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集成門極換流晶閘管，簡稱IGCT或GCT，即門極換流晶閘管，是1996年問世的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。
IGCT是一種基于GTO結構、利用集成柵極結構進行柵極硬驅動、采用緩沖層結構及陽極透明發射極技術的新型大功率半導體開關器件，具有晶閘管的通態特性及晶體管的開關特性。
IGCT采用緩沖結構以及淺層發射極技術，使動態損耗降低約50％，具有電流大、電壓高、開關頻率高、可靠性高、結構緊湊、損耗低等特點。
基本介紹
集成門極換流晶閘管IGCT（Integrated gate-Commutated Thyristor）有的廠家也稱為GCT（Gate-Commutated Thyristor）,IGCT將IGBT與GTO的優點結合起來，其容量與GTO相當，但關斷速度比GTO快10倍，而且可以省去GTO應用是龐大而復雜的緩沖電路，和GTO相比，其所需的驅動功率較小。目前，IGCT正在與IGBT以及其他新型器件激烈競爭，試圖最終取代GTO在大功率場合的位置。
參考資料 >
集成門極換流晶閘管(IGCT)是什么意思 - 電子發燒友網.電子發燒友網.2022-03-22