何力，男，漢族，1957年8月生，無黨派人士。1988年在日本北海道大學獲得博士學位，隨后在日本、德國、美國從事了多年II-VI族和III-V族半導體材料和器件等研究工作。1994年起在中國科學院上海技術物理研究所從事鎘汞紅外探測器材料和器件的相關研究工作。現任中國科學院上海技術物理研究所研究員，博士生導師，學術委員會主任，上海市政府參事。第十一屆上海市人大代表，第十二、十三屆全國政協委員。參加、合作主持了國家“863”高技術計劃的研究工作。主持國家杰出青年科學研究基金、上海市科學研究基金以及中國科學院院長基金的有關Ⅱ—Ⅵ族半導體薄膜材料的項目研究。在國家“九五”計劃中，主持國家半導體光電子薄膜材料的重點研究項目。
人物經歷
- 1982-07~1985-07 日本東京電氣通訊大學電子工程系 碩士
- 1985-07~1988-02 北海道大學電機工程系 博士
- 1990-11~1990-12, 中科院上海技術物理研究所, 所長、研究室主任
- 1990-12~1992-12, 維爾茨堡大學物理所, 德國洪堡基金會研究員
- 1992-12~1994-12, 普渡大學電氣工程系, 博士后
- 2004-09~2008-06, 中科院上海技術物理研究所, 副所長
- 2008-06~2013-07, 中科院上海技術物理研究所, 所長
- 2019-12~, 上海市政府參事
研究方向
長期從事化合物半導體薄膜材料及碲鎘汞紅外探測器研究工作。 主要集中在新型紅外探測器復雜結構材料的設計、實現工藝和性能評價，特別是第三代紅外成像探測器技術相關的基礎理論研究、基礎材料和芯片加工技術研究等方面的研究工作。
學術成果
他通過一系列科技創新，在短期內使我國Ⅱ—Ⅵ族半導體薄膜材料水平迅速獲得提高，在國內首次制備出大面積、高性能、均勻的碲鎘汞薄膜材料，突破了過去材料制備工藝穩定性、材料參數的可重復性十分低下的難點，獲得了大于97%的長晶以及組合合格率，性能達到國際最好水平。材料的大面積均勻性、P型材料的電學參數優于國際近年報道的最好水平；材料生長可重復性指標以及位錯密度指標等為國標用同類襯底制備材料的先進水平。在藍綠激光器研究中解決了歐姆接觸關鍵技術，處于當時的國際領先地位，獲得了2項美國專利，得到國際同行的高度重視，被國際上幾乎所有Ⅱ—Ⅵ族激光器研制單位采用至今。他首次提出了利用GaAs同質外延技術抑制層錯缺陷、提高激光器壽命的方法，這些技術仍然是藍綠激光研制的主要技術手段。
在國內外學術刊物、學術會議上發表論文110余篇，獲美國專利1件。研究結果得到國際上的大量引用。根據1995年就其中12篇論文的國際聯機檢索結果，被引用達126次。
論文
MBE HgCdTe on Si and GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, 2007, 第 1 作者
MBE HgCdTe: A challenge towards to the realization of third GEN infrared FPAs, Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 第 1 作者
著作
先進焦平面技術導論, Introduction to advanced focal plane arrays, 國防工業出版社, 2011-01, 第 1 作者
榮譽記錄
- 1998年被任命為國家“863”高技術計劃信息領域光電子技術主題專家組成員
- 中國科學院長特別基金
- 上海市優秀學科帶頭人資助計劃
參考資料 >
上海技物所何力研究員受聘上海市政府參事.中國科學院上海技術物理研究所.2024-04-01
何力.上海市人民政府參事.2024-04-01