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本征激發是指當半導體從外界獲得一定的能量，如高于禁帶寬度的光子照射，電子從價帶頂端躍遷到導帶底端，產生自由電子和自由空穴的現象。本征激發的容易程度受到禁帶寬度的影響。本征半導體是指沒有雜質和缺陷的半導體單晶，在高溫下雜質半導體也可以轉變為本征半導體，此時兩種載流子（電子和空穴）同樣都對導電起作用。
簡介
當半導體的溫度T>0K時，有電子從價帶激發到導帶去，同時價帶中產生了空穴，這就是所謂的本征激發。
一般來說，半導體中的價電子不完全像絕緣體中價電子所受束縛那樣強，如果能從外界獲得一定的能量(如光照、溫升、電磁場激發等)，一些價電子就可能掙脫共價鍵的束縛而成為近似自由的電子（同時產生出一個空穴），這就是本征激發。這是一種熱學本征激發，所需要的平均能量就是禁帶寬度。
本征激發還有其它一些形式。如果是光照使得價電子獲得足夠的能量、掙脫共價鍵而成為自由電子，這是光學本征激發（豎直躍遷）；這種本征激發所需要的平均能量要大于熱學本征激發的能量——禁帶寬度。如果是電場加速作用使得價電子受到高能量電子的碰撞、發生電離而成為自由電子，這是碰撞電離本征激發；這種本征激發所需要的平均能量大約為禁帶寬度的1.5倍。
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