壓敏電阻（Voltage Dependent Resistor，簡(jiǎn)稱VDR或Varistor）是在某一特定的電壓范圍內(nèi)，隨著電壓的增加，電流急劇增大的敏感元件。其中具有代表性的是氧化鋅壓敏電阻。
壓敏電阻是一種典型的非線性電阻器件，在一定電流電壓范圍內(nèi)電阻值隨電壓而變，當(dāng)壓敏電阻兩極電壓低于閾值時(shí)，通過(guò)它的電流幾乎為零；當(dāng)壓敏電阻的兩極的電壓高于閾值時(shí)，此時(shí)壓敏電阻就會(huì)通過(guò)將電壓鉗位到安全的電壓值來(lái)保護(hù)電路中的敏感器件。壓敏電阻的通流容量較大，但比氣體放電管小。壓敏電阻的主要參數(shù)包括壓敏電壓、通流容量、結(jié)電容和響應(yīng)時(shí)間。其響應(yīng)時(shí)間為ns級(jí)，比氣體放電管快，比TVS管稍慢一些。壓敏電阻種類繁多，按結(jié)構(gòu)分類分為結(jié)型壓敏電阻器、體型壓敏電阻器、單顆粒層壓敏電阻器、薄膜壓敏電阻器。按使用材料分類分為氧化鋅壓敏電阻器、碳化硅壓敏電阻器、金屬氧化物壓敏電阻器、鍺(硅)壓敏電阻器、鈦酸鋇[bèi]壓敏電阻器。按伏安特性分類可分為對(duì)稱型壓敏電阻器(無(wú)極性)、非對(duì)稱型壓敏電阻器(有極性)。壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千Pf的范圍內(nèi)，因此在高頻信號(hào)線路中不宜直接應(yīng)用。在交流電路的保護(hù)中，由于結(jié)電容較大會(huì)增加漏電流，在設(shè)計(jì)防護(hù)電路時(shí)需要充分考慮。
隨著工業(yè)自動(dòng)化、電子線路的晶體管化和微型化的發(fā)展，對(duì)電路的保護(hù)作用更為重視，壓敏電阻在電子電器產(chǎn)品設(shè)計(jì)上已是一個(gè)非常重要的元器件。目前，壓敏電阻已被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)，家用電器，高壓輸電線路，以及軍工，鐵路交通等領(lǐng)域的電路系統(tǒng)中，起到過(guò)電壓保護(hù)及穩(wěn)定電壓的作用。
發(fā)展歷程
壓敏電阻的陶瓷材料達(dá)到一定的溫度或者是在特定的電壓幅度就會(huì)有伏安特性這種非線性的伏特，它的電阻會(huì)根據(jù)相應(yīng)電壓的增加而相應(yīng)減小的一種半導(dǎo)體瓷質(zhì)材料。壓敏電阻的成熟經(jīng)歷了相當(dāng)長(zhǎng)的歷史發(fā)展階段，人們不斷的創(chuàng)新和更換交替壓敏電阻材料。本文以壓敏電阻陶瓷材料的種類與特性為線索，探究壓敏電阻的發(fā)展歷程。
碳化硅壓敏電阻
碳化硅（SiC）壓敏電阻是最早研究和應(yīng)用的壓敏陶瓷之一。1908年，人們發(fā)現(xiàn)SiC材料具有非線性的I-V特性。由于電機(jī)工程學(xué)中的器件容易被雷電沖擊損壞，迫切需要研發(fā)出防止器件被雷電沖擊損壞的避雷器。因此，1930年SiC避雷器問(wèn)世。在40年代末，蘇聯(lián)制成低壓碳化硅壓敏電阻器。
氧化鋅壓敏電阻
由于SiC制備的壓敏元件的非線性較低，響應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)，浪涌吸收能力不足，不能夠有效的保護(hù)電力系統(tǒng)。在人們迫切需要高非線性系數(shù)、高能量吸收能力的壓敏元器件的背景下，ZnO壓敏電阻得到人們的廣泛關(guān)注。
20世紀(jì)60年代初，蘇聯(lián)研究人員最先發(fā)現(xiàn)ZnO壓敏電阻具有一定的非線性伏安特性，但是蘇聯(lián)研究人員制備出的ZnO壓敏電阻的非線性系數(shù)較小。1968年日本松下公司首次研制成功了以ZnO為主體、若干氧化物添加劑改性的壓敏電阻器以來(lái)，它就以通流容量大、非線性系數(shù)大、漏電流小、響應(yīng)時(shí)間短等優(yōu)異的電學(xué)性能迅速成為制造壓敏電阻器的主導(dǎo)材料，開(kāi)啟了壓敏電阻的新紀(jì)元。
在1975年以前，ZnO壓敏電阻主要應(yīng)用在高壓方面，從1975年開(kāi)始應(yīng)用在低壓方面，例如汽車電子線路和IC保護(hù)。1975年日本明電舍開(kāi)發(fā)出世界上第一臺(tái)使用氧化鋅壓敏電阻的66KV無(wú)間隙氧化鋅避雷器，這一成果在2014年獲得了美國(guó)電氣與電子工程師協(xié)會(huì)的“里程碑”認(rèn)證。
近年來(lái)多層片式ZnO壓敏電阻(MLCV)被開(kāi)發(fā)出來(lái)，它具有體積重量小型化、電學(xué)性能優(yōu)異、響應(yīng)時(shí)間短(1~5ns)、溫度特性好、穩(wěn)定性好壽命長(zhǎng)、適合表面貼裝等特點(diǎn)，因而被廣泛應(yīng)用在IC保護(hù)及CMOS、MOSFET器件保護(hù)及汽車線路保護(hù)等電子技術(shù)方面。如：2007年，日本TDK公司研發(fā)的0603尺寸疊層片式壓敏電阻器，用于電子裝備靜電放電防護(hù)，其壓敏電壓最低達(dá)到6.8V，電容為100pF，尺寸為0.6mm×0.3mm×0.3mm。
二氧化鈦壓敏電阻
八十年代初，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室研發(fā)了TiO2基壓敏電阻器用來(lái)取代碳化硅壓敏材料。在電話線路應(yīng)用上低壓TiO2壓敏電阻取代了SiC壓敏陶瓷。低壓壓敏電阻器的研制從此逐漸引起人們的關(guān)注，TiO2壓敏電阻器可廣泛用于各種電子元器件、通訊設(shè)備、微型電機(jī)、汽車工業(yè)和鐵路信號(hào)的保護(hù)，具有十分廣闊的市場(chǎng)前景。
鈦酸鍶壓敏電阻
進(jìn)入八十年代后，日本首先開(kāi)發(fā)并使用SrTiO3壓敏電阻，雖然這種新型變阻器的非線性系數(shù)不如ZnO變阻器高，但是它具有靜電容量大（是ZnO的3～10倍），對(duì)低于標(biāo)稱電壓的雜波有抑制作用，而且在吸收陡脈沖時(shí)不會(huì)出現(xiàn)過(guò)渡特性上沖等優(yōu)點(diǎn)，隨后在歐美迅速使用開(kāi)來(lái)。SrTiO3壓敏電阻是一種保護(hù)性電子元件，而非單一性功能元件，不僅可用于微特電機(jī)，亦可用于低于標(biāo)稱電壓的電器上，作吸收陡脈沖器件及對(duì)雜波抑制器件，用量相當(dāng)大。
二氧化錫壓敏電阻
1995年巴西科學(xué)家Painaro等人首次發(fā)現(xiàn)經(jīng)過(guò)(Co、Nb)摻雜后SnO2壓敏電阻具有良好的致密性和很高非線性特性。SnO2壓敏電阻與ZnO一樣都同屬n型半導(dǎo)體電工陶瓷，所不同的是SnO2壓敏電阻晶相結(jié)構(gòu)較為單一，通常在XRD下觀察不到有明顯的第二相存在，而主要以SnO2金紅石相為主，通常在高溫?zé)Y(jié)時(shí)，各種摻雜劑的揮發(fā)量較少，使得SnO2壓敏電阻具有相對(duì)均勻的微觀結(jié)構(gòu)，同時(shí)單一相的組成，使得SnO2壓敏電阻的制備工藝和難度相對(duì)來(lái)說(shuō)降低了許多，并且經(jīng)過(guò)少量的摻雜就能表現(xiàn)出很高的非線性I-V特性，除此之外，SnO2壓敏電阻還具有很高的熱導(dǎo)率，這可以減少這種材料在受熱之后發(fā)生熱崩潰的概率，從而能夠進(jìn)一步的提高電力系統(tǒng)安全與穩(wěn)定運(yùn)行。正是由于SnO2壓敏電阻具有諸多優(yōu)點(diǎn)，這也正是SnO2壓敏電阻被認(rèn)為是將來(lái)取代ZnO的最佳替代材料。
工作原理
各種材料制造的壓敏電阻工作原理不同，其中Fe2O2、BaTiO3利用的是電極與燒結(jié)體界面的非歐姆特性；SiC、ZnO、TiO2以及SrTiO3用的是晶界的非歐姆特性。此處以目前應(yīng)用最廣、壓敏性能最好的ZnO壓敏電阻為例介紹壓敏電阻的工作原理。
ZnO壓敏電阻在電路中的連接方式與工作原理如右圖所示。在實(shí)際電路中，ZnO壓敏電阻元器件在與用電器并聯(lián)。正常工作中，電路中的電壓在一定范圍內(nèi)，沒(méi)有超過(guò)ZnO壓敏電阻的閾值電壓，那么ZnO壓敏電阻的阻值很大，表現(xiàn)為高阻態(tài)。在非正常工作中，ZnO壓敏電阻和電子設(shè)備會(huì)面對(duì)過(guò)載電壓沖擊，由于ZnO壓敏電阻的響應(yīng)速度很快，可以在納秒級(jí)的時(shí)間內(nèi)作出響應(yīng)。此時(shí)的ZnO壓敏電阻迅速將阻值降到極低狀態(tài)，從高阻態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。電流就不從電子元器件經(jīng)過(guò)，而是從ZnO壓敏電阻器流過(guò)，作用在設(shè)備上的電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于過(guò)電壓，電器設(shè)備得到有效保護(hù)。因此，ZnO壓敏電阻器也被稱為“突波吸收器”“浪涌抑制器”。
ZnO壓敏電阻工作運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，可以大致分為兩種情況。第一種情況是過(guò)電壓幅值不是很大，在ZnO壓敏電阻的承受范圍內(nèi)。當(dāng)過(guò)電壓出現(xiàn)時(shí)，ZnO壓敏電阻阻值迅速下降，壓敏電阻吸收了電路中過(guò)電壓的絕大部分能量。在過(guò)電壓消失后，壓敏電阻器的阻值能夠恢復(fù)到原先高阻值的特性，這樣不會(huì)影響到用電器的正常工作。另一種情況是過(guò)載電壓很大，導(dǎo)致其能量相應(yīng)的也很高，超過(guò)了ZnO壓敏電阻器的承受能力，導(dǎo)致ZnO壓敏電阻在吸收能量之后不能恢復(fù)到原來(lái)的狀態(tài)，造成壓敏電阻器發(fā)生劣化甚至熱擊穿。
結(jié)構(gòu)及特性
結(jié)構(gòu)
壓敏電阻的電路符號(hào)、外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。它是以陶瓷工藝加工而成，圖（a）為外形，圖（b）為電路符號(hào)。
以當(dāng)前應(yīng)用較為廣泛的“氧化鋅”壓敏電阻器的組成結(jié)構(gòu)為例，如下圖所示，氧化鋅壓敏電阻大體結(jié)構(gòu)相同，通常有氧化鋅晶粒、晶界層、電極和引線這4個(gè)部分。其中，氧化鋅晶粒的電阻率較低而晶界面的電阻率較高，相接觸的兩個(gè)晶粒之間形成一個(gè)相當(dāng)于齊納二極管的勢(shì)壘，成為一個(gè)壓敏電阻單元，各單元經(jīng)串、并聯(lián)組成的壓敏電阻器基體。當(dāng)壓敏電阻工作時(shí)，每個(gè)單元都承擔(dān)能量，而不像齊納二極管僅在結(jié)區(qū)承擔(dān)電功率，因此陶瓷壓敏電阻比齊納二極管的最大允許電流和額定功率耗散值大得多。
伏安特性
壓敏電阻和普通的電阻區(qū)別在于，其電壓和電流能夠不遵守歐姆定律，而是在某一特定電壓范圍內(nèi)具有非線性伏安特性，其電阻隨外加電壓變化而變化。當(dāng)電阻器上的電壓小于閥值電壓時(shí)，電阻器上的阻值則為無(wú)窮大狀態(tài)，當(dāng)電壓略高于閥值電壓時(shí)，其阻值迅速減小，壓敏電阻處于導(dǎo)通狀態(tài)。下圖即壓敏電阻的伏安特性曲線，根據(jù)壓敏電阻兩端不同電壓值可以分為三個(gè)區(qū)域：
（1）預(yù)擊穿區(qū)：在此區(qū)域，壓敏電阻處于小電流低電場(chǎng)中，內(nèi)部流過(guò)的電流非常非常小。
（2）非線性區(qū)：此區(qū)域，流過(guò)壓敏電阻的電流對(duì)電壓非常敏感，電壓稍微增加，電流急劇增加，該區(qū)域起決定性作用的是隧道電流導(dǎo)電機(jī)制，當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到一定值時(shí)，電子將直接通過(guò)勢(shì)壘形成電流。
（3）擊穿區(qū)：當(dāng)流過(guò)壓敏電阻的電流密度繼續(xù)增加，則I-U曲線就進(jìn)入了擊穿區(qū)。那么壓敏電阻就會(huì)被完全擊穿，無(wú)法自動(dòng)恢復(fù)到高阻值狀態(tài)。
參數(shù)指標(biāo)
核心技術(shù)指標(biāo)
壓敏電壓
壓敏電壓是壓敏電阻的擊穿電壓，也是決定壓敏電阻額定電壓的非線性電壓。壓敏電壓的值通常是以下的方式定義：即20℃下，有1mA的電流流經(jīng)壓敏電阻時(shí)其兩端的電壓值。在將壓敏電阻應(yīng)用到電路中時(shí)，為了保證在電路正常工作的范圍內(nèi)，壓敏電阻也是正常工作的，壓敏電阻所保護(hù)的電路的最大額定電壓一定要小于壓敏電阻電壓值。
非線性系數(shù)
壓敏電阻的非線性系數(shù)可通過(guò)電流變化率、壓敏電阻兩端電壓降變化率的比值而確定。此外，選取的電流密度變化范圍不同時(shí)，壓敏電阻非線性系數(shù)的數(shù)值隨之改變，故在計(jì)算非線性系數(shù)時(shí)，必須說(shuō)明所選擇的電流密度區(qū)域。在同一區(qū)域內(nèi)，材料的非線性系數(shù)越大，證明其抑制浪涌電流的能力越強(qiáng)。
最大限制電壓
最大限制電壓指的是壓敏電阻兩端能夠承受的最大電壓，其也被稱為最大鉗位電壓，可以這么解釋，即在浪涌電壓超過(guò)了壓敏電壓時(shí)，壓敏電阻兩端能夠測(cè)到的最大峰值電壓。在實(shí)際應(yīng)用中，為了使其能夠起到保護(hù)電路的作用，保證電路不被浪涌電壓損壞，應(yīng)保證這一數(shù)字小于電路額定最大工作電壓。當(dāng)然，這是在線路沒(méi)有采用多級(jí)防護(hù)的情況下的要求，若線路中應(yīng)用了多級(jí)防護(hù)，則不需要考慮這一問(wèn)題。
通流容量
通流容量就是人們常說(shuō)的通流量，指的是規(guī)定條件下允許通過(guò)壓敏電阻的最大脈沖電流值。一般情況下，電子產(chǎn)品都會(huì)有一個(gè)通流量值，這一數(shù)值是通過(guò)脈沖試驗(yàn)獲得的，根據(jù)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中記錄的波形、間隙時(shí)間以及沖擊次數(shù)等數(shù)據(jù)，可以對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行脈沖試驗(yàn)，在實(shí)驗(yàn)中產(chǎn)品能夠承受的最大電流值即為其通流量。在使用壓敏電阻進(jìn)行電路保護(hù)時(shí)，所選擇的壓敏電阻能夠吸收的浪涌電流，應(yīng)能夠滿足超過(guò)產(chǎn)品最大通流量這一要求，這樣才能夠?qū)崿F(xiàn)電路的有效保護(hù)。
其他常見(jiàn)指標(biāo)
除了上述核心技術(shù)指標(biāo)外，壓敏電阻的其他常見(jiàn)指標(biāo)如下表所示：
上述資料來(lái)源：
產(chǎn)品分類
按使用目的劃分
按使用目的可將壓敏電阻器區(qū)分為兩大類：保護(hù)用壓敏電阻和電路功能用壓敏電阻。
保護(hù)用壓敏電阻：保護(hù)用壓敏電阻的主要用途是用于電源保護(hù)、信號(hào)線保護(hù)和數(shù)據(jù)線保護(hù)等，它們分別要滿足不同的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的要求。且壓敏電阻器的保護(hù)功能，絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合下，是可以多次反復(fù)作用的，但有時(shí)也將它做成像電流保險(xiǎn)絲那樣的“一次性”保護(hù)器件。例如并聯(lián)在某些電流互感器負(fù)載上的帶短路接點(diǎn)壓敏電阻。
電路功能用壓敏電阻：電路功能用壓敏電阻主要應(yīng)用于瞬態(tài)過(guò)電壓保護(hù)，但是它類似于半導(dǎo)體穩(wěn)壓管的伏安特性，還使它具有電路元件功能，例如可用作高壓小電流穩(wěn)壓元件、電壓波動(dòng)檢測(cè)元件、直流電平移位元件、均壓元件和熒光燈啟動(dòng)元件等。
按制造材料劃分
按壓敏電阻的制造材料劃分，有碳化硅壓敏電阻器、硅鍺壓敏電阻器、氧化鋅壓敏電阻器、欽酸鋇壓敏電阻器等。下面主要介紹常見(jiàn)的碳化硅壓敏電阻器和氧化鋅壓敏電阻器。
碳化硅壓敏電阻：碳化硅壓敏電阻器所用的原材料是碳化硅晶體。它是用石英沙和焦碳等作為主要原料，加入一定數(shù)量的摻雜物，在氧化的氣氛中，在2300~2600°的溫度下冶煉而成的。冶煉得到的碳化硅晶體，經(jīng)過(guò)破碎、除鐵、清洗和篩析等工序后，按一定的比例與陶瓷粘合劑（粘土、長(zhǎng)石等）相混合，對(duì)于低壓壓敏電阻還要加入少量石墨粉。混合的粉料用陶瓷工藝制備成片形、墊卷形或棒形的生還，然后在還原氣氛或中性氣中在1000~1300°C的溫度下進(jìn)行燒結(jié)。最后敷設(shè)電極和進(jìn)行防潮包封。碳化硅壓敏電阻工藝簡(jiǎn)單、材料便宜、成本低，缺點(diǎn)是非線性系數(shù)小。
氧化鋅壓敏電阻器：氧化鋅壓敏電阻一般是由金屬氧化物（ZnO）作為主要填充物，通過(guò)摻雜不同比例的鉍（Bi）、銻（Sb）、錳（Mn）、鈷（Co）等金屬元素或其金屬氧化物通過(guò)高溫?zé)Y(jié)而來(lái)。具有造價(jià)低廉，非歐姆性優(yōu)良，響應(yīng)時(shí)間快，漏電流小，通流容量大等優(yōu)點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于各類電子元器件的瞬態(tài)過(guò)電壓保護(hù)。
按工作性能劃分
依據(jù)工作性能壓敏電阻可分為高壓型和高能型兩類。
高壓型壓敏電阻：高壓型壓敏電阻對(duì)窄脈寬的過(guò)電壓和浪涌有著理想的防護(hù)能力，如避雷器。
高能型壓敏電阻：高能型壓敏電阻對(duì)承受長(zhǎng)脈寬浪涌能力強(qiáng)。常用于吸收發(fā)電機(jī)在滅磁及過(guò)電壓保護(hù)過(guò)程中的磁場(chǎng)能和瞬時(shí)過(guò)電壓。
按結(jié)構(gòu)劃分
按結(jié)構(gòu)分為結(jié)型壓敏電阻器、體型壓敏電阻器、單顆粒層壓敏電阻器、薄膜壓敏電阻器。下面主要介紹常見(jiàn)的結(jié)型壓敏電阻器和體型壓敏電阻器。
結(jié)型壓敏電阻器：結(jié)型壓敏電阻器是因?yàn)殡娮梵w與金屬電極之間的特殊接觸，才具有了非線性特性。
體型壓敏電阻器：體型壓敏電阻器的非線性是由電阻體本身的半導(dǎo)體性質(zhì)決定的。
按伏安特性劃分
按伏安特性分類分為對(duì)稱型壓敏電阻器(無(wú)極性)、非對(duì)稱型壓敏電阻器(有極性)。
對(duì)稱型壓敏電阻器(無(wú)極性)：對(duì)稱型壓敏電阻器的特性曲線如右圖（a）所示，是關(guān)于原點(diǎn)對(duì)稱的曲線，這類電阻器稱為雙向性的電阻器。
非對(duì)稱型壓敏電阻器(有極性)：非對(duì)稱型壓敏電阻器的特性曲線（b）如右圖所示，其描述的電阻器稱為非雙向性電阻器，非雙向性電阻元件需用規(guī)定的標(biāo)記區(qū)別兩個(gè)端鈕，以避免在實(shí)用中接錯(cuò)而損壞器件。
應(yīng)用領(lǐng)域
壓敏電阻的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，而且還在不斷擴(kuò)展。壓敏電阻器既可以作為一個(gè)獨(dú)立元件來(lái)使用，還可以與其它保護(hù)元件一起構(gòu)成電涌保護(hù)器，具體用途與作用如下表所示。
以上資料來(lái)源：
制備工藝
關(guān)鍵技術(shù)
網(wǎng)印技術(shù)
在陶瓷壓敏電阻表面形成導(dǎo)電層的最常見(jiàn)的方法是網(wǎng)印，這是因?yàn)榫W(wǎng)印后的銀層厚度很容易通過(guò)改變絲網(wǎng)參數(shù)來(lái)改變，銀層的均勻性也容易保證，要得到較厚的銀漿層時(shí)就必須利用網(wǎng)印的厚膜功能。壓敏電阻雖然不是輕薄產(chǎn)品，也并不柔軟，但是體積很小，厚度一般在3mm以下，直徑大多也小于10mm，壓敏電阻所用的銀漿黏度比較高，通常比一般的網(wǎng)印油墨要稠。如果不采用必要的措施，印刷過(guò)程中印刷壓敏電阻會(huì)像紙張和薄膜那樣輕薄的產(chǎn)品被黏附在網(wǎng)版底部，產(chǎn)生各種各樣的印刷問(wèn)題。所以印刷壓敏電阻比較成熟的做法是采用吸氣式的平面網(wǎng)印機(jī)，夾具和工作臺(tái)的連接保證壓敏電阻印刷過(guò)程被牢牢吸附于夾具表面完成準(zhǔn)確的印刷。
流延技術(shù)
流延是采用自動(dòng)流延機(jī)將球磨后的壓敏陶瓷漿料均勻涂覆在聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜載帶上，形成一定厚度的壓敏陶瓷薄膜。流延膜帶的質(zhì)量主要由壓敏電阻陶瓷漿料質(zhì)量和流延工藝決定，而流延工藝主要由流延過(guò)程的烘烤溫度和烘烤時(shí)間決定，是流延工藝的關(guān)鍵。在漿料流延過(guò)程中，對(duì)流延膜的干燥溫度和干燥時(shí)間需要重點(diǎn)關(guān)注，若干燥溫度過(guò)低，干燥時(shí)間過(guò)短，則無(wú)法成膜；如果烘烤溫度過(guò)高，烘烤時(shí)間過(guò)久，將導(dǎo)致流延膜帶含水率降低，使后續(xù)疊壓結(jié)合性變差。
表面處理技術(shù)
壓敏陶瓷材料為半導(dǎo)體材料，產(chǎn)品燒結(jié)完成后如不進(jìn)行表面絕緣處理，進(jìn)行端頭處理時(shí)，電鍍過(guò)程中的和錫將生長(zhǎng)在基體表面，使產(chǎn)品表面短路，故需對(duì)基體表面進(jìn)行絕緣處理。目前常用的表面處理方法有：（1）有機(jī)高分子化合物絕緣材料涂覆法；（2）表面噴涂或印刷絕緣釉料的方式進(jìn)行表面絕緣處理；（3）表面處理液處理法。這三種方法區(qū)別如下表所示：
制作材料
目前，市場(chǎng)上應(yīng)用較多壓敏電阻材料有氧化鋅、鈦酸銀、二氧化鈦和三氧化鎢四種，其中氧化鋅系的材料在是市場(chǎng)上應(yīng)用最為廣泛的材料，有很好的降低壓性能，但是其價(jià)格較高，需要支付較多的使用成本。鈦酸銀系材料的應(yīng)用則需要較高的技術(shù)水平，過(guò)程復(fù)雜。但是其內(nèi)部材料可以吸收瞬間高頻率噪音和浪涌，降低電壓和電容的功能更為理想。二氧化鈦系壓敏電阻器材料具有很好的非線性伏安特性，很容易實(shí)現(xiàn)內(nèi)部材料的低壓化，在小家電的集成電路、彩色顯像管元件內(nèi)應(yīng)用較多。三氧化鎢系材料的降低壓壓敏的性能也非常理想，其市場(chǎng)應(yīng)用前景也比較廣泛。在市場(chǎng)上應(yīng)用的壓敏電阻大都是采用以上幾種材料，這些材料在提升低壓壓敏電阻器的技術(shù)性能上發(fā)揮著重要的作用。
參考資料 >
壓敏電阻的歷史和行業(yè)發(fā)展-華巨電子.華巨科技.2023-09-08
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