歐文，畢業于浙江大學物理系，中國科技大學半導體物理專業碩士。主要負責項目“非揮發性存儲器與邏輯電路兼容關鍵工藝技術研究”
人物經歷
教育經歷
1.浙江大學物理系本科畢業；
2.中國科技大學半導體物理專業碩士畢業；
工作經歷
1.1992年9月－1997年7月：中國科學院微電子研究所第3研究室，助理研究員;
2.1997年7月－1998年7月：香港科技大學電子工程系，訪問學者;
3.1998年7月－2004年5月：中國科學院微電子研究所第1研究室，課題負責人，副研究員;
4.2004年5月－2005年7月：中國科學院微電子所硅工程中心研究員課題負責人;
5.2005年9月-2007年3月：華潤上華科技有限公司北京分公司工藝部經理；
6.2007年7月-2009年4月：渝德科技（重慶）有限公司C&C部門經理；
7.2009年4月-至今：中國科學院微電子研究所十室副研究員，從事CMOS先進工藝技術和CMOS MEMS研究；
主要成就
研究方向
CMOS新器件，新工藝研究，CMOS MEMS研究。
代表論著
1、基于虛擬儀器的多通道MEMS加速度計自動化測試平臺,紅外與激光工程,2014,通訊作者
2、Fabrication of polyimide sacrificial layers with inclined sidewalls based on RIE technology,AIP Advances,2014,通訊作者
3、Nanopillar-forest based surface-enhanced Raman scattering substrates,SCIENCE CHINA Information Sciences,2014,通訊作者
4、設計 of thermopile-based infrared detectors with suspended absorber-thermopile bi-layers,CHINESE JOUＲNAL OF SENSOＲS AND ACTUATOＲS,2014,通訊作者
5、SOI二極管型非制冷紅外焦平面結構的改進設計,紅外與毫米波學報,2014,第2作者
6、一種基于懸浮吸收層的雙層結構的熱電堆紅外探測器,傳感技術學報,2014,通訊作者
7、Improved structure 設計 for SOI diode uncooled infrared focal plane arrays,Journal of Infrared And Millimeter Waves,2013,第2作者
8、Design and simulation of a high fill-factor SOI diode uncooled infrared focal plane arrays,？J. Micromech. Microeng,2013,第2作者
9、Fabrication of Nanopillar Forests with High Infrared Absorptance Based on Rough Poly-Si and Spacer Technology,Journal of Micromechanics and Microengineering,2013,第3作者
10、MEMS無源無線壓力傳感器研究,儀表技術與傳感器,2013,第2作者
11、設計 and Fabrication of Novel Microlens-micromirrors Array for Infrared Focal Plane Array,微波 AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS,2012,第2作者
12、Fabrication of a 100percent fill factor 硅 microlens array,半導體學報,2012,第2作者
13、一種與CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測器,紅外技術,2012,第2作者
14、Kinetics investigation of RIE lag phenomenon by GaAs ICP etching,China 半導體 Technology International Conference 2012,2012,第4作者
15、基于黑硅為吸收層的熱電堆紅外探測器,儀表技術與傳感器,2012,第3作者
16、A 設計 of thermopile infrared detector based on 黑色 硅 as absorption,傳感技術學報,2012,第3作者
17、CMOS 兼容的微機械熱電堆紅外探測器的設計,紅外技術,2012,第3作者
18、SCDI Flash Memory Device II：Experiments andCharacteristics,半導體學報,2004,第1作者
19、SCDI Flash Memory Device I：Simulation and Analysis,半導體學報,2004,第1作者
20、Novel nonplanar Flash Memory Device,半導體學報,2002,第1作者
21、“四氟化碳預處理后熱生長薄柵氧漏電流及勢壘研究”，劉倜，歐文，半導體學報，2004，
22、“閃速存儲器的單管多位技術”,李多力，歐文，微電子學，Vol.34,No.3,2004年6月，pp241-245
23、“SCDI Flash Memory Device II：Experiments andCharacteristics”，歐文，錢鶴，半導體學報，Vol.25,No.5,2004年5月,pp497-501
24、“SCDI Flash Memory Device I：Simulation and Analysis”，歐文，錢鶴，半導體學報，Vol.25,No.4,2004年4月，pp361-365
25、“深硅槽的刻蝕研究”，全國第十二屆電子束、離子束、光子束學術會議論文集，2003年9月，北京，pp242-245
26、“光刻膠的刻蝕技術研究”，全國第十二屆電子束、離子束、光子束學術會議論文集，2003年9月，北京，pp264-267
27、“Flash 器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性”，半導體學報，Vol.24,No.5,2003年,pp516-519
28、“Novel nonplanar Flash Memory Device”，半導體學報，2002年
29、“Flash Memory器件研究”，微納電子技術，2002年
專利成果
（1）紅外焦平面陣列器件及其制作方法,發明,2010,第1作者,專利號:201010267982.8
（2）非制冷紅外探測器件及其制作方法,發明,2010,第1作者,專利號:201010262233.0
（3）非平面結構的非揮發性存儲器單元及制作方法,發明,2003,第1作者,專利號:01139666.0
（4）嵌入式快閃存儲器中隧穿氧化層的制備方法,發明,2005,第1作者,專利號:02120379.2
（5）紅外焦平面陣列器件及其制作方法,發明,2010,第1作者,專利號:201010267967.8
（6）熱電堆紅外探測傳感器及其制作方法,發明,2010,第1作者,專利號:201010267981.8
（7）微透鏡陣列及其制作方法,發明,2011,第2作者,專利號:201110131361.6
（8）一種雙面微透鏡陣列及其制造方法,發明,2011,第2作者,專利號:201110126266.7
科研項目
在研主要項目
1.先進納米CMOS關鍵工藝技術先導研究；
2.國家國家高技術研究發展計劃“MEMS與IC集成制造技術及應用”方向”MEMS紅外焦平面陣列及CMOS讀出電路集成”研究。
完成主要項目
1.負責國家973項目“非揮發性存儲器與邏輯電路兼容關鍵工藝技術研究”，圓滿完成（2000年－2005年）；
2.負責“超深亞微米關鍵技術－多層布線技術的研究”，圓滿完成任務（2001年－2005年）；
3.參加“九五”攻關項目“0.35um集成電路關鍵技術研究”和“0.1um級CMOS器件和性能研究”，圓滿完成任務，共同獲得北京市科技進步2等獎；
4.負責自主研制成功實驗型CMP設備；
5.參加“八五”國家重點科技項目《HBT和HEMT基礎技術研究》中“0.2-0.5um 微細加工及新結構異質結器件研究”，負責其中HBT新結構器件的研究；提出一種新的HBT器件結構和解決HBT器件中歐姆接觸問題；獲得優秀論文一篇；
6.參加中國科學院“八五”重大科研項目“新結構器件及微細加工研究”。
參考資料 >
歐文.中國科學院微電子研究所.2021-12-26
歐文.中國科學院大學-UCAS.2021-12-26