李京波，男，博士，研究員，博士生導(dǎo)師。2007年入選中科院“百人計劃”，2009年獲“國家杰出青年基金”。2001年畢業(yè)于中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，獲得理學(xué)博士學(xué)位。2001年至2004年，在美國伯克利勞倫斯國家實驗室做博士后；2004年至2007年，美國再生能源國家實驗室助理研究員；2007年5月，入選中國科學(xué)院“百人計劃”，同時進入半導(dǎo)體超晶格國家重點實驗室工作，從事半導(dǎo)體摻雜機制和納米材料的研究。
科研成果
在半導(dǎo)體摻雜機制和納米材料等前沿領(lǐng)域中取得的一系列創(chuàng)新性研究成果：(1)發(fā)表了一百余篇論文（其中“自然”一篇，“Nature Material”一篇，“物理評論快報”六篇，“Nano Letters”四篇，“JACS”二篇，“APL”十八篇，“PRB/JPCC”三十六篇），對半導(dǎo)體光電材料與器件的設(shè)計有重要的指導(dǎo)作用。(2)首次從理論上研究了形狀對納米團簇電子態(tài)的影響，并且對相關(guān)的實驗進行了解釋。(3)與合作者提出了Charge Patching方法，實現(xiàn)了上萬原子的第一性原理精度計算，該方法特別適用于大原胞的半導(dǎo)體合金和納米團簇的大規(guī)模計算。(4)對半導(dǎo)體摻雜機制有深入的研究，提出GaN和ZnO等實現(xiàn)p-型摻雜的實驗?zāi)Ｐ停⒂玫谝恍栽磉M行計算，獲得國際同行的廣泛關(guān)注。(5)首次研究了量子點中雜質(zhì)的穩(wěn)定性, 預(yù)言在硅摻雜的GaAs量子點中，如量子點的尺寸小于14納米，將出現(xiàn)DX深能級中心。(6)首次預(yù)言了CdS量子點比CdSe量子點更容易觀察到“暗激子現(xiàn)象”，該預(yù)言被美國P+FBarbara教授的實驗小組所證實。論文已經(jīng)被國際同行高度評價和大量引用，至今已被引用兩千余次。2008年9月2日《科技日報》第十版以《李京波：半導(dǎo)體照明學(xué)科帶頭人》為題報道了其最新研究進展。2009年3月17日《自然》（亞洲材料）報道了其研究小組在光催化材料研究中取得的重要進展。2009年獲國家杰出青年基金（信息學(xué)部）。2011年獲浙江省榮譽稱號，2012年中科院“百人計劃”終期評估，獲評“優(yōu)秀”
主要項目
1. 中國科學(xué)院“百人計劃”啟動基金 (2007年，70萬元)。
2. 中科院重大項目“ZnO寬禁帶半導(dǎo)體材料的摻雜特性理論研究”（2006年至2009年，30萬元）。
3. 中科院半導(dǎo)體所三期創(chuàng)新方向性重大項目“與固態(tài)照明相關(guān)物理和器件的研究”（2007年至2009年，160萬元）。
4. 中國科學(xué)院“百人計劃”（2008年至2012年，200萬元）。
5. 國家杰出青年基金（2009年至2013年，200萬元）。
6. 863計劃新材料領(lǐng)域2008年重點項目(首席專家)—“高效氮化物LED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)”，（2009年至2012年，946萬元）。
7. 中科院-英研究理事會（EPSRC）合作項目“Semiconductor nanocrystals for solar cells: Tuning shape,size and interface effects”（2011年至2014年，45萬元，英方30萬英鎊）。
8. 973項目《以Dirac系統(tǒng)為代表的低維量子體系的新奇量子現(xiàn)象研究》子課題（2011年至2016年，150萬元）。
代表論著
1) “Origin and enhancement of hole-induced ferromagnetism in first-row d0 semiconductors”, H. W. peng, H. J. Xiang, S. H. Wei*, S. S. Li, J. B. Xia, and Jingbo Li*, Phys. REV
2) “設(shè)計 of narrow-gap TiO2 for enhanced photoelectrochecmical activity: A passivated codoping approach”, Y. Q. Gai, Jingbo Li*, S. S. Li, J. B. Xia, and S. H. Wei*, Phys. Rev
3) “Design of shallow acceptors in ZnO: firstprinciples band-structure calculations”, Jingbo Li, S. H. Wei, S.S. Li and J.-B. Xia, Phys
4) “Mutual Passivation of Donors and Isovalent 氮 in GaAs”, Jingbo Li, P. Carrier, S.-H. Wei, S.-S. Li and J.-B. Xia, Phys
5) “Stability of DX center in GaAs Quantum Dots”, Jingbo Li, sh Wei, L.-W. Wang, Phys
6) “Band-structure-correlated local density approximation study of semiconductor quantum dots and wires”, Jingbo Li and L.-W. Wang, Phys
7) “Colloidal nanocrystal heterostructures with linear and branched topology”, D.J.Milliron, S.M.Hughes, Yi Cui, L.Manna, Jingbo Li, L.W.Wang and A
8) “First principle study of core/shell quantum dots”, Jingbo Li and L.W. Wang, APPL Phys
9) “Electronic Structure of InP Quantum Rods: Differences between Wurzite, 鋅 Blende, and Different Orientations”, Jingbo Li and L.W
10) “Two-versus three-dimensional quantum confinement in indium phosphide wires and dots”, H.Yu, Jingbo Li, R. A. Loomis, L.W. Wang and W.E
11) “Shape Effects on Electronic States of Nanocrystals”, Jingbo Li, and L.W
12) “High Energy Excitations in CdSe Quantum Rods”, Jingbo Li, and L.W
參考資料 >