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來源：互聯網

常凱，男，1964年8月出生于安徽潛山，博士，博士生導師，中國科學院院士。中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室研究員、第十四屆全國政協常委、中國民主同盟中央常委、民盟中央科技委員會主任。

常凱致力于半導體基礎物理及其器件物理研究。1996年，常凱在北京師范大學物理系凝聚態物理專業獲得理學博士學位。此后，他于1996至1998進入中科院半導體所超晶格國家重點實驗室，并在1998年至2001年間赴安特衛普大學物理系進行合作研究。常凱曾擔任多個重要學術會議的主席和委員，包括2013年第17屆窄能隙半導體物理會議、2015年第18屆國際程序委員會、同年的二維電子氣物理會議（EP2DS-21）以及2016年第33屆國際半導體物理大會（ICPS-33）。2020年起任國際純粹與應用物理聯合會（IUPAP）半導體分會（C8）委員。2024年1月4日，常凱加盟浙江大學，擔任物理學院的講席教授及博士生導師。

2001年，常凱入選中科院人才計劃、2004年獲得國家自然科學二等獎（排名第三）、2005年獲得國家杰出青年基金資助、2013年榮獲黃昆固體物理和半導體物理科學獎、同年入選國家百千萬人才工程并被授予“國家有突出貢獻的中青年專家”稱號，2019年當選為中國科學院數理學部院士。

個人經歷

早年經歷

1964年8月，常凱在安徽潛山出生。1996年，他在北京師范大學物理系凝聚態物理專業獲得理學博士學位。隨后，常凱在1996年至1998年進入中科院半導體所超晶格國家重點實驗室。1998年至2001年，他前往安特衛普大學物理系進行合作研究。

工作經歷

2001年，常凱被選入中國科學院的人才計劃，隨后在2004年獲得了國家自然科學二等獎，并在2005年獲得了國家杰出青年基金的資助。2013年，常凱榮獲黃昆固體物理和半導體物理獎，并被授予“國家有突出貢獻的中青年專家”稱號，同時被選入國家百千萬人才工程。在國際學術領域，常凱積極參與并擔任重要角色，包括2013年第17屆窄能隙半導體物理會議的主席，2015年第18屆國際程序委員會和同年在日本舉行的二維電子氣物理會議（EP2DS-21）的程序委員會委員，以及2016年第33屆國際半導體物理大會（ICPS-33）的程序委員會主席。他還在中國物理學會中擔任凝聚態理論與統計物理專業委員會以及半導體物理專業委員會的委員。2019年，常凱被選為中國科學院數理學部院士。2020年，他被任命為國際純粹與應用物理聯合會（IUPAP）半導體分會（C8）的委員。2024年1月4日，常凱加盟浙江大學，擔任浙江大學物理學院講席教授、博士生導師。

主要成就

科研成就

作為中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室的研究員，常凱專注于半導體物理的理論研究工作。他在半導體基礎物理及其器件物理研究方面做出了顯著貢獻，共發表了111篇SCI論文，包括在《物理評論快報》（PRL）上的10篇、《自然材料》（Nature Materials）上的1篇、《自然納米技術》（Nature Nanotechnology）上的1篇、《美國化學會納米》（ACS Nano）上的1篇、《納米研究》（Nano Research）上的1篇、《物理評論B》（PRB）上的36篇、《應用物理快報》（APL）上的20篇。這些論文不僅在學術界產生了廣泛影響，被SCI他人引用超過2100次，而且多項工作得到了國際同行的認可，并被納入綜述文章和專著中。

論文

參考資料出自：

半導體極性界面調控量子結構理論

在科研創新方面，常凱提出了利用半導體極性界面調控量子結構能隙的理論，揭示了極性界面處存在的強局域電場對能帶結構的顯著影響，這一理論后來得到了實驗驗證。他的研究成果為人工設計半導體物性開辟了新途徑，實現了半導體結構中的寬光譜光電響應，并在主流半導體如鍺（Ge）和氮化銦（InN）中實現了拓撲相，打破了拓撲材料僅限于含有重元素的窄能隙體系的傳統觀念。