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來源：互聯網

姚淑德，女，北京大學教授，專業特長及近期研究方向為核物理應用。

1997年，與唐超群出版的期刊《非化學配比對BaTiO_3缺陷及晶粒大小的影響》收錄于中文核心期刊要目總覽(PKU)、中國科學引文數據庫(CSCD)，主要講述了對原子分數為0.25%的La摻雜的具有不同Ba和Ti原子數配比R的BaTiO3材料，通過正電子壽命測量和電鏡觀測，研究了R對材料缺陷及晶粒大小的影響。2000年，介紹高能電子和正電子在晶體中的溝道輻射，對超相對論電子和正電子在周期彎曲晶體中的相干輻射進行了分析，并提出了初步的實驗設想的期刊《高能電子和正電子在晶體溝道中的輻射》出版。2008年至2011年間，相繼發表《SiC材料中缺陷引起的磁性》《80 keV Ni+和Mn+注入ZnO磁學改性和注入劑量的影響研究》等期刊。2016年，發表了研究期刊《強離子輻照引起材料損傷研究立項報告》。

人物經歷

1965年，姚淑德進入北京大學物理系學習。1970年，畢業后的姚淑德選擇留在北大任教。1980年，在北京大學物理系研究生班畢業，之后，被北京大學聘為講師、副教授、教授和博士生導師。1991年至1993年間，以訪問學者的身份進入美國加州大學伯克利分校洛倫茲國家實驗室，長期與比利時魯汶大學開展國際合作。1991年，與吳名枋等人出版期刊《離子束合成法形成的Si/CoSi_2/Si/SiO_2/Si(100)結構》。1995年，出版期刊《退火方式和氣氛對SIMOX材料質量的影響》，該期刊研究了退火程序、退火氣氛和注人方式對SIMOX材料質量的影響，結果表明，采用二重或三重注人并在Ar+0.5%O2中退火，可以獲得光滑平整的Si/SiO2界面和高質量的表面硅層。

1998年，相繼出版期刊《C-N多晶的離子束合成及分析》《用磁控濺射方法合成C_3N_4》，其中，《C-N多晶的離子束合成及分析》介紹了用離子束合成法研制新型材料β-C3N4的條件及過程。

1999年，由半導體學報出版的姚淑德創作的期刊《異質外延GaN及其三元合金薄膜的RBS/channeling研究》中，闡述了用RBS/channeling技術研究異質外延GaN及其三元合金薄膜的重要性和必要性，報道了實驗測量出的GaN及其三元合金AlGaN、InGaN膜的結構，給出了較為準確的元素種類、成分配比、薄膜厚度、合金元素的濃度隨深度的分布、結晶品質、晶軸取向等信息，測出了幾種薄膜的背散射溝道譜與隨機譜之比χ_(min)值(Al_(0.15)Ga_(0.85)N的χ_(min)值可低至1.17%)和溝道坑的半角度Ψ_(1/2)(GaN的半角寬為0.74°)，對于其他測試方法無法給定的中間層的情況及不同襯底對成膜的影響。

2000年，介紹高能電子和正電子在晶體中的溝道輻射，對超相對論電子和正電子在周期彎曲晶體中的相干輻射進行了分析，并提出了初步的實驗設想的期刊《高能電子和正電子在晶體溝道中的輻射》出版。

2001年至2010年間，先后8次以兼職教授的身份訪問美國加利福尼亞大學，并進行實驗研究。2007年9月7日，美國德克薩斯州農業與工程大學（A&M university）核工程學院主任Dr. K. L. Peddicord及前美國人體與輻射協會主席Dr. John Poston等一行七人訪問了物理學院及技術物理系并座談，姚淑德參加了此次會議。2002年，與王榮等人出版期刊《空間實用背場Si太陽電池和GaAs/Ge太陽電池性能隨質子輻照注量變化的比較》。2003年，相繼出版《用盧瑟福背散射/溝道和X射線衍射研究ZnO的彈性應變》《MOCVD生長InGaN/GaN多量子阱LED的穩定性及其與結構特性的關系》等期刊。

2006年，發表期刊《退火對Mg離子注入p-GaN薄膜性能的影響》，講述了在用MOCVD方法生長的p-GaN薄膜中注入Mg離子，然后在N2氣氛下在850～1150℃之間快速退火,研究了Mg+離子注入后樣品退火前后的結構、光學和電學性質，結果表明，離子注入使GaN晶體沿著a軸和c軸方向同時膨脹，在離子注入后的p-GaN薄膜的拉曼散射譜中出現波數為300cm-1和360cm-1兩個新峰，其強度隨著退火溫度而變化。這兩個新峰分別對應于布里淵區邊界的最高聲學聲子支的振動模式和局域振動模式。

2008年至2011年間，相繼發表《SiC材料中缺陷引起的磁性》《80 keV Ni+和Mn+注入ZnO磁學改性和注入劑量的影響研究》等期刊，其中《80 keV Ni+和Mn+注入ZnO磁學改性和注入劑量的影響研究》一文中，表明了用Ni~+和Mn~+離子注入ZnO半導體可以具有鐵磁性。

2013年，與潘惠平、李琳等人出刊期刊《藍寶石襯底上生長的Ga_(2+x)O_(3-x)薄膜的結構分析》，講述了利用盧瑟夫背散射/溝道技術和金屬有機化學氣相沉積方法，對藍寶石襯底上在不同溫度、壓強下生長的Ga2+xO3-x薄膜進行結構和結晶品質的測量與分析；并結合高分辨X射線衍射分析技術，通過對其對稱(02)面的θ-2θ及ω掃描，確定其結構類型及結晶品質，實驗表明，在相同的生長溫度(500°C)下，結晶品質隨壓強的下降而變好，生長壓強為15Torr(1Torr=133.322Pa)的樣品其結晶品質最好，沿軸入射之比χmin值為14.5%；在相同的生長壓強(15Torr)下,結晶品質受生長溫度的影響不大。

2016年，發表了研究期刊《強離子輻照引起材料損傷研究立項報告》，主要研究重在系統地深入了解在強離子輻照下材料，特別是新一代核能系統中結構和功能材料損傷的微觀機理，探索原子尺度上的缺陷行為以及從原子、介觀到宏觀尺度的離子輻照損傷演化過程及其多尺度計算機模擬；研究環境因素對輻照損傷效應的影響，不同種類粒子輻照效應的特點、差異、相互之間的聯系，探索和建立不同載能粒子輻照損傷之間的等價關系；為設計在裂變/聚變堆等極端環境下應用的抗強輻射材料提供參考和依據。2019年，姚淑德以二維材料器件輸運性質與半導體材料離子注入特性研究參與申報當年的陜西省科學技術獎，隨后，獲得該獎項的提名。

主要作品

期刊作品

社會任職

全國第一個原子核系授課老師。

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