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劉紅俠
來源:互聯(lián)網(wǎng)

劉紅俠,女,1968年12月出生,微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士、教授、博士生導(dǎo)師。中國電子學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員、中國電子學(xué)會(huì)青年工作委員會(huì)委員、西安電子科技大學(xué)學(xué)科帶頭人。國家科技部國際重大科技合作計(jì)劃項(xiàng)目評(píng)價(jià)專家、國家自然科學(xué)基金和國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)評(píng)審專家。主要研究領(lǐng)域包括納米器件物理、模型和可靠性關(guān)鍵技術(shù),新型結(jié)構(gòu)器件和電路,集成電路可制造性,抗輻射集成電路及超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)等。

人物經(jīng)歷

劉紅俠1990年獲西北大學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)士。

劉紅俠1995年獲西安交通大學(xué)半導(dǎo)體器件碩士學(xué)位。

劉紅俠2002年獲西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)博士學(xué)位。

2002年西安電子科技大學(xué)信息與通信工程博士后。

2000年破格晉升副教授。

2002年破格晉升教授。

2003年晉升博導(dǎo),多次出訪歐美學(xué)術(shù)交流。

2003年曼徹斯特大學(xué)訪問教授,和國際著名微電子學(xué)專家Prof. A.R.Peaker合作研究納米器件可靠性。

2011年美國范德堡大學(xué)高級(jí)訪問教授,與工程學(xué)院院長(zhǎng)Prof. Kenneth F.Galloway和電子系主任Prof. Dan Fleetwood 合作研究抗輻射集成電路

2015年佛羅里達(dá)大學(xué)高級(jí)訪問教授,與Prof. J J Lion合作研究納米集成電路靜電放電損傷與防護(hù)。

人物簡(jiǎn)介

劉紅俠先后主持承擔(dān)國家重大基礎(chǔ)科研,國家重大研究發(fā)展計(jì)劃,國家863計(jì)劃項(xiàng)目、國家自然科學(xué)基金、教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才計(jì)劃、教育部科技重點(diǎn)計(jì)劃、教育部留學(xué)回國人員基金、博士后基金、國防預(yù)研基金、武器裝備預(yù)研基金和“九五”“十五”“十一五”“十二五”重大軍事電子預(yù)研項(xiàng)目三十余項(xiàng)。每年指導(dǎo)博士生35名,碩士生10名。已培養(yǎng)博士生約40名,碩士生約200名。

發(fā)表研究論文400余篇,SCI檢索100余篇。論文主要包括國際著名期刊IEEE Trans. on Electron Devices, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, IEEE Trans. on Device and Materials Reliability, Microelectronics Reliability等。擔(dān)任國內(nèi)外多種期刊雜志的編委和評(píng)委。

獲得榮譽(yù)

獲省部級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)多項(xiàng),包括國防科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)、信息產(chǎn)業(yè)部科技進(jìn)步獎(jiǎng)。獲國家發(fā)明專利40項(xiàng)。獲國家攻關(guān)重大成果獎(jiǎng)、國防科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)、信息產(chǎn)業(yè)部科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)、陜西省青年科技獎(jiǎng)、陜西省創(chuàng)新能手、陜西省優(yōu)秀博士后、優(yōu)秀留學(xué)回國人員、三八紅旗手、十佳教師等多項(xiàng)榮譽(yù)稱號(hào)。獲IEEE EDS杰出貢獻(xiàn)女科學(xué)家,陜西優(yōu)秀博士論文,陜西創(chuàng)新能手,優(yōu)秀歸國學(xué)人等榮譽(yù)稱號(hào)。

講授課程

博士生學(xué)位課:《超大規(guī)模集成電路可靠性》。

碩士生學(xué)位課:《微電子器件可靠性設(shè)計(jì)》。

本科生必修課:《集成電路制造技術(shù)》。

發(fā)明專利

一種制備基于65nm工藝的冗余摻雜抗輻照MOS場(chǎng)效應(yīng)管的方法。

基于硅襯底高介電常數(shù)的柵介質(zhì)材料及其制備方法。

集成電路系統(tǒng)中小數(shù)乘法器的低功耗優(yōu)化方法。

基于電壓反饋開關(guān)電容的折線段擬合電路。

基于鍺襯底的La基高介電常數(shù)柵介質(zhì)材料的制備方法。

集成電路系統(tǒng)中小數(shù)乘法器的低功耗優(yōu)化方法。

參考資料 >

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