潘必才，男，1962年8月生于安徽省潛山縣（潛山市），中國科學技術大學理學博士，教授，博士生導師。他在1993年獲得了博士學位，并在1995-1997年及2000-2003年間在美國Ames國家實驗室進行合作研究。潘必才教授曾獲得第四屆安徽省青年科技獎（1999年）和第七屆中國青年科技獎（2001年）。
人物經歷
1993年于中國科學技術大學獲理學博士學位。
1995-1997年和2000-2003年在美國Ames國家實驗室合作研究。
1999年獲第四屆安徽省青年科技獎。
2001年獲第七屆中國青年科技獎。
教學工作
潘必才教授主講的課程包括量子力學（本科生）、原子物理（本科生）和固體計算物理（研究生）。他還致力于凝聚態物理理論計算、核材料性能的理論研究，以及緊束縛勢模型的理論研究工作。
研究方向
潘必才教授的研究方向主要集中在：
1) 緊束縛勢模型的發展；
2) 復雜凝聚態體系（表面，納米，團簇）的理論計算研究；
3) 團簇、納米線/納米管、固體表面、塊體材料中缺陷的結構、電子結構和振動性質研究。
代表性論文
潘必才教授發表了多篇具有代表性的論文，其中包括：
1. B. C. pan, Electronic structures of an extra Si atom diffusing in the Si (111)(7x7)surface, Surface Science (in press).
2. A. J. Lu, B. C. Pan*, J. G. Han, Electronic and vibrational properties of diamondlike hydrocarbons, Phys.rev. B 72, 035447(2005).
3. B. Xu, A. J. Lu, B. C. pan*, Q. X. Yu, Atomic structures and mechanical properties of single-crystal GaN nanotubes, Phys. Rev. B 71, 125434(2005).
4. A. J. Lu, B. C. Pan*, Interaction of 氫 with vacancies in a (12,0) 碳 nanotube, Phys. REV B 71, 165416(2005).
5. B. C. pan, R. Biswas, Structure and simulation of hydrogenated nanocrystalline 硅, J. Appl. Phys. 96, 6247(2004).
6. A. J. Lu, B. C. Pan*, Nature of single vacancy in achiral 碳 nanotubes, Phys. Rev. Lett. 92, 105504(2004).
7. R. Biswas, B.C. pan, Y.Y. Ye, Metastability of amorphous 硅 from silicon network rebonding, Phys. Rev. Lett. 88, 205502(2002).
8. B.C. Pan, Tight-bonding potential for hydrocarbons, Phys. REV B 64, 155408(2001).
9. K.M. Ho, A. A. Shvartsburg, Bicai pan, Zhong-Yi Lu, C.Z. Wang, J.G. Wacher, J.L. Fye and Martin F. Jarrold, Structures of medium-sized 硅 clusters, Nature (倫敦) 392, 582(1998).
10. The nature of radiative transitions in O-doped boron nitride nanotubes, Journal of American Chemical Society, 131, 4839 (2009).
11. Molecular 動力學 simulations of the metallic behavior of the Si(001) surface at high temperatures, Phys. REV B, 77, 113301 (2008).
12. Enhancing the topological structures of defected 碳 nanotubes with adsorbed hydrocarbon radicals at low temperatures, Phys. Rev. B, 75, 113401 (2007).
13. Possible lowest-reactivity structure of the 硅 cluster Si45, Phys. REV B, 73, 045417 (2006).
14. Formation energies of topological defects in 碳 nanotubes, Phys.Rev.B, 62, 12652 (2000).
參考資料 >