銻化單晶是周期表第皿，V族元素化合物半導體共價鍵結合，有一定離子鍵成分。
定義信息
方晶系閃鋅礦型結構，晶格常數0.5.17$nm密度5.775gIrM3o熔點525`x'。為直接帶隙半導體。室溫禁帶寬度0.IAeV，本征載流子濃度1.l y102z1m3，本征電阻率(}x10-}}'m，較純晶體的電子和空穴遷移率為to和l).17澎/ } V's)。采用區域熔煉、直拉法制備。用于制作遠紅外光電探測器、霍耳器件和磁阻器件。
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