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氮化是一種新型的三族氮化物材料。這種材料的引人之處在于它的優良的電子輸運性能和窄的能帶，有望應用于制造新型高頻太拉赫茲通信的光電子器件。氮化銦納米結構是研制相關量子器件的基礎。
概述
六角對稱的氮化銦納米花結構
相關
然而，一直以來，InN納米材料的生長往往要利用銦的氧化物或氯化物，這會在氮化銦納米材料中引入許多雜質，致使材料的光學、電學性能大大降低。在973計劃項目等的支持下，中科院半導體所的劉祥林研究小組首次提出了氫致自催化方法，用金屬有機化合物化學氣相沉積技術生長出了六角對稱的氮化銦納米花結構（Appl. Phys. Lett. 89, 071113 (2006)）。由于該方法沒有使用銦的氧化物、氯化物以及其它任何外來催化劑，從而從根本上避免了外來雜質的引入，預期可以顯著提高材料的光學和電學性能。該成果一經發表，英國《自然(Nature)》雜志的網站就在其自然納米技術（Nature Nanotechnology）欄目將其作為2006年9月第一周的研究亮點，并以“納米結構：說它是花（Nanostructures：Say it with flowers）”為題專門撰寫了評論，認為該項研究成果不僅對于深入認識InN的生長機理，同時對于合成新穎的InN納米器件結構具有重要價值。
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