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反刻
來源:互聯網

在半導體制造過程中,刻蝕技術可以根據不同的方法和條件進行分類。其中,根據是否有掩蔽層的存在,刻蝕工藝可分為有圖形刻蝕和無圖形刻蝕兩類。

有圖形刻蝕

這種刻蝕工藝是在目標區域上使用掩蔽層來保護不需要被刻蝕的部分,從而實現對特定形狀或圖案的精確加工。這種方法常用于制作集成電路等精細電子元件。

無圖形刻蝕

相比之下,無圖形刻蝕則沒有使用掩蔽層,而是直接對整個待處理區域進行刻蝕。這種工藝通常應用于大面積的均勻刻蝕,比如在平坦化硅片表面的過程中,需要減少形貌特征以達到所需的平整度。

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