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來源：互聯網

史浩飛，男，1982年出生，博士畢業于中國科學院光電技術研究所，中國共產黨黨員，研究員、博士生導師，第十四屆全國人大代表，中國科學院重慶綠色智能技術研究院副院長、智能制造技術研究所副所長、微納制造與系統集成中心主任，研究領域為新材料與光電器件。

2009年，史浩飛在美國密歇根大學從事博士后研究。2011年3月，史浩飛在中國科學院重慶綠色智能技術研究院成立后，開始在該院從事石墨烯材料與應用研究工作。2013年，史浩飛帶領團隊建設中國及國外首條年產100萬平方米的大面積單層石墨烯膜生產線，并在2015年承擔首個石墨烯材料領域的國家“國家高技術研究發展計劃”項目。2018年1月，史浩飛當選重慶市第十三屆全國人民代表大會代表。2020年，史浩飛參加全國兩會，并提交《關于加強知識產權刑事保護的建議》，并在次年的全國兩會上提交了《關于加強西部地區人才隊伍建設的建議》。2022年4月，史浩飛和團隊發現在多晶襯底可以外延高質量單晶石墨烯薄膜，研究成果發表在《Nature Communications》期刊上。2024年7月，史浩飛出席了2024國際前沿新材料大會暨第四屆中國（重慶）石墨烯產業發展高峰論壇。2025年1月，史浩飛任中國科學院重慶綠色智能技術研究院副院長（試用期一年）。

史浩飛曾作為項目負責人主持國家重點研發計劃項目等國家級科研項目6項、省部級項目10余項，授權國家發明專利133項。史浩飛曾獲得2015年度重慶市科學技術獎“技術發明獎一等獎”，以及第十七屆中國青年科技獎等。

人物經歷

早年經歷

史浩飛1982年出生，2000年開始在中國電子科技大學學習，2004年獲得學士，隨后于2004年至2009年在中國科學院光電技術研究所學習，并獲得博士學位。

工作經歷

2009年，史浩飛在美國密歇根大學從事博士后研究。2011年3月，史浩飛在中國科學院重慶市綠色智能技術研究院成立時，提前結束博士后研究工作從美國密歇根大學回到重慶，開始在該研究院從事石墨烯材料與應用研究工作。

2013年，史浩飛帶領團隊建設了中國及國外首條年產100萬平方米的大面積單層石墨烯膜生產線，并在2015年承擔了首個石墨烯材料領域的國家“國家高技術研究發展計劃”項目。2016年6月2日，史浩飛憑借《大面積單層石墨烯生長方法》的成果獲得2015年度重慶市科學技術獎“技術發明獎一等獎”。

2018年1月31日，史浩飛當選為重慶市第十三屆全國人民代表大會代表。2019年，史浩飛團隊建設的第二代單層石墨烯薄膜生產線通過國家工信部驗收，推動了石墨烯材料在光電子領域的應用。

2020年，史浩飛參加全國兩會，并提交《關于加強知識產權刑事保護的建議》。2021年，史浩飛在全國兩會上提交《關于加強西部地區人才隊伍建設的建議》，呼吁在中國西部地區加強國家級科研平臺建設，布局建設綜合性國家科學中心和區域性創新高地等。

2022年4月，史浩飛和團隊發現在多晶襯底可以外延高質量單晶石墨烯薄膜，突破了70年來人們對單晶材料外延的認識，研究成果發表于《Nature Communications》期刊上。同年11月12日，史浩飛獲得第十七屆中國青年科技獎。2023年2月，史浩飛當選為重慶市第十四屆全國人民代表大會代表。

2024年7月26日，史浩飛出席在重慶市沙坪壩區舉行的2024國際前沿新材料大會暨第四屆中國（重慶）石墨烯產業發展高峰論壇。2025年1月13日，史浩飛任中國科學院重慶綠色智能技術研究院副院長（試用期一年）。同年3月，史浩飛參加全國兩會，其關注的是科技創新與產業創新深度融合相關議題。

社會職務

研究領域

史浩飛的研究領域為新材料與光電器件，主要研究的是納光子技術、碳納米科學理論與應用。

人物觀點

2025年3月，史浩飛在參加2025年全國兩會期間向媒體表示：“2025年他關注的是科技創新與產業創新深度融合相關議題。在人才流動與培養體系方面，高校與企業人才‘雙開門’機制缺失，科研人員向產業界流動的通道不暢，與此同時，復合型人才匱乏，既懂技術又通產業的高端人才稀缺。‘高校’‘破五唯’改革落實不到位，考核體系仍以論文、課題為主，忽視產業實踐貢獻。至于人才流動機制，應著力于暢通人才雙向流動，培養復合型創新人才。具體可以從推動高校與企業共建‘人才旋轉門’機制，允許科研人員兼職創業并保留職稱待遇；優化‘破五唯’評價體系，將成果轉化貢獻納入考核等方面著手，‘實施跨界人才培養計劃，依托產教融合平臺聯合培養科學家+工程師復合型團隊’。”