王德君(Dejun WANG)，吉林大學半導體材料（化學）專業本科、碩士，清華大學材料學博士，先后服務于北京大學、名古屋大學和奈良先端科學技術大學院大學，2004年7月被聘為大連理工大學電子信息與電氣工程學部電子科學與技術學院教授，博士生導師。
人物經歷
教育經歷
吉林大學半導體化學專業本科、碩士
清華大學材料學博士?
工作經歷
先后服務于北京大學、名古屋大學和奈良先端科學技術大學院大學，現大連理工大學教授，博士生導師（微電子學、控制、凝聚態物理）。
主要成就
學術成果
發表論文
Zhang, Yi-Jie,Yin, Zhi-peng,Su, Yan,Wang, De-Jun.Passivation of 碳 dimer defects in amorphous SiO2/4H-SiC(0001) interface: A first-principles study[J],CHINESE PHYSICS B,2018,27(4)
Haipeng Zhang,王德君.A GaN/InGaN/AlGaN MQW RTD for versatile MVL applications with improved logic stability[J],Journal of Semiconductors,2018,39(7):7400401-7400411
楊超,王德君.電容電壓 Measurements and Bias 溫度 Stress Induced Flatband Voltage Instability in 4H-SiC MOS Capacitors[A],Asia-Pacific Conference on 硅 Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018),2018,2018(July):13-26
Zhang Haipeng,Wang Dejun,Geng Lu,Lin Mi,Zhang Zhonghai,Lu Weifeng,Wang Xiaoyuan,Wang Ying,Zhang Qiang,Bai Jianling.High voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and ICs validated by simulation results[A],2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA),2018
Wu, Zijian,Cai, Jian,Wang, Qian,Wang, Junqiang,Wang, Dejun.Wafer-Level Hermetic Package by Low-溫度 Cu/Sn TLP Bonding with Optimized Sn Thickness[J],JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,2017,46(10):6111-6118
王德君,何,秦芝,黃慶,都時禹.碳化核燃料缺陷結構的研究現狀[J],核技術,2017,40(7):83-94?
授權專利
一種降低SiC MOS界面態密度的表面預處理方法
一種柔性聚酰亞胺襯底上的氮化鎵基薄膜及其制備方法
一種自感知便攜式圖像無線監控設備及使用方法
一種降低SiO2/碳化硅界面態密度的方法?
代表著作
半導體材料與器件表征技術?
科研項目
SiC MOS器件界面缺陷及其鈍化研究,?國家自然科學基金項目,2014/09/01,完成
系統級封裝技術工藝加工,企事業單位委托科技項目,2011/11/03-2011/12/31,進行
新一代半導體SiC材料表面處理技術,省、市、自治區科技項目,2007/01/01-2009/12/31,完成
SiC半導體MOS結構界面態研究,主管部門科技項目,2007/01/01-2009/03/31,完成
2006年度教育部新世紀優秀人才支持計劃,主管部門科技項目,2006/12/31-2009/12/31,完成
SiC MOS器件近界面氧化物缺陷與閾值電壓漂移抑制技術研究,?國家自然科學基金項目,2018/08/16,進行
研究領域
1.寬帶隙半導體碳化硅、GaN材料與器件科學
2.功率芯片、傳感器芯片設計制造及應用
3.集成電路技術
4.數字監控系統/無線傳感器網絡
碩博研究方向
一級學科博士點：電子科學與技術
二級學科專業：微電子學與固體電子學；物理電子學；電路與系統；電磁場與微波技術
2年制專業學位碩士：集成電路工程
出版著作和論文
劉冰冰等.Chemical and electronic passivation of 4H-SiC surface Applied Physics Letters, 104: 202101(2014)
江瀅等.Field isolation for GaN MOSFETs. Semiconductor Science and Technology, 29: 055002(2014)
王青鵬等.Characterization of GaN MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 61: 498(2014)
朱巧智等.Electrical and physical properties of 4H-SiC MOS interface. Physica B, 432: 89(2014)
李文波等.Oxidation of step edges on vicinal 碳化硅 surfaces. Applied Physics Letters, 103: 211603(2013)
朱巧智等.Passivation of SiO2/SiC interface traps. Applied Physics Letters, 103: 062105(2013)
黃玲琴等.Barrier inhomogeneities of metal/SiC contacts. Applied Physics Letters, 103: 033520(2013)
李文波等.Insight into the Oxidation and defects of 碳化硅 Physical Review B, 87: 085320(2013)
黃玲琴等.SiC Ohmic contacts. Applied Physics Letters, 100: 263503(2012)
朱巧智等.SiO2/SiC interface transition region. Applied Physics Letters, 99: 082102(2011)
譯著：《半導體材料與器件表征技術》，大連理工大學出版社，2008年6月
原著：《Semiconductor Material and Device Characterization》by Dieter K.Schroder
工作成果
第一屆全國優秀博士學位論文獎，教育部，1999
新世紀優秀人才支持計劃資助，教育部，2006
大連市IT教師基金，新一代嵌入式圖像監控及處理系統的設計，2008
國家重大基礎研究（973）專項，新一代半導體碳化硅材料與器件基礎問題，2006-2007
參考資料 >
大連理工大學.大連理工大學.2021-07-30