氧化是一種新的n型透明半導(dǎo)體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領(lǐng)域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應(yīng)用。而氧化銦顆粒尺寸達(dá)納米級別時(shí)除具有以上功能外，還具備了納米材料的表面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)等。
雜質(zhì)要求
包裝
本產(chǎn)品可按用戶要求，裝入塑料桶，熱塑套管封口。
包裝（Package）： 20公斤/袋
用途
電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑等。另外，廣泛應(yīng)用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劑 、化學(xué)試劑等傳統(tǒng)領(lǐng)域。近年來大量應(yīng)用于光電行業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產(chǎn)平面液晶顯示器和除霧冰器。
毒理學(xué)數(shù)據(jù)
急性毒性：大鼠口經(jīng)LD：>10gm/kg；小鼠引入腹膜LDLo：5gm/kg；小鼠口經(jīng)LDLo：10gm/kg
生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)
通常來說對水是無害的，若無政府許可，勿將材料排入周圍環(huán)境。
分子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)
1、單一同位素質(zhì)量：277.7925 Da
2、標(biāo)稱質(zhì)量：278 Da
3、平均質(zhì)量：277.6342 Da
計(jì)算化學(xué)數(shù)據(jù)
1.疏水參數(shù)計(jì)算參考值（XlogP）:無
2.氫鍵供體數(shù)量:0
3.氫鍵受體數(shù)量:3
4.可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0
5.互變異構(gòu)體數(shù)量：無
6.拓?fù)浞肿訕O性表面積3
7.重原子數(shù)量:5
8.表面電荷:0
9.復(fù)雜度:0
10.同位素原子數(shù)量:0
11.確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
12.不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
13.確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
14.不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
15.共價(jià)鍵單元數(shù)量:5
性質(zhì)與穩(wěn)定性
在氫氣或其他還原劑存在下，加熱至400～500℃可還原成金屬銦或低價(jià)銦的氧化物。
在高溫下分解為低級氧化物。另外，在高溫下可與金屬銦發(fā)生反應(yīng)，低溫灼燒生成的InO雖易溶于酸，但經(jīng)過高溫處理得越完全就越難溶，吸濕性也消失了。三氧化二銦在赤熱狀態(tài)下用氫氣還原時(shí)，則生成金屬銦。
貯存方法
保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風(fēng)或排氣裝置。
合成方法
1.將高純金屬銦在空氣中燃燒或?qū)⑻妓徙熿褵蒊nO、InO、InO，精細(xì)控制還原條件可制得高純InO。也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。
2.將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時(shí)，溫度過高的話，InO有熱分解的可能性，若溫度過低則難以完全脫水，而且生成的氧化物具有吸濕性，因此，加熱溫度和時(shí)間是重要的因素。另外，因?yàn)镮nO容易被還原，所以必須經(jīng)常保持在氧化氣氛中。
3.將氫氧化銦在空氣中，于850℃灼燒至恒重，生成InO，再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。
用途
1.用作光譜純試劑和電子元件的材料等
2.用于金屬反射鏡面的保護(hù)涂層、光電顯示半導(dǎo)體薄膜，也用于制造銦鹽、玻璃。
安全信息
危險(xiǎn)運(yùn)輸編碼：UN 1993 3/PG 2
危險(xiǎn)品標(biāo)志：刺激
安全標(biāo)識：S26S36
危險(xiǎn)標(biāo)識：R36/37/38
參考資料 >
納米氧化銦制備的研究進(jìn)展.CNKI.2018-02-24