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來源：互聯網

泛林集團（英文名：Lam Research，又稱：泛林半導體），是全球半導體產業創新晶圓制造設備及服務主要供應商，總部位于加利福尼亞州弗里蒙特市，由David K. Lam創立于1980年，公司股票代碼為納斯達克股票交易所:LRCX，現任總裁為蒂姆·阿徹。

泛林集團于1981年推出首款等離子刻蝕機產品AutoEtch。1984年，泛林集團在美國納斯達克上市。1992年，泛林集團開發了第一臺ICP干法刻蝕設備。1997年，泛林集團收購芯片設備制造商OnTrak Systems Inc。2006年，泛林集團收購Bullen 半導體（即Silfex, Inc.）。2008年，泛林集團推出伽馬發動機 GxT和GAMMA G400剝離系統。2014年，泛林集團進入原子層刻蝕領域。2019年1月，泛林集團在北京成立技術培訓中心，開設了刻蝕和沉積技術的相關培訓課程。2023年1月，泛林集團宣布裁員，理由是芯片需求放緩以及最新一輪禁止向中國出口芯片制造設備的規定。泛林集團提供薄膜沉積、等離子蝕刻、光刻膠剝離和晶圓清洗服務。其業務遍及美國、中國、歐洲、日本、韓國和東南亞等國家和地區。

泛林集團曾入選《巴倫》周刊最具可持續發展企業前100強，并獲得2020年英特爾“供應商持續精進獎“。2022年5月23日，泛林集團位列2022年《財富》美國500強排行榜第250名，營收14626.2百萬美元。2024年，泛林集團位列2024年《財富》美國500強排行榜第237名。2024年泛林集團營收為17428.5百萬美元。

歷史沿革

泛林集團由出生在中國的David K. Lam創立于1980年。1981年，泛林集團推出首款等離子刻蝕機產品AutoEtch。1984年1月，泛林集團在美國納斯達克股票交易所上市。1989年，泛林集團開發了支持0.8微米制程的刻蝕設備，為當時制程最先進的設備之一。

1992年，泛林集團開發了第一臺ICP干法刻蝕設備。1995年，泛林集團在上一代ICP設備的基礎上，開發了首款雙頻ICP介質刻蝕設備，并成功應用于350納米制程芯片，成為當時最先進的刻蝕設備。1997年3月，泛林集團以2.25億美元收購了專門從事化學機械平面化CMP清洗的芯片設備制造商OnTrak Systems Inc。2006年，泛林集團收購了Bullen 半導體（即Silfex,Inc.）。2008年，泛林集團收購了SEZ AG（即Lam Research AG）。同年，泛林集團推出伽馬發動機 GxT和GAMMA G400剝離系統。2010年，泛林集團推出用于晶圓級封裝的SABRE 3D ECD系統。2011年12月14日，泛林集團同意以33億美元收購Novellus系統公司。該交易于2012年完成。2014年，泛林集團進入原子層刻蝕領域。2016年，泛林集團在美國弗里蒙特市開設了Lam Research Dr. Richard A. Gottscho實驗室。

2018年，泛林集團在中國的營收總額約21億美元。2019年1月，泛林集團在北京成立技術培訓中心，建筑面積1280平方米，開設了刻蝕和沉積技術的相關培訓課程。2020年，泛林集團發布了等離子刻蝕技術及系統解決方案，將刻蝕輸出精度提升50%以上。2021年，泛林集團設定2050年實現碳凈零排放的目標。2023年1月25日，泛林集團首席執行官蒂姆·阿徹在2023財年第二季度財報電話會議上宣布裁員，理由是芯片需求放緩以及最新一輪禁止向中國出口芯片制造設備的規定。

2024年12月2日，美國商務部公布多項措施，加強對中國芯片和制造設備的出口管制，再次升級對中國高科技產業的打壓。路透社表示，這是拜登政府任內為打擊中國芯片生產能力而采取的最后一次大規模行動之一，該出口管制可能會傷害到泛林集團、科磊（KLA）、應用材料等美國半導體設備廠商。

機構治理

管理層

董事會

分支機構

主要業務

泛林集團提供薄膜沉積、等離子蝕刻、光刻膠剝離和晶圓清洗服務。

解決方案

Semivers解決方案

Semiverse解決方案產品包括SEMulator 3D和OverViz。其中，SEMulator 3D是一個半導體工藝建模平臺，可提供廣泛的技術開發功能?；诟咝У奈锢眚寗芋w素建模技術，SEMulator 3D具有獨特的能力來建模完整的工藝流程。從輸入的設計數據開始，SEMulator 3D遵循集成的工藝流程描述來創建工廠中創建的復雜3D結構的虛擬等效物。SEMulator 3D工藝建模和分析用于快速準確地“虛擬制造”先進的納米制造工藝，使工程師能夠在開發過程的早期了解制造效果，并減少耗時且昂貴的硅片學習周期。OverViz是一種用于高保真等離子放電建模的工業模擬軟件平臺，主要應用于半導體蝕刻和沉積、優化制造配方和工藝、識別并糾正流程異常、等離子推進、塵埃和等離子體行為模擬及激光等離子體模擬等方面。

低溫蝕刻

數據密集型AI應用需要顯著改進內存技術，尤其是NAND閃存，包括更快的數據傳輸速度。計算需求激增導致處理內存系統內數據傳輸的功耗增加。芯片制造商需要從200層3D NAND擴展到更高層，以滿足每比特成本降低的要求，同時減少對環境的影響。低溫低溫蝕刻可使用新型化學物質來提高高深寬比蝕刻能力。低溫蝕刻可提高蝕刻速率、實現垂直高深寬比輪廓，并減少蝕刻工藝對環境的影響。通過使用專有和獨特的技術，Lam已逐漸完善通道孔蝕刻技術。