.07)
17、J. Gong, X. X. Liang, and S. L. Ban, Tunneling 時間 of electronic wave packet through a parabolic quantum well with double barriers, Phys. Status Solidi (b), (2007.06)
18、S. H. Ha and S. L. Ban, Screening influence on the binding energies of excitons in quantum wells under pressure, AIP Conference Proceedings, (2007.06)
19、Z. W. Yan, S. L. Ban and X. X. Liang, Polaron properties in ternary group-III nitride mixed crystals, AIP Conf. Proc. (2006)
20、X. L.Yu, 第二人生Ban, Cyclotron resonance of a polaron in a realistic heterojunction and its 壓強 effect, Eur. Phys. J. (2006.08)
21、J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Confined LO-phonon-assisted tunneling in a parabolic quantum well with double barriers, J. Appl. Phys.,100（2）,（2006.7)
22、Z. Z. Guo, X. X. Liang and S. L. Ban, Interface excitons in a type-Ⅱ ZnSe/ZnTe heterojunction under hydrostatic 壓強: the triangle potential well approximation, Physica Scripta, （2006.2）
23、Z. W. Yan, X. X. Liang and S. L. Ban, Intermediate-coupling poltarons in GaN, AlN, and InN, AIP Conference Proceedings, (2005)
24、S. L. Ban and S. T. Wang, Magnetic field effect on bound polarons in semiconductor heterojunctions under pressure, AIP Conference Proceedings, (2005)
25、J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Resonant tunneling in parabolic quantum well structures under a uniform transverse magnetic field, Chinese Physics, (2005)
26、Z. W. Yan, S. L. Ban and X. X. Liang, Intermediate-coupling polaron properties in wurtzite nitride semiconductors, Physics Letters A,(2004)
27、X. X. Liang and S. L. Ban, Optical vibration modes and electron-phonon interaction in ternary mixed crystals of polar semiconductors,Chinese Physics,( 2004.01)
28、Z. W. Yan, S. L. Ban and X. X. Liang, 壓強 dependence of electron- IO- phonon interaction in multi-interface heterostructure systems, Int. J. of Modern Physics B, (2003. 03)
29、Z. W. Yan, S. L. Ban and X. X. Liang, Effect of electron-phonon interaction on surface states in 鋅blende GaN, AlN, and InN under pressure, Eur. Phys. (2003)
30、G. J. Zhao, X. X. Liang and S. L. Ban, Binding energies of donors in quantum wells under hydrostatic 壓強, Physics Letters A 319,(2003)
31、Z. Z. Guo, X. X. Liang and S. L. Ban, Pressure effect on the interface excitons in a type-Ⅱ ZnTe/CdSe heterojunction, Modern Phys. Lett. B,17 (27-28), (2003)
32、F. Q. Zhao, X. X. Liang and S. L. Ban, Influence of the spatially dependent effective 質(zhì)量 on bound polarons in finite parabolic quantum wells, Eur. Phys. (2003)
33、Y. L. Cao, S. L. Ban and G. J. Zhao, The effect of Hydrostatic 壓強 on bound polarons in polar semiconductor heterojunctions, Modern Physics Letters B, (2003)
34、G. J. Zhao, X. X. Liang and S. L. Ban, Binding energies of excitons in GaAs/AlAs quantum wells under pressure, Modern Physics Letters B, (2003)
35、Z. Z. Guo, X. X. Liang and S. L. Ban, 壓強induced increase of exciton-LO-phonon coupling in a Zn1-xCdxSe/ZnSe quantum well, Phys. Stat. (2003)
36、Z. Z. Guo, X. X. Liang and S. L. Ban, Pressure tuning of strains in Zn1-xCdxSe/ZnSe (x<0.1) single quantum wells, Phys. Lett. A, 306, (2002)
37、J. Gong, S. L. Ban and X. X. Liang, Resonant tunneling in semiconductor multibarrier heterostructures, Int. J. of Modern Physics B, (2002)
38、X. X. Liang and S. L. Ban, Note to electron-phonon interaction in polar ternary mixed crystals, Journal of Luminescence 94-95, (2001)
39、F. Q. Zhao, X. X. Liang and S. L. Ban, 能量 levels of a polaron in a finite parabolic quantum well, I.Jackie McLeanPhys B 15(5),(2001)
40、Z. W. Yan, X. X. Liang and S. L. Ban, IO-phonon-assisted tunneling in asymmetric double-barrier structures, Phys Rev B64(12),(2001)
41、X. X. Liang, Z .P. Wang and S. L. Ban, Bound polarons in ternary mixed crystals, Journal of Luminescence, (2000)
42、S. L. Ban, J. E. Hasbun and X.X. Liang, A novel method for quantum transmission across arbitrary potential barriers, Journal of Luminescence, (2000)
43、S. L. Ban and J. E. Hasbun, Bound polarons in a polar semiconductor heterojunction, Phys. REV (1999)
44、S. L. Ban and J.E.Hasbun, Donor level in a quasi- two dimensional heterojunction system, Solid State Commun. (1999)
45、S. L. Ban and J. E. Hasbun, Interface polarons in a realistic heterojunction potential, Eur. Phys. (1999)
46、J. E. Hasbun and S. L. Ban, Optical-phonon scattering in quasi-two-dimensional heterojunction systems, Phys. REV(1998)
47、S. L. Ban and X. X. Liang, Interface polarons in a heterojunction with triangular bending-band, Eur. Phys. J.(1998)
48、X. X. Liang, S. L. Ban and R. S. Zheng, Effect of optical phonons on the binding 能量 of an exciton in a quantum well, J. Luminescence, (1997)
49、S. L. Ban, X. X. Liang and R. S. Zheng, Cyclotron resonance of two-dimensional interface polarons, Phys. REV (1995)
50、G. H. Yun, J. H. Yan, S. L. Ban and X. X. Liang, Properties of perfect confined modes and interface modes of spin- waves in a ferromagnetic bilayer system, Surf. Sci. (1994)
51、S. L. Ban, X. X. Liang and R. S. Zheng, Influence of interface phonons on a polaron near a polar semiconductive heterointerface, Phys. Lett A, (1994)
52、R. S. Zheng, S. L. Ban and X. X. Liang, Polaronic effect on the electron 能量 spectrum in a quantum well, J Phys. (1994)
53、R. S. Zheng, S. L. Ban and X. X. Liang, Effect of the interface and bulk optical phonons on the polarons in a quantum well, Phys. REV (1994)
54、S. L. Ban, R. S. Zheng, X. M. Meng and L. Y. Zhao, 溫度 dependence of the N-dimensional polaron, J Phys. (1993)
56. S. W. Gu and S. L. Ban, The ground state effective Hamiltonian of the strong coupling One- dimensional optical exciton, Phys. Stat. (1984)
獲獎榮譽
1、1996 年獲政府特殊津貼。
2、1998年入選自治區(qū)“321人才工程”第一層次人選。
3、1998年，異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料中電子與聲子作用及相關問題的理論研究，內(nèi)蒙古自治區(qū)科技進步三等獎。
4、2001年入選自治區(qū)高等教育“111工程”第一層次人選。
5、2002年入選自治區(qū)“新世紀321人才工程”第一層次人選。
6、2002年被授予“高等學校優(yōu)秀骨干教師”。
7、2002年被授予“內(nèi)蒙古自治區(qū)有突出貢獻中青年專家”稱號。
8、2003年被授予“優(yōu)秀留學回國人員”稱號。
9、2003年被評為自治區(qū)“十佳”優(yōu)秀青年學科帶頭人。
10、2005 年獲寶鋼優(yōu)秀教師獎并被評為自治區(qū)勞動模范（先進工作者）。
11、2005年，“熱物理”系列課程教學改革與建設，內(nèi)蒙古自治區(qū)教學成果二等獎。
12、2008年獲自治區(qū)高等學校教學名師獎。
11、2009年，壓力下半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中電子 — 聲子相互作用及相關問題，內(nèi)蒙古自治區(qū)（首屆）自然科學獎三等獎（2007年度）。
12、2009年，國家精品課程《統(tǒng)計熱力學》改革與建設，內(nèi)蒙古自治區(qū)教學成果一等獎。
13、2009年，數(shù)理科學創(chuàng)新型基礎人才培養(yǎng)與數(shù)理學基地建設，內(nèi)蒙古自治區(qū)教學成果二等獎。
14、2019年9月5日，被授予“全國模范教師”稱號，享受省部級表彰獎勵獲得者待遇。
參考資料 >
班士良.內(nèi)蒙古大學物理科學與技術學院.2024-03-29