李效民，男，1960年生，中國科學院上海硅酸鹽研究所研究員，主要從事硅基信息功能薄膜集成系統(tǒng)、新型氧化物功能薄膜材料及低維半導體納米材料方面的研究。
簡介
1982年，畢業(yè)于東北大學金屬材料專業(yè)。
1982年至1988年，在鋼鐵研究總院難熔金屬研究室工作。
1988年，作為國家教委公派留學生赴日本留學。
1991年，獲日本山形大學工學研究科應用化學專業(yè)碩士學位，
1994年，獲日本大阪大學理學研究科無機物理化學專業(yè)理學博士學位。
1994至2001年，在日本村田制作所研究開發(fā)中心任高級研究員。
2002年，任中國科學院上海硅酸鹽研究所高性能陶瓷和超微結(jié)構(gòu)國家重點實驗室研究員。
2002年3月，獲中國科學院“百人計劃”基金。
研究經(jīng)歷
博士期間（1991-1994）
人工晶體的分子束外延生長(Epitaxy)的物理化學過程及結(jié)晶生長機制。
分子束外延人工晶體的物理特性，特別是超導特性及異常反磁性。
人工晶體的微量元素添加方法及微量元素對人工晶體物理性質(zhì)的影響。
設計出了Ba-Ca-銅O系新型人工晶體結(jié)構(gòu)，并應用以上方法制出了該新型人工晶體薄膜。對該人工晶體進行了晶體結(jié)構(gòu)分析及超導電性測試，證明其與設計的晶體結(jié)構(gòu)相一致，并得到了預期的超導電性。
日本公司工作期間（1994-2001）
介電體材料（TiO2、SrTi臭氧）、鐵電體材料(PbTiO3、Pb(Zr,Ti)O3)的CVD（化學氣相沉積）合成法及等離子CVD合成法的研究。
激光熔射薄膜生長裝置的設計。
各種單晶薄膜、多晶薄膜（錫 、TiN-氮化鋁、MgO、Pt、Ir）的激光分子束外延生長方法及其性能的研究。
各種單晶薄膜、多晶薄膜（TiN 、MgO、Pt）的離子束濺射生長方法及其性能的研究。
Pb（Zr,Ti）O3鐵電體薄膜的晶體生長方法、生長方向的控制及其鐵電性、熱釋電性及壓電性的研究。
單晶硅底板上鐵電薄膜的合成及微型電子元器件（鐵電體不揮發(fā)性存儲器、微型熱釋電敏感器、微型壓電麥克風、微型電子開關）的研究開發(fā)。
研究項目
2002～2005，“高性能陶瓷薄膜材料的結(jié)晶過程及其應用”中科院“百人計劃”項目
2002～2007，“集成信息功能陶瓷系統(tǒng)的基礎問題研究”國家重點基礎研究發(fā)展規(guī)劃（973）項目
2004～2006，“單晶氧化鋅納米線的摻雜及其相關物理特性研究”國家自然科學基金項目
2004～2007，“納米和梯度熱電材料與太陽能光電、熱電、風力發(fā)電系統(tǒng)”自然科學基金重大國際合作項目
2002～2004，“新型藍紫光發(fā)光器件用ZnO薄膜的研制”上海市科技發(fā)展基金項目
2004～2005，“氧化鋅基材料摻雜機理、光學性能及熱電性能的研究”上海硅酸鹽研究所創(chuàng)新項目
主要論文
參考資料 >
李效民研究員.中國科學院上海硅酸鹽研究所.2024-09-24
李效民.中國科學院教育業(yè)務管理平臺.2024-09-24
李效民.中國知網(wǎng).2024-12-09