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2000年至今在中科院半導體所從事半導體光電材料及相關器件的研究，曾參加高性能半導體光放大器規模化生產技術項目，研制出纖-纖增益大于15dB的半導體光放大器。 DBR材料特性及Ge/Si量子阱調制器的研究。目前，一直從事半導體光電器件的研究，已在國內外學術刊物及國際學術會議上發表30多篇學術論文和兩個專利。
于麗娟研究領域是半導體光電器件。
人物簡介
副研究員。1986年和1989年在吉林大學物理學院獲學士和碩士學位，在對半導體材料的直接鍵合的研究過程中，已獲得了III-V半導體材料與硅鍵合的窗口溫度，并利用鍵合的方法在硅基上實現了1.55μm InGaAsP/InP激光器的室溫連續激射。2006年在英國帝國理工學院做訪問學者，主要從事Ge/Si DBR材料特性及Ge/Si量子阱調制器的研究。
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