楊思澤，男，1947年2月出生于臺灣省臺北市，中國科學院物理研究所研究員，博士生導師。他的研究領域主要涉及等離子體物理及其在材料科學中的應用，包括真空弧結合空心陰極弧材料表面改性、高能量密度等離子體槍裝置及材料處理、管件內壁等離子體注入材料改性、等離子體電解沉積制備功能性薄膜、等離子體生物醫用材料表面改性及生物相容性研究等。他曾在國際學術刊物上發表論文200余篇，獲得國家專利16項，并獲得部級科技進步三等獎。
人物經歷
教育經歷
1964年9月-1968年6月，臺灣成功大學機械工程系，獲工學學士；
1968年9月-1970年6月，臺灣清華大學原子科學研究所，獲工學碩士學位；
1972年9月-1978年6月，美國伯克利加利福尼亞大學核工程系，核聚變與等離子體物理專業，獲工學博士學位。
工作經歷
1970年7月-1971年6月，臺灣空軍通信電子學校，少尉教官，講授高等數學；
1971年7月-1972年7月，臺灣原子能委員會技術處，技術專員，技正；
1972年9月-1978年6月，美國伯克利加州大學，助教，研究助理；
1978年7月-1979年8月，Kentex Co., Berkeley, CA, USA，高工；
1979年12月-迄今，中國科學院物理研究所，副研究員，研究員；
1982年-1984年，中國科學院合肥等離子體研究所熱電子環磁鏡實驗項目負責人；
1984年-迄今，中國科學院物理所“波與等離子體相互作用”、“電子回旋波等離子體共振加熱研究”、“等離子體與材料相互作用研究”等課題組組長。
主要貢獻
研究方向
真空弧結合空心陰極弧材料表面改性研究、高能量密度等離子體槍裝置及材料處理研究、管件內壁等離子體注入材料改性研究、等離子體電解沉積制備功能性薄膜、等離子體生物醫用材料表面改性及生物相容性研究、大氣壓條件下介質阻擋放電等離子體對植物種子處理的研究。
科研成果
成功地將等離子體核聚變領域的一些原理和機制用于材料表面改性領域，研制開發出許多具有自主知識產權的裝置和技術。首次利用高能量密度等離子體束（PHEDP）法制備出類金剛石、氮化鈦、氮化硼等薄膜，在陶瓷表面金屬化方面做過許多開創性的工作。首次將等離子體源離子注入（PSII）技術應用與材料內表面改性處理，并對其特性進行了系統地實驗研究。在國際著名學術刊物（SCI）上發表論文200余篇，獲國家專利16項，獲得部級科技進步三等獎1次，國際會議邀請報告14次。
參考資料 >