鹵化鉿是一種化合物，是制備金屬鋯的重要原料。
正文
鹵化鉿。氯化鋯是制備金屬鋯的重要原料。四氯化鋯為白色晶體粉末，在604K升華，密度2.8，在潮濕空氣中產(chǎn)生鹽酸煙霧，遇水劇烈水解：
基本簡介
對于每一代半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點而言，在盡可能保持原有生產(chǎn)制造工藝流程不變的前提條件下，尺寸的縮小無疑將提高CMOS器件的性能。自從1947年發(fā)明固態(tài)晶體管以來，在整個IC器件結(jié)構(gòu)中，以SiO2為基礎(chǔ)的晶體管柵極絕緣層最為關(guān)鍵。它的功能是將晶體管溝道和柵電極兩者絕緣隔離，而等效氧化層厚度（EOT）與材料的介電常數(shù)k成反比。為了不斷提高晶體管性能表現(xiàn)需要更薄的EOT，這也導(dǎo)致了漏電流不斷增大。在過去的50年里，業(yè)界已經(jīng)成功地將SiO2為基礎(chǔ)的晶體管柵極絕緣層減薄到了幾十埃的厚度。近年來更是成功的采用氮化處理技術(shù)，獲得了介電常數(shù)更高的SiON薄膜柵極絕緣層。采用更高k值薄膜能夠在不斷降低EOT的同時，確保有足夠的絕緣材料厚度來減少漏電流。
目前，縮減SiON薄膜的厚度也已經(jīng)達到了材料的物理極限；要想進一步提升器件性能，只能通過采用新材料和/或改變器件結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)。到了45nm技術(shù)節(jié)點，一些前沿的邏輯電路制造商宣布將引入鉿基
高k絕緣材料來取代SiON薄膜，無疑這是自現(xiàn)代晶體管發(fā)明以來，在柵氧絕緣材料領(lǐng)域的第一次重大的變革。為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，科學(xué)人員用了十年的時間，克服了大量的困難和挑戰(zhàn)，大海撈針般從各種備選材料中挑出確實可靠的解決方案。綜合考慮了材料的介電常數(shù)和熱力學(xué)穩(wěn)定性等物理特性以及極化和固定電荷等電學(xué)特性后，研究人員將目光鎖定在了鉿基氧化物和它的相關(guān)化合物上。早期對這種材料的研究表明，由于費米能級釘扎效應(yīng)和晶體管反型時伴隨EOT增厚而產(chǎn)生的多晶硅耗盡效應(yīng)等方面的負(fù)面影響，多晶硅柵電極必須被金屬柵電極取代。1,2經(jīng)過長時間的研究、優(yōu)化和試生產(chǎn)測試，現(xiàn)在高k絕緣材料/金屬柵電極技術(shù)已經(jīng)成功被用于量產(chǎn)中了，這無疑是具有劃時代意義的。
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