王圩（1937年12月25日-2023年1月26日），文安縣人，中國科學院院士，半導體光電子學家，曾任中國科學院半導體研究所研究員、博士生導師。他的主要研究領域包括半導體材料和器件。王圩在中國光纖通信用半導體光電子器件的發展中做出了重要貢獻。2023年1月26日，王圩因病醫治無效，在北京逝世，享年86歲。
人物經歷
1960年畢業于北京大學物理系半導體專業，同年到中國科學院半導體研究所工作至今，現任中科院半導體研究所研究員。1987年赴日本東京工業大學訪問研究一年。60年代，他率先在國內研制成功無位借硅單晶；參與開拓并負責建立了Ⅲ—V族化合物外延方法，解決了高摻雜和結偏位等關鍵問題，為使我國GaAs激光器的工作溫度從77度K提高到室溫作出了貢獻：70年代，率先在國內研制成功單異質結室溫脈沖大功率激光器和面發射高亮度發光管，成功地應用在夜視、引信、打靶和精密測距儀上，并推廣到工廠生產，為后來室溫連續工作的短波長雙異質結激光器的發展打下了基礎。 80年代，他又率先在國內研制出室溫連續工作的1．55微米四元激光器，為國內第三代光纖通信研究提供了長波長光源。1987年在日本東京工業大學創新地提出了一種內島條形眼流結構的集束導波分布反射（BIG－KBR）激光器，獲得了當時先進水平的4兆赫線寬單縱橫輸出；隨后回國主持研制成功國內首批1．55微米動態單頻分布反饋（DFB）激光器，解決了國內發展第三代長途干線大容量光纖通信的急需。他在90年代，在國內首先研制成功應變量子階1．55微米DFB激光器，使中國光通信用激光器的研究和國際新一代能帶工程研究接軌；近年來指導研究生開展了DFB主振激光器與扇形結構光放大器的單片集成研究，并與香港中文大學合作，創新地提出了含扇形光柵的雙段DFB激光器，在國際上首次獲得峰值功率4瓦的3皮秒超短光脈沖。他發表學術論文30余篇。先后獲國家科技成果獎。國家科學技術進步獎二等獎，國家“六五”科技攻關獎和863計劃“七五”攻關獎、中國科學院科技進步一等獎等。1997年當選中國科學院院士。
主要成就
科研成就
王圩早期從事無位錯硅單晶和Ⅲ—Ⅴ族化合物異質結液相外延研究，為使中國砷化鎵基激光器從液氮溫度提高到室溫工作做出了貢獻。1979年開始從事長波長鎵磷四元雙異質結激光器和動態單頻激光器研究，其中代表性成果包括應變層多量子阱分布反饋激光器、反位相增益耦合型分布反饋激光器及其與扇形放大器單片集成的主振功放器件等。
根據2021年8月何梁何利基金網站顯示，王圩先后發表相關論文99篇。
根據2021年8月何梁何利基金網站顯示，王圩先后獲得中國材料研究學會科學技術一等獎一次；國家科學技術進步獎二等獎兩次；中國科學院科技進步獎一等獎一次、二等獎兩次；國家“六.五”攻關獎一次；凝煉出了40項相關發明專利技術（已獲國家發明專利授權16項）。
人才培養
根據2021年8月何梁何利基金獎網站顯示，王圩先后培養的5名碩士、22名博士研究生中，有兩名獲得中國科學院院長獎，一名獲得教育部寶鋼獎。
王圩的招生專業是：微電子學與固體電子學、物理電子學。
王圩的招生方向是：基于InP光電子器件的集成、半導體激光器。
王圩教授《光子集成芯片材料與器件進展》《光子芯片集成材料與器件進展》課程。
榮譽表彰
社會任職
個人生活
王圩和夫人吳德馨都是20世紀60年代初大學畢業，學的都是半導體，一畢業就都分到了中科院半導體研究所。王圩1960年大學畢業，吳德馨1961年大學畢業，吳德馨于1991年當選為中國科學院學部委員（院士）。
人物評價
王圩為中國光纖通信用半導體光電子器件的發展做出了貢獻。（中國科學院評）
他為中國半導體光電子科技事業及其產業化發展做出的系統性和創新性的突出貢獻，勇于創新、銳意進取的科學精神，愛國奉獻、平易近人的高尚品德，以及在青年科技人才培養方面取得的突出成績，受到了廣泛贊譽。（2017年12月24日中國科學院院長、黨組書記白春禮在賀信中評）
王圩院士的一生，是無私奉獻的一生，是光榮偉大的一生，他對國家和人民無限忠誠，將畢生精力奉獻給了我國科技與教育事業。他富有遠見卓識和開創精神，以國家的重大需求為目標，為我國的半導體事業作出重大貢獻。他嚴于律己，克己奉公，治學嚴謹，為人謙和。他的業績和品德，為中國科技事業樹立了一座不朽的豐碑，他崇高的科學精神和道德風范永遠值得我們學習和敬仰。（王圩院士治喪委員會評）
人物影響
王圩院士從事科研工作60周年。
2017年12月24日，中國科學院半導體研究所學術會議中心舉行王圩院士從事科研工作60周年暨DFB組成立30周年學術交流會。
代表論著
W.Qiu, 王圩 J.越南盾, J.Dong, F.ZhoJ.Y.ZhangH.L.Zhu,andL.J.Zhao，“Selective-areaMOCVDgrowthfordistributedfeedbacklasersintegratedwithverticallytaperedself-alignedwaveguide” J.CrystalGrowth,Vol.250,No.3-4,pp583-587,2003 王圩,H.L.Zhu,F.Zhou,B.J.Wang,J.Y.Zhang,L.J.Zhao,“TunableDBRLaserFabricatedbyBundleIntegratedGuide”(inEnglish)，ChineseJournalofSemiconductorVol.24,二氧化氮,PP113-116,2003
W.Qui,王圩,J.越南盾,J.Y.Zhang,H.L.Zhu,F.Zhou,“SpotsizeConverterIntegratedDFBLaserDiodeUsingSelectiveAreaGrowthMOCVD”(inEnglish)，ChineseJournalofSemiconductor，Vol.23,No.5,pp459-463,May2002
王圩,R.Y.Zhang,J.Dong,Z.W.Feng,F.Zhou“Polarization-insensitivesemiconductoropticalamplifierwithgradedtensilebulk-likeactivestructure”OECC2002(invitedpaper)2002.7,Japan.
G.L.Liu,王圩,H.L.Zhu,J.Y.Zhang,X.J.Zhang,“Self-alignedCoupledWaveguideDBRLasers”(inEnglish)，ChineseJ.Lasers,Vol.B11,二氧化氮,pp87-90,2002
Y.Sun,王圩,W.X.Chen,G.L.Liu,F.Zhou,H.L.Zhu,“HighExtinctionRatioPolarizationIndependentEA-Modulator”(inEnglish),ChineseJ.Semiconductors,Vol.22,No.11,pp1374-1376,2001
王圩,G.L.Liu,H.L.Zhu,J.Y.Zhang,“HighSpeedDFBLaserandEMLs”Proc.SPIE,Vol.4850,pp26-34,2001
B.Chen,W.Wang,X.J.Wang,J.Y.Zhang,F.Zhou,“ANovel1.3-mmHighT0AlGaInAs/InPStrainedMulti-QuantumWellComplex-CoupledDFBLaserDiode”JpnJ.Appl.Phys.Vol.38,pp5096-5100,1999
王圩,J.Y.Zhang,H.L.Tian,Y.B.Miao,X.J.Wang,C.L.M.Wang,J.H.Gao,H.H.Gao,“1.5mmInGaAsP/InPRW-DFBLaser”InternationalJ.Optoelectronics,Vol.7,No.1,pp63-69,1992
王圩,M.T.Pang,K.Komori,K.S.Lee,S.Arai,Y.Suematsu,“AModified1.5mmGaInAsP/InPBIG-DBRLaserwithanInnerIslandSubstrate”,JpnJ.Appl.Phys.,Vol.27,No.7,ppL1313-L1316,1988
參考資料 >