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來源：互聯網

國家信息光電子創新中心（英文名：NATIONAL Doeon Optoelectronics INNOVATION CENTER），是中國正式批復建設的第三家國家級制造業創新中心，同時也是湖北省首個國家級制造業創新中心，由光迅科技、烽火通信科技股份有限公司、亨通光電等中國多家企業和研發機構共同參與建設。該中心致力于匯聚行業優勢創新資源，共建信息光電子產業創新平臺，聚焦新一代網絡、數據中心光互聯、5G等信息光電子應用領域，在高端材料生長、核心芯片工藝、先進封裝集成等方面突破關鍵技術和共性技術瓶頸，總部位于湖北省武漢市東湖新技術開發區關山街郵科院路88號1幢1-3層。

2017年11月，工信部正式批復同意武漢建設國家信息光電子創新中心。2018年4月26日，國家信息光電子創新中心在武漢烽火通信科技股份有限公司正式掛牌成立，全面轉入實質性運營階段。2023年3月，國家信息光電子創新中心的能力建設項目通過工信部組織的驗收。2026年2月，國家信息光電子創新中心與北京大學等單位合作，在光通信和6G領域取得進展。團隊提出的“光纖—無線一體化融合通信”概念及研發的新系統，實現了光纖與無線通信的跨網絡融合，數據傳輸速率刷新世界紀錄。相關成果在線發表于國際學術期刊《自然》。

截至2026年2月，國家信息光電子創新中心已擁有高端芯片技術研發平臺和集成光電研發平臺，它們是中國最具產業化實力的InP、GaAs以及硅光等光通信光電芯片的設計和工藝平臺；在Ⅲ-Ⅴ族高端光電芯片技術和工藝、硅光集成芯片設計和測試、高速光系統設計和驗證等方面擁有強大的創新能力。國家信息光電子創新中心組建了以中國工程院院士余少華為主任，中國科學院院士甘子釗、中國科學院院士祝寧華、光迅科技總經理胡強高為副主任的第一屆專家委員會，專家委員會委員由10位院士，17位行業專家組成。

歷史沿革

2017年11月，工信部正式批復同意武漢建設國家信息光電子創新中心，承載解決中國信息光電子制造業“關鍵和共性技術協同研發”及“實現首次商業化”的戰略任務，著力破解信息光電子“缺芯”的局面。國家信息光電子創新中心由光迅科技、烽火通信科技股份有限公司、亨通光電等中國多家企業和研發機構共同參與建設，匯聚了中國信息光電子領域超過60%的創新資源。

2018年4月26日，國家信息光電子創新中心在武漢武漢郵電科學研究院研究生院正式掛牌成立。時任工業和信息化部部長苗圩與湖北省相關領導共同為中心授牌，標志著這個中心全面轉入實質性運營階段，中國光通信行業強“芯”之旅正式起航。

2023年3月22日—23日，受工信部委托，工信部產業發展促進中心在武漢組織召開國家級制造業創新中心“能力建設項目”驗收會議，專家組一致同意國家信息光電子、數字化設計與制造創新中心能力建設項目通過驗收。

2026年2月19日，國家信息光電子創新中心與北京大學、鵬城實驗室、上海科技大學等單位合作，在光通信和6G領域取得進展。團隊提出的“光纖—無線一體化融合通信”概念及研發的新系統，實現了光纖與無線通信的跨網絡融合，數據傳輸速率刷新世界紀錄。相關成果在線發表于國際學術期刊《自然》。

機構治理

機構性質

國家信息光電子創新中心總部位于湖北省武漢市東湖新技術開發區關山街郵科院路88號1幢1-3層，是中國正式批復建設的第三家國家級制造業創新中心，同時也是湖北省首個國家級制造業創新中心。國家信息光電子創新中心以市場為主導運營，實行股權制管理，商業化和產業化是其發展方向。

機構規模

截至2026年2月，國家信息光電子創新中心已擁有高端芯片技術研發平臺和集成光電研發平臺，它們是中國最具產業化實力的InP、GaAs以及硅光等光通信光電芯片的設計和工藝平臺；在Ⅲ-Ⅴ族高端光電芯片技術和工藝、硅光集成芯片設計和測試、高速光系統設計和驗證等方面擁有強大的創新能力；與28+家國內外單位簽署共建協議，在平臺建設、資源共享、項目合作、人員交流等方面開展合作；與俄羅斯、法國、美國、德國等國外數家知名研究機構達成戰略合作意向，凝聚了全球人才及技術資源。

組織架構

國家信息光電子創新中心設專家委員會，為創新中心的咨詢機構。由來自學術界、產業界的技術專家及政府專家組成，負責研判行業發展重大問題并篩選確定研究方向，與聯盟共同制定創新中心的技術路線圖，給創新中心的發展方向提供建議。截至2026年2月，創新中心組建了以中國工程院院士余少華為主任，中國科學院院士甘子釗、中國科學院院士祝寧華、光迅科技總經理胡強高為副主任的第一屆專家委員會，專家委員會委員由10位院士，17位行業專家組成。

機構職責

國家信息光電子創新中心致力于匯聚行業優勢創新資源，共建信息光電子產業創新平臺，聚焦新一代網絡、數據中心光互聯、5G等信息光電子應用領域，在高端材料生長、核心芯片工藝、先進封裝集成等方面突破關鍵技術和共性技術瓶頸。