狄增峰，男，1979年4月出生，江蘇海安人，博士，研究員，現任中國科學院上海微系統與信息技術研究所副所長。
人物經歷
教育經歷
狄增峰于1997年9月至2001年6月在南京大學基礎學科教學強化部（現匡亞明學院）就讀，獲得學士。2001年9月至2006年6月在中國科學院上海微系統與信息技術研究所攻讀碩士和博士，期間于2004年3月至2005年9月在香港城市大學物理與材料科學系進行聯合培養，并于2006年獲得工學博士學位。
工作經歷
狄增峰于2006年9月至2010年8月在美國Los Alamos國家實驗室擔任博士后研究員。2010年9月，他作為海外杰出人才被中國科學院上海微系統與信息技術研究所聘為研究員。2016年4月至2017年8月，他擔任上海微系統所信息功能材料實驗室副主任。2017年8月起，狄增峰擔任上海微系統所科研部部長，并于2018年5月起擔任上海微系統所所長助理。2019年7月起，他擔任上海微系統所副所長。
參與會議
狄增峰參與了多項國際會議，包括在2009年4月發表的關于Strain relaxation of nano-laminate SiGe in Si/SiGe/Si heterostructure under proton irradiation的報告，以及在2008年8月發表的關于Evolution of implantation induced damage under further ion irradiation: influence of damage的報告。
職務任免
2023年7月31日，中共中國科學院黨組中共上海分院分黨組經研究，決定狄增峰同志任上海微系統與信息技術研究所黨委書記。
研究方向
狄增峰長期從事SOI材料、電子器件及相關技術應用和基礎研究工作，主要針對微電子技術器件特征尺寸縮小帶來的短溝道效應、遷移率退化的物理難題，開展高端SOI材料，包括全耗盡SOI材料、應變SOI（sSOI）、絕緣體上鍺（GeOI）和絕緣體上石墨烯（GrOI）的應用基礎研究工作。
科研項目
（1） 高遷移率III/V-OI 新型材料探索研究，主持，部委級，2012-01--2015-12
（2） 納電子時代的高端SOI基材料，主持，部委級，2011-10--2014-09
（3） 高遷移率絕緣體上鍺新型材料研究，主持，市地級，2011-10--2013-09
（4） 氫離子注入各種晶向單晶硅中表面剝離機理研究，主持，部委級，2010-09--2013-09
（5） 22nm關鍵工藝技術先導智能研究與平臺建設－新型混晶SOI與GOI高遷移率器件工藝開發，主持，專項級，2009-01--2012-12
主要成就
狄增峰的研究成果在Materials Science and Engineering: R、Nature Communications、Advanced Materials、Nano Letters等雜志共發表SCI論文130余篇。他共授權國內發明專利91件，授權國際發明專利6件。
專利成果
狄增峰的專利成果包括在硅基萬能襯底上生長多層異質外延薄膜，以及基于注氧隔離技術的絕緣體上鍺硅材料及其制備技術。
所獲榮譽
狄增峰曾獲得全國百篇優秀博士學位論文（2008）、中國科學院院長獎特別獎（2006）、美國Los Alamos國家實驗室主任基金（2006）和中國科學院優秀博士學位論文（2007）。他還入選了中科院人才項目（2015年終期評估優秀），上海市“浦江人才計劃”，獲得國家中華人民共和國國家自然科學基金委員會“優秀青年基金”支持，國家級青年拔尖人才支持，上海市優秀學術帶頭人、中國科學院上海分院杰出青年，國家級人才工程國家級人選，國家級領軍人才、國務院政府特殊津貼。2019年獲得國家自然科學基金委“杰出青年基金”支持。2020年8月，入選第十六屆中國青年科技獎獲獎人選名單。2020年10月15日，榮獲第十六屆中國青年科技獎。2023年5月26日，被授予2022年上海市青年科技杰出貢獻獎。
代表論文
狄增峰的代表論文包括在Physical Review B、Organic 電子學、Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics等雜志上發表的多篇論文，涉及氫氣泡超晶格、有機薄膜晶體管老化控制、氫化硅的反退火效應、氫驅動和沉淀控制、動態退火與熱退火對氫誘導缺陷形成的影響，以及植入損傷的進一步離子輻照下的演變等研究。
參考資料 >