邢曉東，博士，副教授，碩士生導(dǎo)師。研究方向為量子材料與器件。從事III-V族半導(dǎo)體材料的分子束外延生長與表征研究，主要負(fù)責(zé)材料生長工藝的制定、材料制備與性能測試，并輔助進行分子束外延設(shè)備維護等。
人物經(jīng)歷
邢曉東出生于洛陽市的叩馬村。
2003.7－至今，南開大學(xué)泰達(dá)應(yīng)用物理學(xué)院，從事半導(dǎo)體材料分子束外延生長與表征研究
2000.9－2003.7，天津大學(xué)電信學(xué)院微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)，博士
1997.9－2000.3，天津大學(xué)天津理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院材料學(xué)專業(yè)，碩士
1993.9－1997.7，天津大學(xué)材料學(xué)院材料學(xué)專業(yè)，學(xué)士
主要成就
研究方向
（1）分子束外延生長技術(shù)
（2）量子材料與器件
研究成果
（1）生長出AlGaAs/GaAs二維電子氣HEMT半導(dǎo)體外延材料，為161000cm2/V·s，光照后的77K電子遷移率為230000 cm2/V·s，2K時電子遷移率達(dá)到1780000cm2/V·s。
（2）生長出外延層厚度為2.5mm以下的高質(zhì)量InP/InP材料，電學(xué)性能為77K時電子遷移率47600cm2/V·s（磷的裂解溫度為850℃），該結(jié)果是目前國際上已報道的MBE外延InP/InP材料最好結(jié)果，測試鑒定結(jié)果為Riber公司MBE Compact 21T型設(shè)備的歷史最好水平。
發(fā)表論文
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BaO-TiO2-Sm2O3系陶瓷結(jié)構(gòu)與介電性能研究，壓電與聲光
BNT系納米粉體的制備及微波特性研究，電子科技大學(xué)學(xué)報
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壓敏電阻陶瓷材料的研究進展，電子元件與材料
參考資料 >
邢曉東_南開大學(xué).萬方分析學(xué)者知識脈絡(luò).2022-01-24