薩支唐（Chihtang Sah），1932年11月10日出生于中國北京，美國國籍，物理學(xué)家，微電子學(xué)家，美國國家工程院院士，中國臺灣“中央研究院”院士，中國科學(xué)院外籍院士，廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院教授。
薩支唐于1953年獲美國伊利諾大學(xué)電機(jī)工程學(xué)學(xué)士和工程物理學(xué)士學(xué)位；1954年獲美國斯坦福大學(xué)碩士學(xué)位；1956年獲美國斯坦福大學(xué)博士學(xué)位；1959年—1964年供職于美國快捷半導(dǎo)體（蘇州）有限公司；1964年擔(dān)任伊利諾伊大學(xué)厄巴納-香檳分校物理系和電子及計算機(jī)系教授；1986年當(dāng)選為美國國家工程院院士；1988年起擔(dān)任佛羅里達(dá)大學(xué)電機(jī)和電子工程系教授、工學(xué)院首席科學(xué)家；1998年當(dāng)選為中國臺灣“中央研究院”院士；2000年當(dāng)選為中國科學(xué)院外籍院士；2010年起受聘為廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院教授。
2004年被廈門大學(xué)授予“榮譽(yù)教授”稱號，2010年起受聘為廈門大學(xué)微電子學(xué)科杰出教授。薩支唐的父親薩本棟是廈門大學(xué)前校長、第一屆中央研究院院士，“父子院士”成為一段傳奇。
人物生平
1932年薩支唐出生于中國北平市，后回福州市接受完中學(xué)教育。
1949年赴美國就讀于伊利諾伊大學(xué)，1953年獲得學(xué)士后又到斯坦福大學(xué)學(xué)習(xí)。
1956年在斯坦福大學(xué)獲得博士學(xué)位。1956年起，他跟隨威廉·肖克利在工業(yè)界共同從事固態(tài)電子學(xué)方面的研究。
1959年至1964年供職于快捷半導(dǎo)體（蘇州）有限公司。
1964年他來到伊利諾伊大學(xué)厄巴納-香檳分校任物理系和電子及計算機(jī)系教授達(dá)26年，培養(yǎng)出40名博士。
1988年起，他在佛羅里達(dá)大學(xué)擔(dān)任教授至今。
2000年當(dāng)選為中國科學(xué)院外籍院士。
2010年廈門大學(xué)89年校慶之際接受聘任擔(dān)任廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院教授。
薩支唐教授是改革開放以后最早與中國進(jìn)行科技合作與交流的美國科學(xué)家之一。曾多次訪華，作了20余次系列講座，先后指導(dǎo)了12名中國研究生，還多次協(xié)助在中國舉辦國際學(xué)術(shù)研討會。
主要成就
科研成就
研究領(lǐng)域
主要從事微電子學(xué)研究。長期致力于半導(dǎo)體器件和微電子學(xué)研究，在上世紀(jì)60年代末首先提出CMOS結(jié)構(gòu)，對發(fā)展晶體管、集成電路以及可靠性研究做出了里程碑性質(zhì)的貢獻(xiàn)。
他提出了半導(dǎo)體p-n結(jié)中電子-空穴復(fù)合理論。開發(fā)了半導(dǎo)體局域擴(kuò)散的平面工藝和MOS、CMOS場效應(yīng)晶體管，并提出MOS晶體管理論模型。發(fā)明了探測半導(dǎo)體中微量缺陷的深能級瞬態(tài)譜（DLTS）方法。發(fā)現(xiàn)了氫在硅中對受主雜質(zhì)的鈍化作用。近期致力于亞微米MOS晶體管的可靠性研究。
在快捷半導(dǎo)體（蘇州）有限公司期間，薩支唐帶領(lǐng)一個64人的研究組從事第一代硅基二極管、MOS晶體管和集成電路的制造工藝研究，是半導(dǎo)體工業(yè)先驅(qū)之一。他提出了半導(dǎo)體p-n結(jié)中電子-空穴對復(fù)合理論，和其他科學(xué)家共同開發(fā)出MOS、CMOS場效應(yīng)晶體管，還提出了MOS晶體管模型。此外，他還發(fā)明了深能級瞬態(tài)譜方法用于探測半導(dǎo)體內(nèi)的缺陷。目前他的研究方向主要是在亞微米MOS晶體管的可靠性研究。目前，薩支唐已發(fā)表了大約280篇學(xué)術(shù)論文，并應(yīng)邀做了約170次學(xué)術(shù)演講。
榮譽(yù)表彰
半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會（SIA）最高獎（1998）等多項獎勵。
美國工程院院士
中央研究院院士
中國科學(xué)院外籍院士
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廈門大學(xué)圖書館薩本棟紀(jì)念特藏庫的一個重要組成是薩支唐教授（Professor Tom Chih-tang sah）自1960年代以來的個人及其學(xué)生的科學(xué)研究檔案。自2000年起，薩教授花費了大量的時間、精力和費用，陸續(xù)將這批資料從佛羅里達(dá)大學(xué)運來廈門大學(xué)本館收藏。 2009年11月28日上午，從美國來校參加“全國首屆集成電路設(shè)計前沿技術(shù)短訓(xùn)班”的薩支唐教授在蕭德洪館長、陳小慧副館長陪同下親臨特藏庫，仔細(xì)察看“薩支唐教授科學(xué)研究檔案專架”的整理情況，并就今后繼續(xù)捐贈資料及小型設(shè)備事宜與館領(lǐng)導(dǎo)交換意見。在薩教授的引薦下，12月4日上午，（臺灣）力旺電子股份有限公司董事長徐清祥博士前來參觀，驚喜地在專架上找到自己在上世紀(jì)80年代師從薩支唐教授學(xué)習(xí)時的論文、實驗報告等，對我們的工作高度贊賞，欣然提筆在當(dāng)年的實驗報告上簽名留念。
2009年11月25日，2009年IEEE電子器件與固體電路國際學(xué)術(shù)會議（IEEE International Conference of Electron Devices and 固體State Circuit 2009，簡稱EDSSC2009）在西安市隆重召開。本次會議由 IEEE 電子器件學(xué)會和固體電路電路學(xué)會授權(quán)，IEEEEDS西安分會，陜西省集成電路行業(yè)協(xié)會，西安電子科技大學(xué)和西安市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中心共同組辦。
大會開幕式由IEEE EDS副主席、西安交通大學(xué) 教授、西安市科學(xué)技術(shù)局局長徐可為主持，IEEEEDS主席、美國中佛羅里達(dá)大學(xué)教授 J. J. Liou致開幕詞，西安電子科技大學(xué)副校長 郝躍教授致歡迎詞，西安市高新區(qū)管委會副主任趙璟致賀詞，近150名來自世界各國的研究學(xué)者出席了開幕式。
應(yīng)EDSSC2009委員會的邀請，國際著名專家、美國佛羅里達(dá)大學(xué)教授、美國國家工程院院士、中國科學(xué)院外籍院士、臺灣“中研院”院士薩支唐教授首先做了“The Complete SemiconductorTransistor”的特邀主題報告。三星集團(tuán)副總裁 Dr. Byeong-Ha Park 做了題為“The Future Development of Mixed Signal IC in Nanotechnology”主題報告。這兩個主題報告向與會者傳遞了目前國際上新的發(fā)展趨向，引起與會者的極大興趣和高度評價
個人生活
薩支唐是福州薩氏家族成員，其父薩本棟是第一屆中央研究院院士、廈門大學(xué)前校長，他還有一位弟弟薩支漢是紐約州立大學(xué)石溪分校的數(shù)學(xué)教授。
參考資料 >
師者|薩支唐：世界第一個提出CMOS概念的人，一個MOS半導(dǎo)體器件領(lǐng)域繞不開的人.電子科學(xué)技術(shù)學(xué)院.2024-09-05