郭維廉，1929年生，靜海區人，1952年畢業于清華大學物理系。現任天津大學教授，曾任中電集團公司13研究所客座研究員、天津工業大學兼職教授、新南威爾士大學（UNSW）訪問教授，國家科委發明獎勵評審委員會委員等職務。為中國電子學會會士、IEEE終身會員、國務院特殊津貼獲得者。
人物經歷與成就
從1963年，他在天津大學就開始了半導體器件的教學和科學研究工作。在他的領導下建立了新型半導體器件及集成技術研究組，廣泛深入地開展科研工作，取得了多項具有開創性的研究成果。
硅/二氧化硅（Si/SiO2）界面研究：提出用MOS結構C-V特性鉛（Pb）壓力接觸電極和三點法測量界面電荷密度新方法、用脈沖C-t特性中點電容測量少子產生壽命的新方法；此外對Si/SiO2界面正面擴金、背面擴金和用HCL鈍化機理進行了深入研究；編寫出《硅-二氧化硅界面物理》全國統編教材。
P-N結擊穿電壓蠕變研究：提出了擊穿電壓蠕變新物理模型，克服了當時兩種蠕變理論的不足，定義了表征擊穿電壓蠕變的物理參數，建立了擊穿電壓蠕變的完整理論，達到國際領先水平，被SCI和EI收錄，被國內外書刊多次引用，獲天津市自然科學二等獎；利用此理論解決了變容管存在的擊穿電壓蠕變問題，大幅度提高了產品成品率，獲得天津市科技進步二等獎。
MIS隧道結器件研究：研制出超高電流增益MIS發射極雙極晶體管，hFE高達30000，創當時世界最高紀錄；在國內率先研制成功MIS太陽電池；進行了MIS發射極晶體管加速壽命試驗，估算出該器件的使用壽命；撰寫出專著《MIS隧道結與MIS隧道結器件》。
三端負阻器件及其應用的研究：設計研制出DUBAT、LBT、NEGIT等多種三端負阻器件；探索了該器件在高頻和大功率領域中的應用；并提出一種新型硅三端負阻器件，申請了發明專利。
低溫雙極晶體管和低溫BiCMOS集成電路研究：設計研制出在77K hFE為300的低溫雙晶極管；采用Si或GeSi雙極/MOS混合模式晶體管作為低溫雙極管構成低溫BiCMOS集成電路；提出并建立了多晶硅發射極晶體管統一器件物理模型，概括了多種不同結構的多晶硅發射極晶體管。
光電負阻器件的研究：將三端負阻器件與光電探測器相結合，首次提出光電負阻器件的概念，并首次提出三大類9種硅光電負阻器件具體器件結構；設計研制出三種主要的硅光電負阻器件PLBT、PNEGIT和PDUBAT；發現了其光控開關、光控正弦信號振蕩、光控脈沖調頻等多種光控調制功能、探索了光電負阻器件實際應用，被鑒定為國際先進水平。
共振隧穿器件的研究：與13所和中科院物理所合作，在國內首次設計研制出在室溫下電流峰谷比為7.6、振蕩頻率為54GHz的GaAs基共振隧穿二極管（RTD）和兩種結構不同的共振隧穿晶體管（RTT），被評為國內第一只RTD和國內第一只RTT。提出并建立了RTT反相器統一模型；首次設計研制出新型平面RTD及其無線電話電路；建立了RTD“表觀正阻”物理機制模型；撰寫了《共振隧穿器件及其應用》《諧振隧穿器件及其數學集成電路》兩本專著。
負阻異質結雙極管（NDRHBT）和實空間電子轉移晶體管（RSTT）的研究：在973項目支持下，設計研制出三種結構高電流峰谷比的NDRHBT，并發同一器件中存在恒壓和恒流兩種負阻工作模式和許多新的現象；設計研制出GaAs基雙溝道RSTT器件，具有"入"型I-V特性和寬而平坦的谷值區，器件參數優于國外報導值；并用此RSTT構成MOBILE電路。
Inp基微環激光器的研究：在重點自然科學基金支持下，與13所合作在國內率先設計研制出低閥值無雙向工作區的單向雙穩態微環激光器，顯示出較理想的電流控制雙穩態激光開關特性，可用于全光隨機存儲。
與CMOS兼容硅基LED的研究：在重點自然科學基金項目支持下，設計了多種結構與CMOS工藝兼容的硅LED器件，包括p-n結正向注入（遠紅外線）和反向擊穿（可見光）兩種工作模式，兩端和三端器件，和低、中、高三種工作電壓；提出并研制一種p-n結正向注入、柵壓調控、與超薄氧化層隧道結相結合的新型Si-LED，并申請了發明專利。
共計完成了包括973和自然科學重點基金的科研項目33個，科研經費400余萬元、發表學術論文272篇，其中被EI，SCi收錄的54篇，編寫著作10部，獲得發明專利5項，獲省部級獎勵4項、天津大學獎勵4項，培養碩士生26名，博士生10名。
主要作品
郭維廉教授共發表學術論文272篇，編寫著作10部。
代表性學術論文
代表性著作
參考資料 >