李志堅（1928年5月1日-2011年5月2日），浙江寧波人，漢族，微電子技術專家，中國電子學家，中國科學院院士。1951年畢業于浙江大學物理系，1953年留學蘇聯列寧格勒大學，1958年獲蘇聯列寧格勒大學物理-數學副博士學位。李志堅曾任清華大學微電子學研究所所長，半導體教研組主任，微電子學研究所長。1991年當選為中國科學院院士。他還曾擔任國務院學術委員會專業評議組成員、國家中華人民共和國教育部科學技術委員會專業組組長、中國電子學會副理事長、清華大學學術委員會委員、清華大學信息科學技術學院學術委員會主任。2011年5月2日，李志堅因病醫治無效在北京逝世，享年83歲。
人物經歷
教育經歷
工作經歷
清華大學教授。50年代初，在半導體薄膜光電導和光電機理研究中，提出電子晶粒間界理論，在此基礎上研制成高信噪比pbs紅外探測器。
1959年研制成高超純多晶硅。60年代從事硅器件研究，其中平面硅工藝及高反壓硅高頻三極管成果，促進了國內有關的研究和生產。
1977年以后主要從事大規模、超大規模集成技術及器件物理的研究，領導、指導和直接參與了多種靜態存儲器，8位、16位高速微處理器、EEPROM和1兆位漢字ROM等超大規模集成電路芯片的研制工作，并取得成功。同時開發出3微米和1微米成套工藝技術。指導并發明半導體紅外高速退火技術和設備。近期的研究包括：系統芯片集成和微電子機械技術。
1991當選為中國科學院院士（學部委員）。
主要成就
科研成就
科研綜述
50年代初，在半導體薄膜光電導和光電機理研究中，提出電子晶粒間界理論，在此基礎上研制成高信噪比pbs紅外探測器。
1958年提倡中國半導體發展應以硅技術為主的思想(當時國際上半導體器件的主流是鍺晶體管)。1958年研制出超純多晶硅，1960年研制出硅合金晶體管，1962-1963年又研制成功硅平面工藝和高反壓(150V)硅平面晶體管。這些工作對中國半導體器件的早期發展有重要的推動作用。
1980年代在Si/Si02界面研究方面發表一系列論文，在國內外有相當影響。《MOS界面研究新技術》一文被選參加中美表面科學學術討論會(美國科學院與中國科學技術協會主辦)，被特邀參加INFOS'91(該領域國際上最著名學術會議)和聘為國際顧問委員會委員，國內被邀編寫專論。以上部分成果曾獲國家教委科技進步獎二等獎。對Si/Si02界面電子隧道穿透進行了深入研究，研制成功2kEEPROM存貯器，獲1988年國家教委科技進步獎二等獎。
1996年國家安排IC卡研制，因EEPROM是其基本技術，清華大學得以在5個月內研制出全國第一塊IC卡，顯示了他在技術上的遠見卓識。
1980年代初即看到快速(瞬態)熱處理(通常為長時期的“穩態”熱處理)技術對深亞微米集成電路發展的重要意義，而后又發現當時通用的激光退火方法的局限性，從而與錢佩信一起發明了“半導體快速熱處理技術和設備”，取得中、美兩國專利，并獲得1990年國家發明獎二等獎。該成果已在國內推廣，該設備是一臺國內當前唯一不要進口的VLSI 先進工藝設備，已推向國外市場。
“六五”到“八五”3個五年計劃期間，負責多項微電子技術和集成電路國家重點攻關任務。3次獲得國家教委和電子部科技進步獎一等獎；“3微米LSI成套工藝技術和集成電路研究”獲1987年國家科學技術進步獎二等獎；“1-1.5微米VLSI CMOS工藝及1兆位漢字庫ROM”獲1995年國家科技進步獎二等獎。
1990年代開始他主持國家重大基金項目“系統集成技術研究”。這是當前微電子前沿課題，他們發表的一系列論文已受到國際注視。他本人的工作，尤其在“微機械電子系統”方面有不少發明創造，包括國內首先研制成功的“帶有轉速自檢測機能的微靜電馬達”等一批工作，使中國進入這一領域先進行列。他在這方面已在國內外主要刊物發表論文近30篇，申請多項美國發明專利，獲準的已有5項。
他培養的大批優秀微電子人才中，有2名已當選為中國科學院院士。他親自培養出的博士生，已有26名。
主要學術論文、著作目錄
學術論著
主編出版了《半導體材料硅》《MOS大規模集成技術》《微電子技術中的MOS物理》等書，在國內外發表了論文200余篇。
社會職務
獲得榮譽
人物評價
李志堅六十年的學術生涯，是他從一個立志報國的青年成長為一名杰出的微電子學專家的歷程，是中國微電子事業從無到有艱難前行的展現。這期間有他個人在學術探索中的努力和奉獻，有他追求科學真理的信念和堅持，也有在那段特殊時代背景下，一代科學家面對政治經濟學環境所作出的抉擇和貢獻。（中國科學報評）
李志堅是中國科學院院士、微電子技術專家，是中國硅基半導體科學研究的奠基人和開創者。六十年的學術生涯，是李志堅從一個立志報國的青年成長為一名杰出的微電子學專家的歷程，也是中國微電子事業從無到有艱難前行的展現。（中國科學家博物館評）
李志堅院士的人生歷程，與中國微電子學科的發展進程，與清華大學中國科學院微電子研究所的創建和發展息息相連。他是清華半導體專業和微電子學學科的主要創建人和學術帶頭人之一，今天的微電子所就是在此基礎上發展起來的。李志堅院士雖已八十高齡，仍然在教學第一線上工作，兢兢業業。（清華大學評）
參考資料 >
中國電子學會60周年華誕倒計時28天.中國電子學會.2024-04-17
中國電子學會60周年華誕倒計時27天.中國電子學會.2024-04-17
中國電子學會60周年華誕倒計時26天.中國電子學會.2024-04-17
李志堅院士簡介.同濟大學校史館.2024-04-17
【中國科學報】李志堅：微納世界“中國芯”.中國科學院.2024-04-17
李志堅.中國科學家博物館.2024-04-17
李志堅:微納世界“中國芯”.清華大學校史館.2024-04-17
李志堅院士:開創中國半導體事業.中國科學家博物館.2024-04-17
李志堅院士八十華誕座談會舉行.清華大學.2024-04-17