陳建新，男，漢族，1968年6月生，籍貫浙江省，博士研究生，研究員，博士生導師。現任中國科學院上海技術物理研究所副所長。在半導體光電材料與器件，低維半導體材料與光電特性等領域有長期的研究積累。目前主要從事InAs/GaSb II類超晶格紅外探測器及新型紅外光電器件研究，包括材料與器件結構設計、外延生長、器件制備及性能表征。在國際期刊發表論文60余篇，引用600多次。截止2021年7月，在讀博士生3人，在讀碩士生3人。已畢業博士生11人，已畢業碩士生4人。就業率：100%。主要就業去向：科研院所、高校、高科技企業等。
人物經歷
教育經歷
- 1986-09至1990-07 浙江大學 學士。
- 1990-09至1995-07 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 博士。
工作經歷
- 1995-07至2000-05 中科院上海微系統與信息技術研究所 助理研究員、副研究員、研究員。
- 2000-06至2001-10 瑞士工學院 研究員。
- 2001-11至2007-03 美國Bell實驗室 研究員。
- 2007-04至2009-09 美國普林斯頓大學 研究教授。
- 2009-10至今 中國科學院上海技術物理研究所 研究員、副所長。
研究方向
研究領域包括半導體光電材料與器件，低維半導體材料與光電特性。
主要成就
在半導體電子和光電子領域，如量子級聯激光器、量子阱激光器、異質結晶體管、高電子遷移率晶體管等方面有長期的研究積累。目前主要從事InAs/GaSb II類超晶格紅外探測器及新型紅外光電器件研究，包括材料與器件結構設計、外延生長、器件制備及性能表征。在國際期刊發表論文60余篇，引用600多次。
截止2021年7月，在讀博士生3人，在讀碩士生3人。已畢業博士生11人，已畢業碩士生4人。就業率：100%。主要就業去向：科研院所、高校、高科技企業等。
所獲榮譽
陳建新獲得國家科技進步三等獎一項，中國科學院和上海市科技進步獎多項。
專利成果
[1] 陳建新, 金博睿, 徐志成. 超高真空束源爐堝除氣裝置. CN: CN212533100U, 2021-02-12。
[2] 徐剛毅, 何力, 朱歡, 俞辰韌, 常高壘, 朱海卿, 陳建新, 王芳芳, 顏全. 用于測量太赫茲量子級聯激光器增益的器件及測量方法. CN: CN109244822B, 2021-01-01。
[3] 陳建新, 金博睿, 徐志成. 一種超高真空束源爐坩堝除氣裝置. CN: CN111534797A, 2020-08-14。
[4] 徐志成, 朱藝紅, 梁釗銘, 陳凱豪, 陳建新. 一種基于銻快門開關的無失配II類超晶格結構. CN: CN211208457U, 2020-08-07。
[5] 徐志成, 朱藝紅, 梁釗銘, 陳凱豪, 陳建新. 一種基于銻快門開關的無失配II類超晶格結構及制備方法. CN: CN111223948A, 2020-06-02。
[6] 徐剛毅, 何力, 俞辰韌, 朱歡, 常高壘, 朱海卿, 王凱, 白弘宙, 王芳芳, 陳建新, 林春. 一種集成有源布拉格反射器的單模太赫茲量子級聯激光器. CN: CN110707528A, 2020-01-17。
[7] 徐剛毅, 何力, 朱海卿, 朱歡, 常高壘, 俞辰韌, 王凱, 白弘宙, 王芳芳, 陳建新, 林春. 一種含有天線耦合器的圓偏振單模太赫茲量子級聯激光器. CN: CN110707527A, 2020-01-17。
[8] 徐剛毅, 何力, 朱海卿, 朱歡, 常高壘, 俞辰韌, 王凱, 白弘宙, 王芳芳, 陳建新, 林春. 一種含有高效率衍射光柵的單模太赫茲量子級聯激光器. CN: CN110690647A, 2020-01-14。
[9] 陳建新, 周易, 田源, 柴旭良, 徐志成. 基于帶間級聯結構的長波超晶格紅外探測器. CN: CN208904041U, 2019-05-24。
[10] 陳建新, 周易, 田源, 柴旭良, 徐志成. 一種基于帶間級聯結構的長波超晶格紅外探測器. 中國: CN108417661A, 2018.08.17。
[11] 周易, 陳建新, 田源. 一種用來測量超晶格材料少子橫向擴散長度的器件結構. 中國: CN108417663A, 2018-08-17。
[12] 周易, 陳建新, 王芳芳, 徐志成. 一種無鋁型II類超晶格長波雙勢壘紅外探測器. 中國: CN105789364B, 2018-07-06。
[13] 王芳芳, 陳建新, 徐志成, 余成章. 一種化基II類超晶格結構及制備方法. 中國: CN106409937A, 2017.02.15。
[14] 王芳芳, 陳建新, 徐志成, 周易. 一種基于砷化銦襯底的II類超晶格結構. 中國: CN205542814U, 2016.08.31。
[15] 王芳芳, 陳建新, 徐志成, 余成章. 一種砷化銦基II類超晶格結構及制備方法. 中國: CN105789355A, 2016.07.20。
[16] 周易, 陳建新, 王芳芳, 徐志成. 無鋁型II類超晶格長波雙勢壘紅外探測器. 中國: CN205810841U, 2016-12-14。
[17] 許佳佳, 陳建新, 馬偉平, 潘建珍, 李寧, 白治中. 一種紅外焦平面芯片的銦柱制備方法. 中國: CN106024982A, 2016-10-12。
[18] 王芳芳, 陳建新, 徐志成, 周易. 一種基于砷化銦襯底的II類超晶格結構及制備方法. 中國: CN105514189A, 2016-04-20。
[19] 王少偉, 梁禮, 陳建新, 白治中, 陸衛, 陳效雙, 陳飛良, 劉星星, 冀若楠. 中波紅外光譜可識別探測器. 中國: CN104568756A, 2015.04.29。
[20] 陳建新, 王芳芳, 徐志成, 周易, 徐慶慶. 基于砷閥開關的II類超晶格結構及制備方法. 中國: CN103500765A, 2014-01-08。
代表論文
1. Wang Liang; Xu Zhicheng*; Xu Jiajia; Dong Feng; Wang Fangfang; Bai Zhizhong; Zhou Yi; Chai Xuliang; Li Hui; Ding Ruijun; Chen jianxin*; He Li; Fabrication and Characterization of InAs/GaSb type-II Superlattice Long-Wavelength Infrared Detectors Aiming High 溫度 Sensitivity, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2020, 38(21): 6129-6134.(期刊論文)。
2. Huang Min; Chen Jianxin*; Zhou yi; Xu Zhicheng; He Li; Light-harvesting for high quantum efficiency in InAs-based InAs/GaAsSb type-II superlattices long wavelength infrared photodetectors, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 114(14). (期刊論文)。
3. Wang Fangfang; Chen Jianxin*; Xu Zhicheng; Zhou Yi; He Li; 表演 comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection, Optics Express, 2017, 25(3): 1629-1635.(期刊論文)。
4. Yi Zhou; Chen Jianxin*; Zhicheng Xu; Li He; High quantum efficiency mid-wavelength interband cascade infrared photodetectors with one and two stages , SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY , 2016, 31(8).(期刊論文)。
5. Chen Jianxin*; Xu Qingqing; Zhou Yi; Jin Jupeng; Lin Chun; He Li; Growth and fabrication of InAs/GaSb type II superlattice mid-wavelength infrared photodetectors, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2011, 6.(期刊論文)。
參考資料 >
陳建新.上海科技大學.2024-03-30
陳建新教授工作室.中國科學院大學.2024-03-30
陳建新.中國科學院大學.2024-03-30