梁駿吾（1933年9月18日-2022年6月23日），湖北武漢人，我國著名的半導體材料學家，中國科學院半導體研究所研究員，中國工程院院士。1955年畢業于武漢大學物理專業，1956年至1960年在蘇聯科學院莫斯科巴依可夫冶金研究所學習，獲得副博士學位。梁駿吾是我國早期半導體硅材料的奠基人，曾任中國電子學會半電子材料學分會主任、名譽主任。他的研究領域包括高純區熔硅單晶、砷化鎵液相外延、硅氣相外延、SiO2隔離膜生長和多晶硅生長等。2022年6月23日，梁駿吾因病醫治無效在北京逝世，享年89歲。
人物經歷
早期經歷
1933年9月18日出生于湖北漢口（今武漢市）。1951年考入武漢大學物理系。 1956年獲政府獎學金赴蘇聯留學，1960年獲蘇聯科學院貝科夫冶金研究所副博士學位。
1960年梁啟超回國，同年任中國科學院半導體研究所助理研究員。 1970年任宜昌半導體廠助理研究員，直至1979年。1978年晉升為中國科學院半導體研究所研究員。
社會活動
主要成就
科研成就
科研綜述
梁駿吾負責國家十二年科技規劃中的高純硅研制，得到電阻率為15×104ohm-cm的硅單晶，是當時國際上最好結果之一，獲1964年國家科委頒發的國家科技成果二等獎。研制的硅無堝區熔提純設備獲1964年國家科委全國新產品二等獎。1964—1965年負責組建GaAs液相外延研究。1965年首次研制成功中國國內第一只室溫脈沖相干激光器用的砷化鎵外延材料。1966—1969年負責156工程中集成電路用硅外延材料任務。解決了連續生長硅高摻雜外延層、SiO2介質層、多晶硅層的工藝技術。為中國第一代介質隔離集成電路提供了外延材料。在4K位和16K位DRAM研制中，成功制備大規模集成電路用無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧含量的高質量直拉硅單晶。該兩項研究分別獲中科院1979年及1980年重大成果一等獎。20世紀80年代首創了摻氮中子嬗變區熔硅單晶，獲1988年中科院科技進步一等獎。完成了硅中雜質以及外延中空氣動力學與熱力學耦合計算及微機控制光加熱外延爐。完成了MOCVD生長 GaAlAs/GaAs 量子阱超晶格材料‘863’任務，突破了中國多年來未能生產低閾值的量子阱激光器材料的局面。他還從事光伏電池材料和器件工作。
研究項目
科研成果獎勵
截至2014年10月，梁駿吾先后獲得國家科委科技成果二等獎一次、中國科學院科技進步獎一等獎1次、中國科學院重大成果一等獎兩次，以及其它國家部級獎勵多次。
人才培養
寄語學生
梁駿吾希望年輕的科研工作者一定要腳踏實地，從基礎工作做起，不要受社會環境影響，要堅持自己的方向，埋頭苦干，成果就會逐步顯現。
教育成果獎勵
2008年5月10日，在中國科學院大學建校30周年慶祝大會上，梁駿吾被授予“中國科學院研究生院杰出貢獻教師”稱號。
榮譽獎項
人物評價
梁駿吾作為從事硅材料研究的元老級專家，被認為是中國半導體材料領域內一位“真正的大俠”，其威望自然舉足輕重。（《中國科學報》評）
梁駿吾在科研工作中碩果累累，在半導體材料研究領域具有重要影響力。（哈爾濱工業大學評）
個人生活
梁駿吾與夫人聞瑞梅都是武漢人，大學同窗相識相戀，上學時兩家僅一條馬路之隔，一起上學，一起回家。大學快畢業時，兩人才正式確立戀愛關系。此后，兩人又成為中國科學院半導體所的同事，合作發表過一些學術論文。
人物逝世
2022年6月23日，半導體材料專家、中國工程院院士、中國科學院半導體所研究員梁駿吾，因病醫治無效，在北京逝世，享年89歲。
參考資料 >