《硅鍺的性質》是由卡斯珀主編，31位來自全球各國的教授參與撰稿的專著，于2002年由國防工業出版社出版。該書主要論述了SiGe/Si知識，被視為Si基異質結構和應用領域的權威性參考資料。
圖書序言
自雙極晶體管發明后，電子半導體的基本材料從鍺轉變為硅。1960年前后這一轉變時期，人們對無應變的SiGe合金體材料產生了濃厚興趣。1985年起，分子束外延等先進外延生長技術使得在Si襯底上生長高質量薄膜的應變SiGe層成為可能。SiGe/Si結構的研制大大刺激了對硅基異質結構的研究，隨后幾年內，研制出了最快的硅基晶體管，并顯示出了許多令人神往的機遇。本書第一章綜述了需要注意的應變層系統的一些總體性質。SiGe/Si異質結構中，Si和Ge具有類似的化學特征，使其化學效應降至最低，因此，在應力的驅動下，這種異質結構會產生一些物理現象，我們可以將其看作是典型的系統。
作者簡介
譯者：余金中
編者：(德國)卡斯珀 (Erich Kasper)
合著者：王杏華 王莉 夏永偉
Erich Kasper（卡斯珀），自1994年以來一直擔任斯圖加特大學半導體研究所所長，長期從事量子電子器件的理論和納米結構自組織的器件結構MBE研究工作，在SiGe的研究領域具有很高的國際聲望，并有兩本專著和近百篇論文發表。
內容簡介
《硅鍺的性質》共七章，第一章綜述了SiGe應變層系統的一些總體性質；第二章至第六章給出了應變的和弛豫的SiGe合金的具體材料性質，論述了SiGe材料的結晶學、異質結構、熱學性質、力學和晶格振動、能帶結構、輸運特性、磁學特性、表面性質、光吸收和光譜等方面的內容；第七章介紹了一些代表性的SiGe/Si器件的結構和特性。
《硅鍺的性質》是半導體領域的學者和工程技術人員的必讀書，適于材料專業和半導體專業的科技人員、研究生、博士生閱讀，還可供物理領域中的廣大科技人員作為手冊進行查閱。
繼Si之后，SiGe/Si是研究得最多、最深入的一類Si基異質材料。應變的和弛豫的SiGe已經成為電子集成電路和光電子集成電路的非常重要的材料。
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