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突觸后電位（postsynaptic potential ），略稱PSP。也可稱突觸電位（synaptic poten- tial）。
基本介紹
突觸后電位是突觸傳遞在突觸后神經(jīng)元中所產(chǎn)生的電位變化。有興奮性突觸后電位和抑制性突觸后電位，另外還區(qū)別為以化學(xué)傳遞物質(zhì)為媒介的化學(xué)傳遞所產(chǎn)生的突觸后電位與以突觸前神經(jīng)元的動作電流進行電傳遞而產(chǎn)生的突觸后電位。興奮性突觸后電位是去極化性質(zhì)，抑制性突觸后電位多數(shù)場合是超極化性質(zhì)，并通過膜電導(dǎo)增加的短路效應(yīng)使其它的電位變化減少。當這些突觸后電位總和超過去極化側(cè)的閾值時，便產(chǎn)生動作電位。
突觸前膜將遞質(zhì)釋入突觸間隙后，經(jīng)擴散到達突觸后膜，作用于后膜上的特異性受體或化學(xué)門控通道，引起后膜對某些離子通透性的改變，使某些帶電離子進出后膜，突觸后膜即發(fā)生一定程度的去極化或超極化，從而形成突觸后電位。
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