晶格缺陷是物質(zhì)的微觀原子排列受到晶體形成條件、原子的熱運動，雜質(zhì)填充及其它條件的影響，導(dǎo)致結(jié)構(gòu)偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域。
基本信息
在實際的晶體中，由于晶體形成條件、原子的熱運動及其它條件的影響，原子的排列不可能那樣完整和規(guī)則，往往存在偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域。這些與完整周期性點陣結(jié)構(gòu)的偏離就是晶體中的缺陷，它破壞了晶體的對稱性。
缺陷對晶體的物理性質(zhì)具有極其重要的影響，可分為面缺陷、線缺陷和點缺陷三種。其中晶粒間界、堆垛層錯和孿晶間界屬于面缺陷，晶粒間界指多晶體中晶粒之間的交界面。堆垛層錯是指晶體中原子面的堆垛順序出現(xiàn)反常而造成的缺陷，它只影響層錯面附近晶體結(jié)構(gòu)，并不影響其他區(qū)域的原子層堆垛順序。孿晶是指晶體中相毗鄰的兩部分互為鏡像。線缺陷主要是指位錯，位錯的存在對晶體的力學(xué)性質(zhì)機翼各種物理性質(zhì)都有影響。除了三種缺陷外，晶體中還存在很多其他缺陷，如在對無位錯單晶研究中發(fā)現(xiàn)晶體中存在微缺陷，在制作無位錯硅單晶中發(fā)現(xiàn)了密度很大且線度很小的缺陷群。
缺陷類型
點缺陷
最常見的點缺陷是“晶格空位”和“間隙原子”。當晶格中的某些原子由于某種原因（如熱振動的偶然偏差等）脫離其晶格結(jié)點而轉(zhuǎn)移到晶格間隙時會造成點缺陷。
空位，填隙，替位；
線缺陷
即晶格中的“位錯線”，或簡稱位錯，可視為晶格中一部分晶體相對于另一部分晶體的局部滑移而造成的結(jié)果，滑移部分與未滑移部分的交界線就是位錯線。
位錯，刃位錯，螺旋位錯，混合位錯；
面缺陷
即晶界和亞晶界。這兩種晶格缺陷都是因晶體中不同區(qū)域間的晶格位相過度造成的。
平移界面，堆垛層錯，晶界，亞晶界。
參考資料 >