吳德馨（1936－）:半導體器件和集成電路專家。女。樂亭縣人。1961年畢業于清華大學無線電電子工程系。1986年，吳德馨任中國科學院微電子中心副主任、研究員。1991年至1997年，她擔任中國科學院微電子研究所第二屆、第三屆中心主任。
人物概況
吳德馨（1936－）：半導體器件和集成電路專家。女。河北樂亭人。1961年畢業于清華大學無線電電子工程系。中國科學院微電子中心研究員。 60年初，吳德馨作為主要負責人之一，在國內首先研究成功硅平面型高速開關晶體管，所提出的提高開關速度的方案被廣泛采用，并向全國推廣。六十年代末期研究成功介質隔離數字集成電路和高阻抗運算放大器模擬電路。70年代末研究成功MOS4K位動態隨機存儲器。在國內首先將正性膠光刻和干法刻蝕等技術用于大規模集成電路的研制，并進行了提高成品率的研究。首先在國內突破了LSI低下的局面。隨后又相繼研究成功16K位和64K位動態隨機存儲器。開發成功雙層多晶硅和差值氧化工藝，獨創了檢測腐蝕接觸孔質量的露點法。80年代末期自主開發成功3微米CMOSLSI全套工藝技術，用于專用電路的制造。研制成功多種專用集成電路；并研究開發成功VDMOS系列功率場效應器件和化嫁異質結高電子遷移率晶體管。90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工藝技術，和0.1微米T型柵GaAsPHEMT器件。目前正在從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究。
在中國，院士是科學家的終身榮譽。連日來，活躍在人代會上的院士們或直抒胸臆、縱橫捭闔，或條分縷析、娓娓道來，“風采”各有不同。但他們的出發點都是相同的，就是為國家各項事業的發展貢獻自己的真知灼見，行使憲法和法律賦予的神圣職責。全國人大代表、中科院院士吳德馨認為，遏制司法腐敗，審判制度改革很重要。
吳德馨院士從事半導體器件與集成電路的研究與開發，曾獲國家和中科院一等獎3項。1992年被國家科委聘為“深亞微米結構器件和介觀物理”項目首席科學家。
人物經歷
1961年畢業于清華大學無線電電子工程系；
畢業后分配至中國科學院半導體研究所工作。；
1986年調入新成立的中國科學院微電子中心(于2003年更名為中國科學院微電子研究所)；
1991年當選為中國科學院院士。
1998年至今，主要從事化合物半導體器件和集成電路的研究
工作經歷
曾任國家重大科技攻關課題負責人；攀登計劃首席科學家；國家重大基礎研究顧問專家組成員；中科院學部主席團成員；中國電子學會常務理事；半導體與集成技術分會主任；第九屆、十屆全國人大常委會委員和教科文衛委員會委員等職務。
研究項目
研究領域
主要從事化合物半導體異質結晶體管和電路的研究，包括0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質結高遷移率場效應晶體管、砷化鎵/鎵磷HBT晶體管，氮化鎵/鋁鎵氮異質結場效應功率晶體管和研制成功砷化鎵/銦鎵磷HBT光發射驅動電路。
研究內容
對于集成電路系統級封裝（SIP）的發展概況及其趨勢做了介紹，對于從事此領域工作的讀者有指導性意義。由于集成電路設計水平和工藝技術的提高，集成電路規模越來越大，已可以將整個系統集成為一個芯片（已可在一個芯片上集成108個晶體管）。這就使得將含有軟硬件多種功能的電路組成的系統（或子系統）集成于單一芯片成為可能。90年代末期集成電路已經進入系統級芯片（SOC）時代。20世紀80年代，專用集成電路用標準邏輯門作為基本單元，由加工線供給設計者無償使用以縮短設計周期：90年代末進入系統級芯片時代，在一個芯片上包括了CPU、DSP、邏輯電路、模擬電路、射頻電路、存儲器和其它電路模塊以及嵌入軟件等，并相互連接構成完整的系統。由于系統設計日益復雜，設計業出現了專門從事開發各種具有上述功能的集成電路模塊（稱做知識產權的內核，即IP核）的工廠，并把這些模塊通過授權方式提供給其他系統設計者有償使用。設計者將以IP核作為基本單元進行設計。IP核的重復使用既縮短了系統設計周期，又提高了系統設計的成功率。研究表明，與IC組成的系統相比，由于SOC設計能夠綜合并全盤考慮整個系統的各種情況，可以在同樣工藝技術條件下實現更高的系統指標。21世紀將是SOC技術真正快速發展的時期。來由于整機的便攜式發展和系統小型化的趨勢，要求芯片上集成更多不同類型的元器件，如SICMOSIC、GaAs-RFIC、各類無源元件、光機電器件、天線、連接器和傳感器等。單一材料和標準工藝的SOC就受到了限制。芯片，還可以將包含上述不同類型的器件和電路芯片疊在’—起，構建成更為復雜的、完整的系統。 SiP與SOC相比較具有
（1）可提供更多新功能;
（2）多種工藝兼容性好;
（3）靈活性和適應性強；
（4）低成本；
（5）易于分塊測試；
（6）開發周期較短等優點。 SOC和SiP二者互為補充，一般認為SOC主要應用于更新換代較慢的產品和軍事裝備要求高性能的產品，SiP主要用于換代周期較短的消費類產品，如手機等。SiP在合格率和計算機輔助設計方面尚有待進一步提高。由于SiP的復雜性，無論是在設計和工藝技術方面都提出了更高的要求。在設計方面需要系統工程師、電路設計、版圖設計、硅技術設計、測試和制造等工程師團隊一起合作共同實現最好的性能、最小的尺寸和最低的成本。首先通過計算機輔助模擬設計采用的IC芯片、功率和無源元件等參數及布局；設計高密度布線中要考慮消除振蕩、過沖、串擾和輻射等；熱耗散和可靠性的考慮；基板材料的選擇（包括介電常數、損耗、互連阻抗等）；制定線寬、間距和通孔等設計規則；最后設計出母板的布圖。
SiP采用快速發展的倒裝焊互連技術，倒裝焊互連比引線鍵合具有直流壓降低、互連密度高、寄生電感小、熱特性和電學性能好等優點，但費用較高。SiP的另一大優點是可以集成各種無源元件。無源元件在集成電路中的用量日益增加，如在手機中無源元件和有源器件之比約為50：1。采用發展的低溫共燒多層陶瓷（LTCC）和低溫共燒鐵氧體（LTCF）技術，即在多層陶瓷內集成電阻、電容、電感、濾波器和諧振器等無源元件，就如同在硅片中集成有源器件一樣。此外，為了提高管芯在封裝中所占面積比多采用兩個以上的芯片疊層結構，在Z方向上進行三維集成。其疊層芯片之間超薄柔性絕緣層底板的研制、底板上的銅布線、互連通孔和金屬化等新工藝技術得到了發展。 SiP以其進入市場快、更小、薄、輕和更多的功能的競爭力，如今己在工業界得到廣泛地應用。其主要應用領域為射頻/無線應用、移動通信、網絡設備、計算機和外設、數碼產品、圖像、生物和MEMS傳感器等。到2010年預計SiP的布線密度可達6000cm/cm2，熱密度達到100W/cm2，元件密度達5000/cm2,I/O密度達3000/cm2。系統級封裝設計也像SOC的自動布局布線一樣朝著計算機輔助自動化的方向發展。英特爾公司最先進的SiP技術已將五片疊層的閃存芯片集成到1．0mm的超薄封裝內。日本東芝的SiP目標是把移動電話的全部功能集成到一個封裝內。日本預測如果全世界LSI系統的1/5采用SiP技術，則SiP的市場可達1．2萬億日元。SiP以其進入市場快的優勢，在未來幾年內將以更快的增長速度發展。中國在加快發展集成電路設計和芯片制造的同時，應當加大系統級封裝的研究和開發。
成就榮譽
在國內率先提出了利用MEMS結構實現激光器和光纖的無源耦合。并研究成功工作速率達10Gbps的光發射模塊。其中“先進的深亞微米工藝技術及新型器件”獲2003年北京市科學技術一等獎。
獨立自主開發成功全套0.8微米CMOS工藝技術。獲1998年中科院科技進步一等獎和1999年國家科技進步二等獎。作為國家攀登計劃首席科學家負責“深亞微米結構器件及介觀物理項目研究。開展了12項課題的研究。為介觀物理基礎和新結構器件的進一步研究打下基礎。
作為工藝負責人研究成功N溝MOS4K、16K動態隨機存儲器和成品率的提高。獨創了檢驗接觸孔質量的露點檢測法。并推廣到上海器件五廠。分別獲得1980和1981年中科院科技成果一等獎兩次。負責平面型高速開關管的研究，獨立解決了提高開關速度的關鍵問題，并推廣至上海器件五廠和109廠，為兩彈一星采用的109計算機提供器件基礎。獲國家新產品一等獎。2004年，獲何梁何利技術科學獎。
于1964年獲得了全國新產品一等獎；1991年中國科學院科技進步二等獎；1992年被評為全國“三八”紅旗手、“九五”國家重大科技攻關先進個人；1992年中國科學院科技進步二等獎；1996年中國科學院科技進步一等獎和1997年國家科技進步二等獎。
人物評價
吳德馨完成了半導體平面型高速開關晶體管的研究，打破了中國國外封鎖，為中國開關管的自給打下了基礎，組織和領導了2微米2000門門陣列的研究，并獲得成功，為發展中國微電子技術做出了貢獻。（中國人大網評）
吳德馨對中國半導體晶體管和集成電路的發展作出了重要的貢獻。（何梁何利基金評）
參考資料 >
德澤硅芯書輝煌、馨香桃李競芬芳——寫在吳德馨院士八十壽辰之際.ime.cas.cn.2024-08-23
歷任領導.中國科學院微電子研究所.2024-08-21
何梁何利基金.何梁何利基金.2021-12-11
簡歷：全國人大常務委員會委員吳德馨-搜狐新聞.搜狐新聞.2021-12-11